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[发明专利]一种晶圆片制备方法及晶圆片-CN202311218969.1在审
发明人：宋嘉铭;侯汉成;刘坤明;茆同海 -专利权人：华通芯电（南昌）电子科技有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆片制备方法及晶圆片，方法包括提供一半成品晶圆片，将第一导电金属按第一预设形状形成为源极及漏极；将第二导电金属按第二预设形状形成为闸极；将氮化硅沉积在第一半成品晶圆片上，以在第一半成品晶圆片上形成电容绝缘层，将氮化钽或镍铬合金按第三预设形状形成薄层电阻；将第三导电金属按第四预设形状形成金属连线，以得到成品晶圆片。本发明通过第一预设形状的源极和漏极，第二预设形状的闸极，在半成品晶圆片上沉积氮化硅，第三预设形状的薄层电阻，第四预设形状的金属连线，本发明不仅不会影响原有工艺，而且还能有效避免沉积的氮化硅对晶圆片的弯曲度造成影响，进而能够有效降低因应力导致的晶圆片破片。
一种晶圆片制备方法

[发明专利]一种于晶圆上蒸镀金金属层的方法及电子设备-CN202311166912.1在审
发明人： 茆同海;侯汉成;刘坤明;宋嘉铭 -专利权人：华通芯电（南昌）电子科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种于晶圆上蒸镀金金属层的方法及电子设备，方法包括：于衬套内添加金料，并将添加金料后的衬套置于蒸镀机的坩埚内；对蒸镀机进行抽真空处理，以使蒸镀机内处于预设真空度的真空状态；通过预设功率对金料进行加热预融，金料形成金溶液，以使金料内的杂质悬浮于金溶液的表面；于静置时间后对蒸镀机进行破真空处理，将金溶液冷却为金块，以使杂质冷却为颗粒；于蒸镀机内取出衬套，对衬套进行清洗，以去除金块的表面的颗粒。通过上述方法，在后续的蒸镀过程中，极大的减少了晶圆表面的颗粒产生，有效的提高了成型产品的良率。
一种晶圆上蒸镀金金属方法电子设备

[发明专利]晶圆正面光罩及背面掩膜板布局校验方法及系统-CN202310761553.8有效
发明人：刘坤明;叶益修;侯汉成;宋嘉铭;茆同海 -专利权人：华通芯电（南昌）电子科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆正面光罩及背面掩膜板布局校验方法及系统，属于晶圆光刻制程领域；根据晶圆所需布设芯片区域绘制晶圆的正面光罩布局及背面掩膜板布局；基于正面光罩布局中的光刻图形采用步进曝光方式逐序针对晶圆正面进行重复光刻，以使晶圆被网格化划分为尺寸大小相同的若干子区域；基于背面掩膜板布局采用整面覆盖方式针对晶圆背面进行光刻；根据晶圆后续下线工序的制程设备在光刻后的晶圆背面定义对准区域；基于网格化的晶圆正面的光刻布局与背面掩膜板布局，背面曝光判断对准区域内是否晶圆正面存在至少两个PCM区；根据判断情况进行相应调整。通过本申请可针对晶圆正面光罩及背面掩膜板的设计布局一并校验。
正面背面掩膜板布局校验方法系统

[实用新型]一种化合物半导体器件的金属结构-CN201720772654.5有效
发明人：吕前宏;茆同海 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化合物半导体器件的金属结构，所述金属结构设于化合物半导体基底之上，包括下金属层、阻挡层以及上金属层，其中所述下金属层与所述化合物半导体基底接触，所述阻挡层覆盖所述下金属层的顶面和侧面并延伸至覆盖所述下金属层周边的所述化合物半导体基底表面，所述上金属层设置于所述阻挡层的顶面之上。本实用新型的金属结构有效避免了上金属层从边缘扩散进入化合物半导体基底而导致的漏电问题，提高了器件的可靠度。
一种化合物半导体器件金属结构