[发明专利]一种用于MEMS器件隔振的双层隔振结构及制备方法有效
| 申请号： | 201810311807.5 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108609576B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 许高斌;杨海洋;马渊明;陈兴;徐枝蕃 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B1/00;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 34114 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 于俊 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于MEMS器件隔振的双层隔振结构及制备方法，该双层隔振结构自上而下依次包括：第一层隔振系统、第二层隔振系统、硅衬底；MEMS器件焊接于第一层隔振系统的上方；其中，第一层隔振系统包括连接框架、隔振平台以及若干隔振梁；第二层隔振系统包括若干隔振组件，每个隔振组件由依次连接的下焊盘、扭转梁与上焊盘构成。该双层隔振结构的制备方法包括：备片、第一次光刻、硅玻键合、第二次光刻、第三次光刻、金属溅射、通孔引线、第四次光刻、制作衬底绝缘层与金属层、瞬时液相扩散连接十个步骤。本发明通过设置双层隔振系统，弥补了被动补隔振中在高频振动时隔振性能不足的问题；该隔振结构简单无需附加电源，大大降低了器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 隔振系统 隔振 双层隔振 次光 第一层 制备 绝缘层 双层隔振系统 瞬时液相扩散 附加电源 高频振动 隔振结构 隔振平台 金属溅射 连接框架 依次连接 隔振梁 硅衬底 金属层 扭转梁 上焊盘 下焊盘 衬底 功耗 键合 通孔 焊接 制作 | ||
【主权项】：
1.一种用于MEMS器件隔振的双层隔振结构，其特征在于：自上而下依次包括第一层隔振系统、第二层隔振系统、硅衬底(101)；/n所述第一层隔振系统包括连接框架(301)、隔振平台(304)以及若干隔振梁(303)；所述连接框架(301)围在所述隔振平台(304)外，若干所述隔振梁(303)连接在所述连接框架(301)与所述隔振平台(304)之间；所述连接框架(301)靠近每个所述隔振梁(303)的位置均设有第一通孔(302)，所述第一通孔(302)内设有通孔引线；所述隔振梁(303)上表面设有绝缘层，所述隔振梁(303)上表面的绝缘层上设有金属引线；所述隔振梁(303)上表面的绝缘层上的金属引线与所述连接框架(301)的第一通孔(302)中的通孔引线相连；所述隔振平台(304)上表面的外围设置绝缘层，所述隔振平台(304)上表面外围的绝缘层上均匀设有八个金属焊点；所述八个金属焊点上均设有金属引线；所述隔振平台(304)上表面的金属焊点上的金属引线与隔振梁(303)上表面的绝缘层上的金属引线相连；所述MEMS器件(400)位于所述第一层隔振系统的上方，所述MEMS器件(400)与所述隔振平台(304)上的金属焊点焊接连接；/n所述第二层隔振系统包括若干隔振组件，每个隔振组件由依次连接的下焊盘(201)、扭转梁(202)与上焊盘(203)构成；所述扭转梁(202)、上焊盘(203)、下焊盘(201)的下表面均设置绝缘层，绝缘层表面均设有金属薄膜；所述上焊盘(203)与所述第一层隔振系统的连接框架(301)相键合；所述上焊盘(203)上设有第二通孔(204)，所述第二通孔(204)内设有通孔引线；所述上焊盘(203)通过所述第二通孔(204)中的通孔引线与所述连接框架(301)的第一通孔(302)中的通孔引线相连将所述第二层隔振系统与第一层隔振系统连接起来；/n所述硅衬底(101)的上表面设有绝缘层，所述硅衬底(101)上设置若干个凸台(102)，每个凸台(102)与第二层隔振系统的一个下焊盘(201)对应连接；所述凸台(102)的上表面延至所述硅衬底(101)的外端在所述绝缘层上均覆盖有金属薄膜；所述硅衬底(101)上表面的金属薄膜与外部电路连接。/n
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