[发明专利]一种基于FinFET器件的存储单元有效
申请号: | 201610836679.7 | 申请日: | 2016-09-21 |
公开(公告)号: | CN106486156B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 邬杨波;张绪强;胡建平 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | G11C11/417 | 分类号: | G11C11/417 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 方小惠 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于FinFET器件的存储单元,包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管,第一FinFET管、第二FinFET管和第六FinFET管均为P型FinFET管,第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第七FinFET管均为N型FinFET管;第一FinFET管和第二FinFET管的鳍的数量均为2,第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管的鳍的数量均为1;优点是读操作和写操作分开,读写互不干扰,延时、功耗和功耗延时积均较小。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 finfet 器件 存储 单元 | ||
【主权项】:
1.一种基于FinFET器件的存储单元,其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管,所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管和所述的第六FinFET管均为P型FinFET管,所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管和所述的第七FinFET管均为N型FinFET管;所述的第一FinFET管和所述的第二FinFET管的鳍的数量均为2,所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第七FinFET管的鳍的数量均为1;所述的第一FinFET管的源极和所述的第二FinFET管的源极均接入电源,所述的第一FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的漏极、所述的第四FinFET管的前栅、所述的第五FinFET管的漏极和所述的第六FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的存储单元的输出端,所述的第一FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的漏极、所述的第三FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的漏极和所述的第七FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的存储单元的反相输出端,所述的第一FinFET管的背栅、所述的第五FinFET管的前栅和所述的第五FinFET管的背栅连接且其连接线为所述的存储单元的写字线;所述的第三FinFET管的背栅、所述的第六FinFET管的前栅和所述的第六FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的存储单元的写字线反向控制端;所述的第三FinFET管的源极、所述的第四FinFET管的源极、所述的第四FinFET管的背栅和所述的第七FinFET管的源极均接地,所述的第五FinFET管的源极和所述的第六FinFET管的源极连接且其连接线为所述的存储单元的写位线;所述的第七FinFET管的漏极为所述的存储单元的读位线;所述的第七FinFET管的背栅为所述的存储单元的读字线。
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- 基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元-201210048006.7
- 魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华 - 福州大学
- 2012-02-29 - 2012-07-11 - G11C11/417
- 本发明涉及一种基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元,其特征在于:包括一NMOS管、具有NDR特性的混合SET/CMOS电路NDR电路以及以SET/CMOS为基础的负微分电阻电路SET-MOS电路;该NDR电路和该SET-MOS电路串联,所述的NMOS管的漏极连接至该NDR电路和该SET-MOS电路之间。该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性,并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点,实现存储的功能。本发明采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOS静态存储单元极大的降低了电路的功耗,并提高了电路的集成度。
- 半导体器件-201110264387.8
- 山岡雅直;石橋孝一郎;松井重纯;長田健一 - 瑞萨电子株式会社
- 2002-10-22 - 2012-01-18 - G11C11/417
- 本发明涉及混合装配有逻辑电路和SRAM电路的系统LSI,特别是涉及减小漏电流,减小备用状态的功耗的半导体器件。在系统LSI中的逻辑电路上设置电源开关,在备用时,切断该开关以减小漏电流。同时,在SRAM电路中,控制衬底偏压以减小漏电流。
- 半导体存储装置-201080001799.6
- 蓝原智之;白滨政则;山上由展;车田希总;铃木利一 - 松下电器产业株式会社
- 2010-02-10 - 2011-05-11 - G11C11/417
- 本发明提供一种半导体存储装置,具备:被配置在字线与位线的交点的存储器单元(100)、与位线连接的预充电电路(101)、由写入控制信号控制的列选择电路(102)、和作为写入电路而设置的箝位电路(103A)。箝位电路(103A)具有:将被选择的位线的电位控制在第一电位(例如0V)的晶体管(QN17)、和将该被选择的位线的电位控制在比第一电位低的第二电位(例如负电位)的可变电容元件(C11)。由于采用了可变电容元件(C11),所以在电源电压变高的情况下,基于元件电容减少,来抑制从第一电位向第二电位的下降量。
- 专利分类