[发明专利]一种基于FinFET器件的脉冲型D触发器有效

专利信息
申请号: 201610256175.8 申请日: 2016-04-22
公开(公告)号: CN105958975B 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 胡建平;马天放;张绪强 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H03K3/3562 分类号: H03K3/3562
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 方小惠
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于FinFET器件的脉冲型D触发器,包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器和二输入或非门;第一FinFET管、第二FinFET管和第三FinFET管为P型FinFET管,第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管为N型FinFET管,第一FinFET管和第二FinFET管的鳍的个数为1,第三FinFET管的鳍的个数为3,第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管的鳍的个数为4;二输入或非门具有第一输入端、第二输入端和输出端;优点是种延时、功耗和功耗延时积均较小。
搜索关键词: 一种 基于 finfet 器件 脉冲 触发器
【主权项】:
1.一种基于FinFET器件的脉冲型D触发器,其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器和二输入或非门;所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管和所述的第三FinFET管为P型FinFET管,所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第七FinFET管为N型FinFET管,所述的第一FinFET管和所述的第二FinFET管的鳍的个数为1,所述的第三FinFET管的鳍的个数为3,所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管和所述的第七FinFET管的鳍的个数为4;所述的二输入或非门具有第一输入端、第二输入端和输出端;所述的第一FinFET管的源极、所述的第二FinFET管的源极和所述的第三FinFET管的源极均接入电源,所述的第一FinFET管的前栅、所述的第一FinFET管的背栅、所述的第四FinFET管的前栅、所述的第六FinFET管的前栅和所述的第一反相器的输入端连接且其连接端为所述的脉冲型D触发器的时钟信号端,所述的脉冲型D触发器的时钟信号端用于接入外部时钟信号,所述的第一反相器的输出端和所述的第二反相器的输入端连接,所述的第二反相器的输出端、所述的第四反相器的输入端和所述的二输入或非门的第一输入端连接,所述的第一FinFET管的漏极、所述的第四FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的漏极、所述的第三FinFET管的前栅和所述的第三FinFET管的背栅连接,所述的第二FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的背栅和所述的第三反相器的输入端连接且其连接端为所述的脉冲型D触发器的输入端,所述的第二FinFET管的背栅、所述的第四反相器的输出端、所述的第七FinFET管的前栅和所述的第七FinFET管的背栅连接,所述的第三FinFET管的漏极、所述的第六FinFET管的漏极、所述的第五反相器的输入端、所述的第六反相器的输出端和所述的二输入或非门的第二输入端连接且其连接端为所述的脉冲型D触发器的输出端,所述的第四FinFET管的源极和所述的第五FinFET管的漏极连接,所述的第五FinFET管的前栅、所述的第五FinFET管的背栅和所述的二输入或非门的输出端连接,所述的第五FinFET管的源极和所述的第七FinFET管的源极均接地,所述的第六FinFET管的背栅和所述的第三反相器的输出端连接,所述的第六FinFET管的源极和所述的第七FinFET管的漏极连接,所述的第五反相器的输出端和所述的第六反相器的输入端连接且其连接端为所述的脉冲型D触发器的反相输出端;所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第五FinFET管和所述的第七FinFET管为低阈值FinFET管,所述的第四FinFET管和所述的第六FinFET管为高阈值FinFET管。
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  • 2015-01-19 - 2016-08-31 - H03K3/3562
  • 本发明的系统和方法是针对一种三相非易失性触发器NVFF(500),其包含:主级,其由双巨自旋霍尔效应GSHE‑磁性隧道结MTJ结构(J1,J2)形成,其中第一GSHE‑MTJ(J1)和第二GSHE‑MTJ(J2)耦合在第一组合端子(A1,B2)与第二组合端子(B1,A2)之间;以及从级(Inv1,Inv2,EQ),其由与第二反相器交叉耦合的第一反相器形成。在写入阶段(Phi3=1)期间将第二数据值(d)写入到所述主级中的同一时钟循环的读取阶段(Phi2=1)期间从所述从级读出第一数据值(d)。所述三相NVFF包含三个控制信号(Phi 1,2,3),用于控制所述从级的初始化阶段(Phi1=1)、所述读取阶段(Phi2=1)和所述写入阶段(Phi3=1)。
  • 一种带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器-201521032305.7
  • 沈磊;翟江涛;李玮 - 武汉芯昌科技有限公司
  • 2015-12-14 - 2016-06-15 - H03K3/3562
  • 本实用新型公开了一种带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器及其电路实现形式,所述的带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器包括数据输入选择电路、主锁存电路和从锁存电路。本电路在数据选择信号的控制下可以实现对两路数据信号选通一路锁存并输出,同时具有置位和复位功能。相比于传统的单数据输入D触发器,本实用新型能有效节省MOS管的数量,从而减小了芯片面积、控制芯片的制造成本。
  • 一种复用两数据输入主从型D触发器-201521037534.8
  • 沈磊;吕锋;李玮 - 武汉芯昌科技有限公司
  • 2015-12-14 - 2016-05-04 - H03K3/3562
  • 本实用新型公开了一种复用两数据输入主从型D触发器,包括:数据输入选择电路、主锁存电路和从锁存电路。所述的数据输入选择电路由PMOS管第一PMOS管~第五PMOS管及第一NMOS管~第五NMOS管组成;所述的主锁存电路由第六PMOS管~第八PMOS管及第六NMOS管~第八NMOS管组成;所述的从锁存电路由第十PMOS管~第十二PMOS管及第十NMOS管~第十二NMOS管组成。本实用新型较少了寄生电容,增加了响应速度,版图也更小。
  • 一种带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器-201510921651.9
  • 沈磊;翟江涛;李玮 - 武汉芯昌科技有限公司
  • 2015-12-14 - 2016-03-30 - H03K3/3562
  • 本发明公开了一种带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器及其电路实现形式,所述的带置位和复位信号的复用两数据输入主从型D触发器包括数据输入选择电路、主锁存电路和从锁存电路。本电路在数据选择信号的控制下可以实现对两路数据信号选通一路锁存并输出,同时具有置位和复位功能。相比于传统的单数据输入D触发器,本发明能有效节省MOS管的数量,从而减小了芯片面积、控制芯片的制造成本。
  • 一种复用两数据输入主从型D触发器-201510926876.3
  • 沈磊;吕锋;李玮 - 武汉芯昌科技有限公司
  • 2015-12-14 - 2016-03-09 - H03K3/3562
  • 本发明公开了一种复用两数据输入主从型D触发器,包括:数据输入选择电路、主锁存电路和从锁存电路。所述的数据输入选择电路由PMOS管第一PMOS管~第五PMOS管及第一NMOS管~第五NMOS管组成;所述的主锁存电路由第六PMOS管~第八PMOS管及第六NMOS管~第八NMOS管组成;所述的从锁存电路由第十PMOS管~第十二PMOS管及第十NMOS管~第十二NMOS管组成。本发明较少了寄生电容,增加了响应速度,版图也更小。
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