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[发明专利]具有凝胶填充的微机电系统（MEMS）元件的机械应力去耦-CN201911319665.8有效
发明人： D·迈因霍尔德;F·布兰德尔;R·格林贝格尔;W·朗海因里希;S·卢贝;R·迈耶;B·温克勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
具有凝胶填充微机系统 mems 元件机械应力

[发明专利]一种MEMS过载传感器的外壳结构及组封方法-CN202311132686.5在审
发明人：方澍;黄艳辉;周铭;周建国 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS过载传感器的外壳结构及组封方法。其中，该外壳结构包括底座、盖板，所述盖板和底座通过焊接的方式进行封装；所述底座表面经过绝缘阳极氧化处理，盖板表面经过导电氧化处理。本发明提出的技术方案，通过对外壳材料的选取、结构的合理设计，材料表面处理、组封方法等技术手段，能够解决现有过载传感器存在的不足和适应过载传感器使用环境的不同要求。
一种 mems 过载传感器外壳结构方法

[发明专利]具有离轴防震的MEMS装置-CN201810139900.2有效
发明人：阿龙·A·盖斯贝格尔;李丰园 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种微机电系统(MEMS)装置，例如单轴加速度计，包括悬挂在基板上的可移动质量。所述可移动质量具有第一部分和第二部分。第一弹簧系统使所述可移动质量的所述第一部分与所述可移动质量的所述第二部分互连。第二弹簧系统使所述第一部分与锚定系统互连。所述第一弹簧系统实现所述可移动质量的所述第二部分响应于强加到所述可移动质量上的震动事件力而在与感测方向正交的第一方向上的移动，其中所述第一弹簧系统抑制所述可移动质量的所述第一部分响应于所述震动事件力而在所述第一方向上的移动。然而，所述第一和第二可移动质量响应于加速力而在所述感测方向上一起移动。
具有防震 mems 装置

[实用新型]一种半导体晶圆以及管芯-CN202320270733.1有效
发明人：季锋;夏姚忠;贾涛源;邹光祎 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体晶圆以及管芯，半导体晶圆包括多个管芯，每个管芯包括：第一腔体；功能单元，位于第一腔体内；电极结构，位于第一腔体外并且通过布线与功能单元连接；开口，暴露出电极结构；以及键合结构；其中，键合结构包括：第一部分，第一部分为环状结构，围绕功能单元，电极结构位于第一部分的外部；以及第二部分，位于第一部分外侧，与第一部分的外侧壁连接，第二部分在第一部分的至少一侧与相邻管芯的第二部分相连，第二部分和电极结构位于第一部分的不同侧。本申请中的键合结构包括第一部分以及第二部分，对功能单元进行保护，并且防止半导体晶圆内部的化学溶液残留。
一种半导体以及管芯

[发明专利]一种基于隔热真空腔的MEMS红外光源及其制备方法-CN202310880677.8在审
发明人：陶继方;冯宇彤 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于隔热真空腔的MEMS红外光源及其制备方法，红外光源包括红外光源主体和键合于其上方的硅帽，红外光源主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、电阻层和绝缘介质层；电阻层通过金属剥离工艺形成图形化的电阻结构；绝缘介质层为环形；电阻层的焊盘区域沉积有电极层；硅衬底上表面被刻蚀出隔热槽；硅帽键合于绝缘介质层的上方，硅帽与红外光源主体之间形成真空腔体，硅帽内表面沉积有增透膜。本发明所公开的红外光源及制备方法可以解决MEMS红外光源的传热问题，可以有效降低光源与空气之间热对流造成的热量损耗，提高光源的电光转换效率和热辐射，降低光源的功耗，提高在实际工作环境中的稳定性。
一种基于隔热空腔 mems 红外光源及其制备方法

[发明专利]用于制造用于微机械压力传感器的MEMS装置的方法-CN201880016812.1有效
发明人： T·克拉默;T·弗里德里希;A·丹嫩贝格;J·弗里茨 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造用于微机械压力传感器(200)的MEMS装置(100)的方法，具有以下步骤：‑提供具有硅衬底(11)和在该硅衬底中在传感器膜片(12)下面构造的第一腔(13)的MEMS晶片(10)；‑将层状的保护元件(20)施加在所述MEMS晶片(10)上；并且‑使传感器芯(12、13、13a)从背侧开始露出，其中，构造在所述传感器芯(12、13、13a)和所述硅衬底(11)的表面之间的第二腔(18)，其中，所述第二腔(18)借助于蚀刻过程构造，该蚀刻过程以限定改变的蚀刻参数实施；并且‑移除所述层状的保护元件(20)。
用于制造微机压力传感器 mems 装置方法

[发明专利]一种MEMS应力隔离封装结构及其制造方法-CN201911000389.9有效
发明人：陈李;宋凤民;贾青青;张志强;徐溢 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种MEMS应力隔离封装结构及制造方法，包括MEMS芯片、应力隔离结构、封装管壳及引线。所述应力隔离结构包括MEMS芯片基座、平面波纹结构、连接结构和支撑框架结构；MEMS芯片基座位于应力隔离结构中心位置；平面波纹结构上下表面均具有连续的V形槽，分布在MEMS芯片基座边缘到连接结构之间，其正面的V形槽和背面的V形槽呈嵌套式分布，构成平面波纹形状。所述连接结构与支撑框架连接；所述支撑框架与管壳之间通过粘胶粘接；所述MEMS芯片粘接在MEMS芯片基座上，MEMS芯片焊盘通过引线实现与管针的电气连接。本发明的应力隔离结构通用性好，可以适合多种MEMS芯片的应力隔离封装，其平面波纹结构，对热应力的吸收效果好，并且加工工艺简单，易于实现批量制造。
一种 mems 应力隔离封装结构及其制造方法

[发明专利]锚定构造-CN202310347018.8在审
发明人：李世伟;曾冠儒;王照勋 -专利权人：昇佳电子股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种锚定构造，可供应用于包含一盖体层、一元件层和一基板层的微机电系统元件，以提升微机电系统元件对于应力的耐受度。该锚定构造包含位于该元件层的一第一锚定部、一第二锚定部及一挠性件，该第一锚定部与该第二锚定部分别连接于该挠性件两侧。其中，该第一锚定部经由一第一接合部固定于该盖体层，该第二锚定部经由一第二接合部固定于该基板层。
锚定构造

[发明专利]一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法-CN202310886119.2在审
发明人：陶继方;冯宇彤 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法，该MEMS红外光源包括由下到上依次设置的硅衬底、第一氧化层、自加热层、第二氧化层、加热电阻层和电极层，加热电阻层通过金属剥离工艺形成图形化的电阻结构，电阻结构包括位于中心的加热区域和两端延伸的焊盘区域；电极层位于焊盘区域，硅衬底背面通过刻蚀形成贯穿硅衬底的背洞区域。本发明所公开的红外光源采用悬浮式自加热膜结构，悬浮结构能减少向硅衬底的热量传输，自加热层具有低传热速率的性能，实现发光薄膜背向红外辐射的自吸收、达到热量储存目的，从而可以有效降低红外光源器件的能量损耗，提高电光转化效率，显著提高MEMS光源的性能，降低MEMS光源的功耗。
一种加热 mems 红外光源及其制备方法

[发明专利]封装装置-CN202310619831.6在审
发明人：王志轩;张昊;张宁;李思聪;王佳鑫;叶乐 -专利权人：杭州微纳核芯电子科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种封装装置，封装装置包括壳体、电子元件及第一通道结构，其中：壳体具有装配腔；电子元件设置于装配腔内；第一通道结构设于壳体，第一通道结构的两端分别设有与装配腔及外界连通的第一开口及第二开口，第一通道结构的内径自第一开口向第二开口逐渐减小。装配腔内的热气流会自第一开口进入第一通道结构，根据伯努利效应，第一通道结构内靠近第一开口处的气体压强大于靠近第二开口处的气体压强，使得第一通道结构的气体会自动地从第一开口朝向第二开口流动，从而实现较好的散热效果。该封装装置的结构简单，只需在壳体上开设第一通道结构即可，不需要增加额外的耗材，生产加工成本较低。
封装装置

[发明专利]MEMS元件、光扫描装置、测距装置以及MEMS元件的制造方法-CN202180092973.0在审
发明人：白柳裕介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：作为MEMS元件的光扫描装置(1)具备：依次层叠的第一绝缘层(34)、第一半导体层(31)、第二绝缘层(32)以及第二半导体层(33)；第一杂质区域(16)，形成于第一绝缘层(34)与第一半导体层(31)的界面；第二杂质区域(17)，形成于第一半导体层(31)与第二绝缘层(32)的界面；以及第一布线部分(39A)及第二布线部分(39B)，在第一绝缘层(34)上隔开距离地配置。第一杂质区域(16)与第二杂质区域(17)在第一布线部分(39A)与第二布线部分(39B)之间电并联连接。
mems 元件扫描装置测距以及制造方法

[发明专利]一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法-CN202111000287.4有效
发明人：尹延昭;张鹏;孙权;于洋;周志炜;李修钰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种真空封装结构差压谐振压力敏感芯片探头及封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安在芯片粘接面上，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚通过电极键合引线连接；波纹膜片安在波纹膜片接触面上，压环压装在波纹膜片上，隔离介质填充在间隙、探头介质传递通道、波纹膜片和密封管座之间形成的密闭空腔内，硅谐振压力敏感芯片通过谐振层中的两个压力谐振器实现差压测量。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。
一种真空封装结构谐振压力敏感芯片探头方法

[发明专利]能抑制光噪声的微电极、采用其的电路及其制备方法-CN201711325611.3有效
发明人：裴为华;王飞;刘智多;邢潇;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种能抑制光噪声的微电极、采用其的电路及其制备方法。在以硅为支撑材料的微电极结构中，作为衬底的硅会因光照产生非平衡载流子，继而对其上层的电极信号造成扰动。将作为电极支撑的硅衬底通过掺杂、生长金属层并在其上的绝缘层上刻出通孔接地，可以大幅降低或消除硅衬底中光生载流子对上层神经电极的信号干扰，有效地解决了光对硅基微电极、特别是轻掺杂的硅衬底造成的噪声干扰。
抑制噪声微电极采用电路及其制备方法

[实用新型]一种压力传感器芯片-CN202321343308.7有效
发明人：官威;胡振朋;张作然 -专利权人：武汉中航传感技术有限责任公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请属于压力传感器技术领域，具体涉及一种压力传感器芯片，主要包括n型单晶硅衬底、二氧化硅氧化层、n型碳化硅敏感电阻、金属电极和金属导线。其中，二氧化硅氧化层位于衬底正面，n型碳化硅敏感电阻位于二氧化硅氧化层正面，金属电极和金属导线均位于所述二氧化硅氧化层正面，金属导线与n型碳化硅敏感电阻和金属电极电性连接。上述压力传感器芯片通过使用碳化硅作为敏感电阻，利用碳化硅压阻的优越性能，使得压力传感器芯片能够在高温、高辐射环境下稳定运行；同时，结合使用单晶硅衬底，单晶硅衬底的加工工艺更加成熟和简单，成本也低廉，适合大批量生产，解决了现有碳化硅压力传感器芯片制造成本高的问题。
一种压力传感器芯片

[实用新型]集成芯片-CN202320116869.7有效
发明人：毛威智;蔡尚颖;张贵松;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型的各种实施例是有关于一种集成芯片(IC)，所述集成芯片包括衬底。所述衬底上设置有多个粘合结构。所述粘合结构上设置有微机电系统(MEMS)结构。所述MEMS结构包括设置于空腔内的可移动器件。所述可移动器件与所述衬底之间设置有第一多个终止凸块。
集成芯片

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