[发明专利]含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器有效
| 申请号： | 200580049218.5 | 申请日： | 2005-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101146742A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 神山达也;高松昇司 | 申请（专利权）人： | 揖斐电株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B01D39/20;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器，所述含碳化硅颗粒含有碳化硅，所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅，所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上。所述方法是使用所述含碳化硅颗粒制造碳化硅质烧结体的方法，所述碳化硅质烧结体是通过使用所述含碳化硅颗粒得到的，所述过滤器包含所述碳化硅质烧结体。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 颗粒 制造 烧结 方法 以及 过滤器 | ||
【主权项】：
1.一种含碳化硅颗粒，该颗粒含有碳化硅，其特征在于，所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅，所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上。
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