[发明专利]具有背侧插入结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810482333.0 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108417625A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;H-J·舒尔策;A·毛德;E·格瑞布尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/02;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/683;H01L23/544;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/10;H01L29 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 空腔形成在形成于半导体基底层的第一半导体层中。空腔从第一半导体层的处理表面延伸至基底层。凹陷的掩模衬垫形成在空腔侧壁的远离表面的部分上，或者掩模插塞形成在空腔的远离处理表面的部分中。第二半导体层通过外延生长在处理表面上。第二半导体层跨越空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 处理表面 空腔 掩模 半导体基底层 半导体器件 插入结构 空腔侧壁 空腔形成 外延生长 基底层 凹陷 插塞 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体本体，包括在前侧处的第一表面和在背侧处的平行于所述第一表面的第二表面，以及有源区域和将所述有源区域与所述半导体本体的外表面分隔的边缘终止区域，其中所述外表面连接所述第一表面和所述第二表面，并且所述有源区域中的元件结构主要地形成为比所述第二表面更靠近所述第一表面；以及背侧插入结构，从所述第二表面延伸进入所述边缘终止区域中的所述半导体本体中。
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