[发明专利]高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺有效

专利信息
申请号: 201510669808.3 申请日: 2015-10-13
公开(公告)号: CN105226030B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 许为新;杨旭东;李东华;马捷 申请(专利权)人: 济南市半导体元件实验所
主分类号: H01L23/08 分类号: H01L23/08;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/872;H01L21/60
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 250014*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺,二极管封装结构包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线,所述外壳是陶瓷外壳,芯片焊接于陶瓷外壳的内底面,芯片的两侧各设有一导带,外壳两端的引线均焊接在导带上,其中一个导带上焊接有过渡片,过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接。所述封装工艺采用芯片真空焊接、键合丝超声键合等工艺,使该二极管强度高、漏电小、芯片工作温度低,可靠性好等优点。
搜索关键词: 高压 大功率 碳化硅 二极管 封装 结构 工艺
【主权项】:
1.一种高压大功率碳化硅二极管封装结构,包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线,其特征在于:所述外壳是陶瓷外壳,芯片焊接于陶瓷外壳的内底面,芯片的两侧各设有一导带,外壳两端的引线均焊接在导带上,其中一个导带上焊接有过渡片,过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接;所述导带印刷采用两次印刷工艺,第一次印刷银钯导体,第二次印刷纯银导体。
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  • 2015-12-05 - 2016-06-08 - H01L23/08
  • 本实用新型涉及一种可替换内置电极陶瓷外壳,包含有可以相互盖合在一起的陶瓷底座和上盖,所述陶瓷底座包含有阳极法兰、瓷环、阳极密封碗、门极引线管和内置阳极电极;所述阳极法兰同心焊接于瓷环的上端面,所述阳极密封碗同心焊接于瓷环的下端面,所述阳极法兰、瓷环和阳极密封碗自上至下叠合同心焊接,所述门极引线管穿接于瓷环的壳壁上,所述内置阳极电极置于阳极密封碗内;所述上盖包含有阴极密封碗和内置阴极电极,所述内置阴极电极置于阴极密封碗内。本实用新型既满足客户定制式要求,又能实现陶瓷外壳的规模化生产。
  • 基于高平整度基板的指纹识别芯片封装结构-201521097625.0
  • 王辉;王小龙;刘宇环 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2015-12-24 - 2016-06-08 - H01L23/08
  • 本实用新型公开了一种基于高平整度基板的指纹识别芯片封装结构,主要由基板、凸块、芯片和盖板组成。所述基板上有凹槽,芯片通过凸块和基板凹槽的底部连接,芯片和凸块在凹槽内,所述盖板覆盖基板和芯片上表面,所述基板材质为陶瓷或者硅。该实用新型通过采用陶瓷或者硅材质的基板,省去封装工艺中的塑封工序,减小盖板与芯片感应区之间的公差值,使得指纹识别灵敏度提高。
  • 用于混合集成电路的金属陶瓷封装外壳-201521049953.3
  • 杨旭东;李东华;相裕兵;伊新兵;刘贵庆 - 济南市半导体元件实验所
  • 2015-12-16 - 2016-04-27 - H01L23/08
  • 本实用新型公开了一种用于混合集成电路的金属陶瓷封装外壳,包括结构陶瓷、套设于结构陶瓷外侧的金属环框、盖于金属环框上端的盖板以及焊接于结构陶瓷底部的金属底板,结构陶瓷上开有n个连接孔,n为大于等于1的正整数,每个连接孔内嵌有1个接地柱,每个接地柱的上端连接1片打线片,每个接地柱的下端连接1根引线,金属底板的上端面焊接有钼片,金属底板、引线、结构陶瓷、金属环框和盖板形成用于保护电路的腔体。本实用新型满足混合集成电路对外壳的可靠性要求,满足混合集成电路电路对密封和高介质耐电压要求,且结构简单。
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