[发明专利]一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110366469.3 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103117298A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;郭丽伟;刘春俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法。该碳化硅的欧姆电极结构包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。本发明的碳化硅欧姆电极结构的接触电阻低且稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 欧姆 电极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅的欧姆电极结构，包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。
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- 本发明公开了一种接触孔，包括形成于硅衬底表面的层间膜，在层间膜中形成有层间膜被去除后形成的接触孔的开口。在接触孔的开口的侧面形成有金属钨侧墙，在接触孔的开口的底部的硅衬底表面形成有金属黏附层。在接触中的开口中填充有金属铝并组成接触孔。本发明还公开了一种接触孔的制造方法。本发明能提高接触孔的金属的填充性以及消除接触孔的金属和衬底硅互溶，提高产品质量。
- N型GaN极化掺杂欧姆接触电极-201720784788.9
- 房玉龙;宋旭波;冯志红 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2017-07-01 - 2018-01-30 - H01L29/45
- 本实用新型公开了一种N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，涉及N‑GaN欧姆接触电极技术领域，N型GaN极化掺杂欧姆接触电极，在N型GaN极化掺杂结构上是Si/Ti/Al/Ni/Au结构的电极，半导体工艺中金属都会进行高温退火处理，高温下Si扩散到N型GaN极化掺杂结构中，相当于增加了N型GaN表面掺杂的作用，从而改善欧姆接触电阻，降低N型GaN极化掺杂器件的电压，Ni/Au层Au起到抗氧化的作用，Al/Au之间的中间层则起到晶格过渡和防止Al层球化的作用。
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