[发明专利]高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺

权利要求书

1.一种高压大功率碳化硅二极管封装结构，包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，其特征在于：所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，外壳两端的引线均焊接在导带上，其中一个导带上焊接有过渡片，过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接；所述导带印刷采用两次印刷工艺，第一次印刷银钯导体，第二次印刷纯银导体。

2.根据权利要求1所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构，其特征在于：所述导带为烧结在外壳底部的一层高电导率银浆料。

3.根据权利要求2所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构，其特征在于：芯片的两极之间填充高绝缘电阻灌封胶。

4.根据权利要求3所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构，其特征在于：所述引线为无氧铜引线，引线的末端为半圆弧形，引线末端通过银焊料焊接在导带上；所述键合丝为两根并联的纯铝丝。

5.根据权利要求4所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构，其特征在于：所述外壳的材料为滑石瓷。

6.一种权利要求5所述高压大功率碳化硅二极管封装结构的封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）外壳底板导带印刷；2）导带烧结；3）引线烧结；4）芯片、过渡片真空焊接；5）键合丝键合；6）灌装、封盖；所述导带印刷采用两次印刷工艺，第一次印刷银钯导体，第二次印刷纯银导体。

7.根据权利要求6所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构的封装工艺，其特征在于：芯片、过渡片真空焊接时在真空焊接炉进行，炉腔内充氮气进行保护，防止芯片背面银层、焊盘、焊片氧化，保证焊料熔化后与接触面润湿性良好；焊料熔化后抽真空，消除焊接空洞；冷却阶段控制冷却速率，避免焊料内部重新结晶成大的晶枝，使晶粒尽量细小，从而保证焊接强度。

8.根据权利要求7所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构的封装工艺，其特征在于：键合丝键合时采用超声键合工艺。

9.根据权利要求8所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构的封装工艺，其特征在于：灌装时采用真空灌封工艺，并且在灌封前对搅拌后的灌封胶进行真空脱气。