[发明专利]在替代沟道FINFET中的子鳍状物侧壁钝化有效
| 申请号： | 201580080325.8 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107660311B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;Y·庞;A·S·默西;T·加尼;K·贾姆布纳坦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/775;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了通过使用子鳍状物钝化层来减少基于鳍状物的晶体管的截止状态泄漏的技术。在一些情况下，所述技术可以包括在体硅衬底中形成牺牲鳍状物以及沉积和平坦化浅沟槽隔离(STI)材料，去除并用替代材料(例如，SiGe或III‑V族材料)替代牺牲硅鳍状物，去除STI材料的至少部分以暴露出替代鳍状物的子鳍状物区域，向暴露出的子鳍状物应用钝化层/处理/剂，以及再沉积和平坦化附加的STI材料。然后可以执行标准晶体管形成工艺以完成晶体管器件。该技术总体上提供为基于STI的沟槽中生长的结构添加任意钝化层的能力。钝化层抑制子鳍状物源极‑漏极(和漏极‑源极)电流泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 替代 沟道 finfet 中的 子鳍状物 侧壁 钝化 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：衬底，所述衬底由衬底材料构成；晶体管沟道区，所述晶体管沟道区由不同于所述衬底材料的替代材料构成，所述沟道区位于所述衬底的部分上并且位于栅极下方，其中，所述沟道区包括具有与所述栅极接触的一个或多个侧面的第一部分以及具有不与所述栅极接触的一个或多个侧面的第二部分；以及由钝化材料构成并且位于所述沟道区的所述第二部分和浅沟槽隔离(STI)材料之间的层，其中，所述钝化材料不同于所述STI材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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