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[发明专利]一种双圆极化波束独立可控的宽带磁电偶极子反射阵天线-CN202310736077.4在审
发明人：胡俊;王康阳;王浩;张仁德;汪涛;许高斌 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01Q9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种双圆极化波束独立可控的宽带磁电偶极子反射阵天线，涉及天线技术领域；该反射阵天线，包括平面反射阵和X波段宽带双圆极化平面馈源，X波段宽带双圆极化平面馈源放置于平面反射阵的焦平面处，且沿X轴旋转20°；平面反射阵包括X波段磁电偶极子反射单元，X波段磁电偶极子反射单元设有n×n个，X波段磁电偶极子反射单元呈n×n阵列排布组成平面反射阵，10≤n≤40；本发明通过传输相位与几何相位的协同控制，能够在X波段实现对双圆极化反射相位的独立调控，可以达到对相应波束指向的独立控制，该种反射阵天线具有波束可独立控制、高增益、宽带宽、结构简单等优势，在卫星通信等领域具有广阔的应用前景。
一种极化波束独立可控宽带磁电偶极子反射天线

[发明专利]一种用于飞机供氧检测的MEMS压阻式表压压力传感器及其制备方法-CN202310940729.6在审
发明人： 许高斌;高雅;马渊明;陈兴;冯建国;陈士荣;于永强;徐琛;张宇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体涉及一种用于飞机供氧检测的MEMS压阻式表压压力传感器及其制备方法。硅衬底的上层硅即参杂层和梁膜复合结构层设有米字梁结构，米字梁的相邻梁端点圆弧形连接；硅衬底的下层硅即空腔层的中部为镂空孔，且镂空孔的外轮廓和米字梁的外轮廓结构相同，传感器由传统方形膜片改进为弧形膜片结构，不改变整体器件尺寸的条件下增大膜片的有效受力面积；同时通过刻蚀减薄切除，将传统平膜结构变为米子梁‑薄膜复合结构，使得米字梁结构能增大膜片表面的局部刚度，有效控制膜片表面变形情况，使得在外加压力不变时，膜片的应变更小，保证本发明MEMS压阻式表压压力传感器的器件线性度的同时能进一步降低膜片厚度并集中应力。
一种用于飞机供氧检测 mems 压阻式表压压传感器及其制备方法

[发明专利]一种双圆极化双波束独立可控的可重构阵列天线-CN202310789793.9在审
发明人：胡俊;朱佳朋;章龙涛;吴子健;孟琪;许高斌 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01Q15/24 文献下载
摘要：本发明涉及天线技术技术领域，且公开了一种双圆极化双波束独立可控的可重构阵列天线，包括第一介质基片、第三介质基片、第四介质基片、八个单元天线、八个与单元天线一一对应的七端口可切换开关、八组与单元天线级联的可调相移网络，八个单元天线线性排列为一维线阵，且每个单元天线间距为0.57个波长，单元天线所产生的任意线极化波可以分解为两个幅度相等、旋向相反的圆极化波。该双圆极化双波束独立可控的可重构阵列天线，通过将阵列天线产生的线极化波分解为两个幅度相等、旋向相反的圆极化波，并实现两个波束指向的独立调控，不仅具有丰富的可重构功能，还具有较宽的综合轴比带宽、良好的圆极化性能、稳定的增益以及低剖面等优势。
一种极化波束独立可控可重构阵列天线

[发明专利]一种几何相位预置技术的极化和波束可重构贴片阵列天线-CN202310769196.X在审
发明人：胡俊;谢良康;章龙涛;董亚文;许高斌 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明涉及天线技术领域，且公开了一种几何相位预置技术的极化和波束可重构贴片阵列天线，包括八个单元天线、金属化通孔、截角矩形贴片、微带线层，微带线层包括了八个与单元天线一一对应的单刀四掷开关、八组与单元天线级联的可调相移网络以及一分八的等幅度等相位功率分配器；八个单元天线依次交错旋转90°组成一维线阵。该几何相位预置技术的极化和波束可重构贴片阵列天线，实现主极化和交叉极化的相位解耦，进而可以有效提升阵列波束的极化纯度和拓宽阵列的综合轴比带宽，具有稳定的增益、良好的圆极化性能、较宽的轴比带宽和丰富的可重构功能，在此阵列天线的基础上，可进一步拓展至二维阵列对阵列波束进行二维扫描。
一种几何相位预置技术极化波束可重构贴片阵列天线

[发明专利]一种用于激光雷达的双层梳齿驱动MEMS扫描镜及制备方法-CN202010737221.2有效
发明人： 许高斌;杜林云;花翔;马渊明;陈兴;于永强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明涉及微机电技术领域，具体涉及用于激光雷达的双层梳齿驱动MEMS扫描镜及制备方法。MEMS扫描镜包括透明的玻璃盖帽、旋转扫描镜本体和硅基底；旋转扫描镜本体包括包括方形的微镜、第一S型扭转梁、第二S型扭转梁、长方形的内层框架和长方形的外层框架；外层框架同轴套设在内层框架外，且内层框架的两端分别通过第一S型扭转梁连接着外层框架；微镜两端均依次通过直连接梁、第二S型扭转梁对应连接着内层框架，使得微镜活动安装在内层框架的中部；通过向梳齿电极层、上电极和下电极施加驱动电压，使得所述微镜可在活动腔内旋动。本发明的制备方法采用体硅加工工艺和基于SOI硅‑玻璃键合技术完成对MEMS扫描镜的制造与封装加工效率高、重复性较好。
一种用于激光雷达双层梳齿驱动 mems 扫描制备方法

[发明专利]一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法-CN202310112289.5在审
发明人： 许高斌;徐琛;马渊明;陈兴;陈士荣;冯建国;杨朝晖;张宇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体设计了一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法。以硅片作为硅衬底层，在硅衬底层上沉积锗牺牲层、低频氮化硅层、高频氮化硅层、铜金属导线，通过刻蚀锗牺牲层，释放低频氮化硅层、高频氮化硅层的层间内在应力，触发氮化硅应变层裹挟非晶丝自卷曲，实现二维到三维的过渡，自卷曲形成含有非晶丝和螺旋线圈的微纳米管，即GMI磁传感器。GMI磁传感器的内径为百微米级；同时本发明的GMI磁传感器，利用薄膜的自卷曲技术，降低了工艺难度，且绕线线圈通过薄膜自卷曲技术形成，不会因绕线导致非晶丝弯曲；因此本发明所的GMI磁传感器具有优越的结构性能，同时具有体积小的优点。
一种基于薄膜卷曲技术 gmi 传感器加工方法

[发明专利]一种宽带OAM模态和极化复合可重构阵列天线-CN202210956285.0在审
发明人：胡俊;方余龙;吴杰;冯建国;桑磊;许高斌 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本发明涉及天线技术领域，且公开了一种宽带OAM模态和极化复合可重构阵列天线，包括介质基片和四个单元天线，介质基片的上表面设有金属接地层，金属接地层上的四个单元天线组成2×2阵列，金属接地层上刻有十字型耦合缝隙，介质基片下表面设有微带线层，微带线层上设有直流偏置电路，介质基片通过微带线层连接有可重构平衡式馈电机构，可重构平衡式馈电机构用于对单元天线进行馈电。本阵列天线具有两种不同的极化特性：X‑线极化和Y‑线极化，同时对于每种极化状态均可实现三种不同的OAM模态的涡旋电磁波。
一种宽带 oam 极化复合可重构阵列天线

[发明专利]一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器-CN202010941530.1有效
发明人：于永强;夏宇;张浩;张涛;许高斌;陈士荣;马渊明 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底，单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在单晶硅衬底的下表面转移有一层石墨烯薄膜，形成硅‑石墨烯肖特基结；在石墨烯薄膜的下表面设置有量子点层。本发明的光电探测器具有自驱动、可见光盲、近红外窄带响应、响应速度快等优势，同时还具有兼容性强、稳定性高、易制备、成本低等优点。
一种滤光可见兼容红外光电探测器

[发明专利]一种硅基微腔窄带近红外光电探测器-CN202010941539.2有效
发明人：于永强;宋龙梅;夏宇;刘佳杨;许高斌;马渊明;陈士荣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基微腔窄带近红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底；单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在硅微孔阵列上设置有上绝缘层；在单晶硅衬底下表面转移有石墨烯薄膜，形成石墨烯‑硅肖特基异质结；在石墨烯薄膜下表面依次设置有下绝缘层和金属反射层。本发明所制备的探测器实现了可见光盲的窄带近红外响应，具有响应速度快、易集成等优势，同时还具有制备方法简单、成本低、稳定性高、兼容性强等优点。
一种硅基微腔窄带红外光电探测器

[发明专利]基于纳米压电梁的谐振式加速度传感器及其制备方法-CN202010699338.6有效
发明人： 许高斌;王亚洲;马渊明;陈兴;张文晋;于永强;陈士荣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本发明本发明属于微电子机械技术领域，具体涉及基于纳米压电梁的谐振式加速度传感器及其制备方法。包括基底、检测结构层和盖板；检测结构层以方形双抛硅片为基础制成，包括方形外框和位于外框中心的方形敏感质量块，敏感质量块x轴方向的两侧分别通过支撑梁和对应的外框内侧壁连接，敏感质量块的y轴方向的两侧分别通过双端音叉谐振器和对应的外框内侧壁接触，每个双端音叉谐振器包括一对氧化锌谐振梁；检测结构层的顶面和盖板的底面、检测结构层的底面和基底的顶面均通过键槽连接，使得基底、检测结构层和盖板形成内部封闭的加速度传感器。本发明加速度传感器的结构灵敏度高，实现抗过载能力强、谐振频率高、灵敏度高的指标。
基于纳米压电谐振加速度传感器及其制备方法

[发明专利]一种光学式MEMS加速度传感器及其制备方法-CN202011125893.4有效
发明人： 许高斌;花翔;杜林云;马渊明;陈兴 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01P15/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子机械系统的技术领域，具体涉及一种光学式MEMS加速度传感器及其制备方法。包括依次连接的光源发射层、敏感层和检测层；光源发射层的底面开设下凹槽，下凹槽的中间安装有圆形的半导体红外光源；敏感层包括方形外框和长方体形的敏感质量块，且敏感质量块通过S型支撑梁和方形外框连接；敏感质量块的中间开设有圆柱形的通孔，通孔的底部安装有第一DBR反射镜；检测层由方形的硅片为基础制成，上凹槽的槽底中间内嵌式安装有光电探测器，且上凹槽的槽底设有第二DBR反射镜；光源发射层、敏感层和检测层通过键合形成内部封闭的光学式MEMS加速度传感器。本发明的MEMS加速度传感器采用光学探测方式结合S型支撑梁的设计大大提高了测量的精度。
一种光学 mems 加速度传感器及其制备方法

[发明专利]一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法-CN202010996100.X有效
发明人： 许高斌;杨朝晖;陈士荣;陈兴;马渊明;王琪;李海生 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体涉及一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法。红外探测器由下至上依次包括衬底层、牺牲层、支撑层、圆形吸收区和热电堆；热电堆包括若干根热电偶，若干根热电偶依次电气串联，且中心对称均匀分布在圆形吸收区的四周，形成辐射状的热电堆，每根热电偶从下至上依次包括第二热电偶层、隔离层和第一热电偶层，热电堆通过水平的支撑层布设在牺牲层的上端，且圆形吸收区对应位于隔热空腔的上方，每根热电偶的一端和圆形吸收区连接，另一端位于隔热空腔上端口外侧对应的支撑层上。本发明通过热电偶的堆叠结构与热电堆的辐射分布，提高了传感器表面的利用率，同时也增强了冷端的热传导，因此提高了传感器的整体性能。
一种 mems 热电红外探测器制备方法

[发明专利]一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法-CN202010931651.8有效
发明人：于永强;徐艳;宋龙梅;夏宇;许高斌;马渊明;陈兴 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅兼容双极性异质结紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成一盲孔；在上层盲孔内沉积有二维2H‑MoSe2材料，在下层盲孔内沉积有二维1T‑WS2材料，两种材料与单晶硅衬底形成2H‑MoSe2/Si/1T‑WS2双极性异质结；上层二维2H‑MoSe2材料和下层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有在紫外和近红外双波段的窄带响应，且响应速度快、易集成。
一种兼容极性异质结紫外红外波段光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法-CN202010289646.1有效
发明人：于永强;毕然;程旭;徐艳;何圣楠;卢志坚;许高斌 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成有一盲孔；在两盲孔内皆沉积二维1T‑WS2材料，两层二维1T‑WS2材料与单晶硅衬底形成1T‑WS2/Si/1T‑WS2双极性异质结；上、下两层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有近红外窄带响应、响应速度快、易集成等优势，同时还具有制备方法简单、成本低、稳定性高、兼容性强等优点，将在研发低成本、高速、稳定、高集成度的窄带近红外探测器中具有广阔的应用前景。
一种硫化极性异质结窄带红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器闭环自激系统-CN201810112456.5有效
发明人： 许高斌;徐枝蕃;陈兴;马渊明;杨海洋 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器闭环自激系统，包括敏感结构、前级处理电路、锁相环和幅值调整器，敏感结构由激励元件、谐振器和拾振电阻组成，前级处理电路由仪表放大器、带通滤波器、移相器、波形变换器和分频器组成，拾振电阻输出的微弱信号经过仪表放大器放大，经过带通滤波器滤除杂波并修整波形，通过移相器对系统的相位进行调整，波形变换器作为模拟电路和数字电路的接口电路将正弦波改变成方波，再经过分频器将信号二分频作为锁相环的输入信号，锁相环的输出信号经过幅值调整器后作为激励元件的激励信号激励谐振器，实现传感器的闭环锁相。本发明提高了谐振频率测量精度和速度、扩大量程，并且改善了系统的动态特性。
静电激励检测谐振压力传感器闭环系统

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