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[发明专利]具有压电致动的膜微流体阀及其制造方法-CN202010289866.4有效
发明人： E·杜奇;L·巴尔多 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： F16K1/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有压电致动的膜微流体阀及其制造方法。微流体阀形成在主体中，该主体具有第一和第二表面；在主体中从第二表面延伸的入口通道；在主体中在相对于入口通道的横切方向上延伸的第一横切通道；以及在主体中从第一表面延伸的出口通道。入口通道、第一横切通道和出口通道形成流体路径。该微流体阀还具有：由主体形成、并且在横切通道之上延伸的阻塞部分；以及压电致动器，被耦合到阻塞部分并且被配置为将阻塞部分在阀的打开位置和阀的闭合位置移动，在阀的打开位置中阻塞部分不干扰流体路径，并且在阀的闭合位置中阻塞部分干扰且中断流体路径。
具有压电流体及其制造方法

[发明专利]改进温度校准的防水压力传感器装置及相应温度校准方法-CN202310174844.7在审
发明人： E·杜奇;F·丹尼尔;L·巴尔多;G·卡佩利;S·阿隆吉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01L19/00 文献下载
摘要：公开了改进温度校准的防水压力传感器装置及相应温度校准方法。一种压力传感器装置，具有：在半导体材料的第一管芯中制造的压力检测结构；封装件，被配置为以不可渗透的方式在内部容纳压力检测结构，所述封装件具有基座结构和本体结构，所述本体结构布置在所述基座结构上，具有与外部环境接触并在内部限定壳体腔的出入口，所述第一管芯布置在所述壳体腔中，在所述壳体腔中所述第一管芯被涂层材料覆盖。压力传感器装置还设置有加热结构，该加热结构容纳在壳体腔中并允许从封装件的内部加热压力检测结构。
改进温度校准防水压力传感器装置相应方法

[发明专利]用于确定大气压校准值的方法以及相关的电子设备-CN202310174017.8在审
发明人： E·杜奇;P·费德利;N·曼卡;S·阿多尔诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01L27/00 文献下载
摘要：公开了用于确定大气压校准值的方法以及相关的电子设备。用于确定第一大气压校准值和第二大气压校准值的方法，该方法由电子设备执行，该电子设备包括固定装置和分别包括第一可移动气压计和第二可移动气压计的第一可移动装置和第二可移动装置。该方法包括：确定可移动装置是否正由固定装置感应充电；如果是，则通过可移动气压计获取相应大气压测量值、以及电子设备的公共参考点的大气压参考值，可移动气压计处于相对于公共参考点的相应预定高度差处；根据大气压测量值和大气压参考值来计算相应的压力差；以及当可移动装置未被充电时，通过可移动气压计获取新的大气压测量值，并且根据新的大气压测量值和压力差来确定相应的大气压校准值。
用于确定大气压校准方法以及相关电子设备

[发明专利]用于检测异物的存在的封装压力传感器设备和对应方法-CN202310168836.1在审
发明人： D·朱斯蒂;E·杜奇 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01L19/14 文献下载
摘要：本公开涉及用于检测异物的存在的封装压力传感器设备和对应方法。一种压力传感器设备具有：压力检测结构，其被提供在半导体材料的第一裸片中；封装物，其被配置为在内部以不可渗透的方式容纳压力检测结构，该封装物具有基底结构和主体结构，主体结构布置在基底结构上，具有与外部环境接触的进入开口并且在内部限定壳体腔，覆盖有涂层材料的第一裸片被布置在该壳体腔中。在壳体腔中容纳超声型的压电换能结构，以便允许检测在涂层材料上方且在封装物内的异物。特别地，压电换能结构集成在第一裸片中，该第一裸片包括：第一部分，压力检测结构被集成在第一部分中；以及与第一部分分离且不同的第二部分，压电换能结构被集成在第二部分中。
用于检测异物存在封装压力传感器设备对应方法

[实用新型]集成热传感器及器件-CN202222503637.5有效
发明人： E·杜奇;M·E·卡斯塔尼亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：公开了集成热传感器及器件。具有限定内部空间的壳体的集成热传感器。支撑区域延伸穿过内部空间；多个热电偶元件由支撑区域承载并彼此电耦合。每个热电偶元件分别由第一热电活性材料和第二热电活性材料的第一热电活性区域和第二热电活性区域形成，第一热电活性材料具有第一塞贝克系数，第二热电活性材料具有除第一塞贝克系数之外的第二塞贝克系数。第一热电活性区域和第二热电活性区域中的至少一个是硅基材料。每个热电偶元件的第一热电活性区域和第二热电活性区域由相应的细长区域形成，细长区域从支撑区域并横向于支撑区域以相互距离延伸到壳体的内部空间中。本实用新型的技术提供了转换效率高的集成热传感器。
集成传感器器件

[发明专利]换能器模块、包括该模块的装置及制造该模块的方法-CN201710401428.0有效
发明人： E·杜奇;M·阿兹佩蒂亚尤尔奎亚;L·巴尔多 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请涉及换能器模块、包括该模块的装置及制造该模块的方法。制造换能器模块的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一MEMS换能器、具体是陀螺仪以及具有悬置薄膜的第二MEMS换能器、具体是加速度计；在所述衬底上形成导电层并且将所述导电层限定为同时提供电气地耦合到所述第一换能器的至少一个导电带以及所述第二MEMS换能器的所述薄膜。
换能器模块包括装置制造方法

[实用新型]半导体器件-CN202221603668.1有效
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;E·杜奇;I·瓦里斯科;F·德科利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：单片半导体本体，半导体本体包括：第一主面；第二主面，与第一主面相对；衬底，包括导电类型；第一导电区，从第一主面延伸到衬底中，第一导电区具有导电类型；掩埋腔，在第一导电区中；隔膜，在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，隔膜具有面向掩埋腔的掩埋面；隔膜绝缘层，在隔膜的掩埋面上延伸；以及绝缘材料的横向绝缘区，其在第一主表面和隔膜绝缘层之间、在掩埋腔上方沿封闭线延伸到半导体本体中，横向绝缘区横向界定隔膜并且与隔膜绝缘层接触。利用本公开的实施例的半导体器件是可靠的，可以以高产率生产并且具有降低的成本。
半导体器件

[发明专利]集成热传感器及其制造工艺-CN202211153035.X在审
发明人： E·杜奇;M·E·卡斯塔尼亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：公开了集成热传感器及其制造工艺。具有限定内部空间的壳体的集成热传感器。支撑区域延伸穿过内部空间；多个热电偶元件由支撑区域承载并彼此电耦合。每个热电偶元件分别由第一热电活性材料和第二热电活性材料的第一热电活性区域和第二热电活性区域形成，第一热电活性材料具有第一塞贝克系数，第二热电活性材料具有除第一塞贝克系数之外的第二塞贝克系数。第一热电活性区域和第二热电活性区域中的至少一个是硅基材料。每个热电偶元件的第一热电活性区域和第二热电活性区域由相应的细长区域形成，细长区域从支撑区域并横向于支撑区域以相互距离延伸到壳体的内部空间中。
集成传感器及其制造工艺

[发明专利]用于制造电容式压力传感器的方法和电容式压力传感器-CN202211041314.7在审
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;R·卡姆佩德利;L·拉玛格纳;E·杜奇;M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚;S·尼科利;M·C·图里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于制造微机电器件的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成不渗透HF的结晶氧化铝的第一保护层；在第一保护层上形成通过HF可去除的氧化硅的牺牲层；在牺牲层上形成结晶氧化铝的第二保护层；暴露牺牲层的牺牲部分；在牺牲部分上形成可渗透HF的多孔材料的第一膜层；通过第一膜层去除牺牲部分来形成腔体；以及通过在第一膜层上形成第二膜层来密封第一膜层的孔隙。
用于制造电容压力传感器方法

[实用新型]电容式压力传感器-CN202222277065.3有效
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;R·卡姆佩德利;L·拉玛格纳;E·杜奇;M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚;S·尼科利;M·C·图里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种微机电器件。该微机电器件包括：基板；在基板上的第一保护层，不渗透蚀刻化学溶液；在第一保护层上的能够通过蚀刻化学溶液被去除的材料的牺牲层；在牺牲层上的不渗透蚀刻化学溶液的第二保护层；可渗透蚀刻化学溶液的多孔材料的第一膜层；在第一膜层与第一保护层之间的腔体；以及在第一膜层上的第二膜层，被配置为密封第一膜层的孔隙。
电容压力传感器

[实用新型]按钮装置-CN202220565352.1有效
发明人： E·杜奇;G·加特瑞;C·瓦尔扎希纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本公开的各实施例总体上涉及按钮装置。一种按钮装置包括：固定支撑结构；被上述支撑结构横向包围并且被配置为在外力的作用下至少部分变形的可移动结构；以及不透水的保护帽。可移动结构包括活塞元件、其上布置有压电换能器的可变形元件、以及将活塞元件耦合到可变形元件的锚固件元件。当外力作用在活塞元件上时，锚固件元件将该力传递给可变形元件和压电换能器，从而感测该力的大小。本实用新型的实施例提供了对按钮装置的改进，例如该按钮装置可以不透水或不透其他液体，并具有减小的整体尺寸等。
按钮装置

[实用新型]微机电反射镜器件和光电系统-CN202221222220.5有效
发明人： N·博尼;G·门迪西诺;E·杜奇;R·卡尔米纳蒂;M·默利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及微机电反射镜器件和光电系统。一种微机电反射镜器件，包括半导体材料管芯，包括：固定结构，限定腔体；可倾斜结构，承载反射区域并且弹性地悬置在腔体上方，可倾斜结构具有在水平平面中的主延伸部；至少一个第一对驱动臂，被耦接至可倾斜结构并且承载相应的压电材料区域；弹性悬置元件，被配置为在旋转轴处将可倾斜结构弹性地耦接至固定结构；压阻传感器，被配置为提供指示可倾斜结构围绕旋转轴的旋转的检测信号；以及至少一个测试结构，被集成在管芯中。利用本公开的实施例，有利地允许利用压电致动和反射镜致动的压阻感测的优点，同时相对于已知解决方案具有改进的机械和电气性能。
微机反射器件光电系统

[发明专利]包括绝缘悬置隔膜的MEMS器件-CN202210731063.9在审
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;E·杜奇;I·瓦里斯科;F·德科利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及包括绝缘悬置隔膜的MEMS器件。在半导体本体中形成的MEMS器件，所述半导体本体是单片的并且具有第一和第二主表面。掩埋腔在第一主表面下方并与第一主表面相距一定距离地延伸到半导体本体中。隔膜在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，并且具有面向掩埋腔的掩埋面。隔膜绝缘层在隔膜的掩埋面上延伸，并且横向绝缘区在第一主表面和隔膜绝缘层之间在掩埋腔上方沿着封闭线延伸到半导体本体中。横向绝缘区横向界定隔膜，并与隔膜绝缘层一起形成隔膜绝缘区，该隔膜绝缘区界定隔膜并使其与晶片的其余部分电绝缘。
包括绝缘悬置隔膜 mems 器件

[发明专利]有自校准特性的压电致动和压阻感测的微机电反射镜器件-CN202210555109.6在审
发明人： N·博尼;G·门迪西诺;E·杜奇;R·卡尔米纳蒂;M·默利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及有自校准特性的压电致动和压阻感测的微机电反射镜器件。微机电反射镜器件在半导体材料管芯中具有：固定结构，限定腔体；可倾斜结构，承载弹性悬置在所述腔体上方的反射区域；至少一个第一对驱动臂，耦接至所述可倾斜结构并且承载相应的压电材料区域，所述压电材料区域可以被偏置以使其围绕至少一个旋转轴旋转；弹性悬置元件，将所述可倾斜结构弹性地耦接至所述固定结构，并且相对于离开所述水平平面的移动是刚性的并且对于扭转是屈服性的；以及压阻传感器，被配置为提供指示所述可倾斜结构的所述旋转的检测信号。至少一个测试结构被集成在所述管芯中，以提供指示所述压阻传感器的灵敏度变化的校准信号以校准所述检测信号。
校准特性压电压阻感测微机反射器件

[实用新型]辐射传感器以及电子设备-CN202122865595.5有效
发明人： M·韦亚纳;E·杜奇;M·E·卡斯塔尼亚 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及辐射传感器以及电子设备。一种辐射传感器，包括检测组件和斩波器组件，检测组件和斩波器组件机械地耦接以界定主腔；并且其中，斩波器组件包括：在主腔中延伸的悬置可移动结构；以及致动结构，致动结构电可控制以引起悬置可移动结构的位置变化。检测单元包括检测结构，检测结构面向主腔并且包括多个检测设备。悬置可移动结构包括导电材料制成的第一屏蔽件，第一屏蔽件屏蔽检测设备使其免受辐射，检测设备的屏蔽是悬置可移动结构的位置而变化。本公开的实施例有利地允许斩波器集成在光电设备中。
辐射传感器以及电子设备

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