[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201610016212.8 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105990476B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 加贺广持;岡俊行;泽野正和;宫部主之 | 申请（专利权）人： | 阿尔发得株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/20 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体发光元件包含基体、第1～6半导体层、第1～3导电层、构造体及第1绝缘层。第1半导体层与基体相隔。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第4半导体层与基体相隔，与第1半导体层并排。第5半导体层设置在第4半导体层与基体之间。第6半导体层设置在第4半导体层与第5半导体层之间。第2导电层与第5半导体层电连接。构造体与基体相隔。构造体的一部分设置在第1半导体层与第4半导体层之间。第3导电层与第4半导体层电连接。第3导电层包含第1区域、第2区域及第3区域。第1绝缘层的一部分设置在第3导电层与第5半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于具备：/n基体；/n第1半导体层，在第1方向上与所述基体相隔且包含第1导电型的第1半导体膜；/n第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层与所述基体之间；/n第3半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；/n第1导电层，与所述第2半导体层电连接；/n第4半导体层，在所述第1方向上与所述基体相隔，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1半导体层并排，且包含所述第1导电型的第2半导体膜；/n所述第2导电型的第5半导体层，设置在所述第4半导体层与所述基体之间；/n第6半导体层，设置在所述第4半导体层与所述第5半导体层之间；/n第2导电层，与所述第5半导体层电连接；/n半导体积层膜，至少一部分设置在所述第1半导体层与所述第4半导体层之间，在所述第1方向上与所述基体相隔开，包含：所述第1导电型的第7半导体层；所述第2导电型的第8半导体层，设置在所述第7半导体层与所述基体之间；以及第9半导体层，设置在所述第7半导体层与所述第8半导体层之间；且所述半导体积层膜的与所述第2方向交叉的2个侧面相对于所述第1方向倾斜；/n第3导电层，与所述第4半导体层电连接，且包含第1区域、第2区域及所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域；以及/n第1绝缘层，所述第1绝缘层的至少一部分设置在所述第3导电层与所述第5半导体层之间；且/n所述第1导电层的第4区域设置在所述第2半导体层与所述基体之间，/n所述第1导电层的第5区域设置在所述第1区域与所述基体之间，所述第5区域与所述第1区域电连接，/n所述第4半导体层的一部分设置在所述第2区域与所述第2导电层之间，/n所述半导体积层膜设置在所述第3区域与所述基体之间，/n所述半导体积层膜的沿着所述第1方向的厚度小于所述第2区域与所述第2导电层之间的沿着所述第1方向的距离。/n
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