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[发明专利]钻石成膜用衬底基板、以及使用其的钻石基板的制造方法-CN201810104358.7有效
发明人：野口仁;牧野俊晴;小仓政彦;加藤宙光;川岛宏幸;山崎聪;德田规夫 -专利权人：信越化学工业株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人金泽大学
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。
钻石成膜用衬底以及使用制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202180024306.9在审
发明人：加藤宙光;小仓政彦;牧野俊晴;山崎聡;松本翼;德田规夫;猪熊孝夫 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人金泽大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种不具有漂移层的适于高耐压的新的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于具有：第1导电型的第1半导体层，形成为p型及n型中的任一导电型；源极部，以与所述第1半导体层相接的方式配置，且形成为所述导电型与所述第1导电型不同的第2导电型的半导体部；源极电极，与所述源极部欧姆接触而配置；栅极电极，介隔栅极绝缘膜而配置在所述第1半导体层的任一个面上，且利用施加电场能够在所述第1半导体层中与所述栅极绝缘膜的接触面附近的区域形成反转层；所述第1导电型的第2半导体层，以与所述反转层相接的方式配置；以及漏极电极，与所述反转层分开并且与所述第2半导体层肖特基接触而配置。
半导体装置

[发明专利]金刚石基板的制造方法-CN201710103267.7有效
发明人：野口仁;白井省三;牧野俊晴;小仓政彦;加藤宙光;川岛宏幸;桑原大辅;山崎聪;竹内大辅;徳田规夫;猪熊孝夫;松本翼 -专利权人：信越化学工业株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人金沢大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。
金刚石制造方法

[发明专利]金刚石基板的制造方法，金刚石基板以及金刚石自立基板-CN201710106146.8有效
发明人：野口仁;白井省三;牧野俊晴;小仓政彦;加藤宙光;川岛宏幸;桑原大辅;山崎聪;竹内大辅;徳田规夫;猪熊孝夫;松本翼 -专利权人：信越化学工业株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人金沢大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
金刚石制造方法以及自立

[发明专利]白色发光元件-CN201480015430.9有效
发明人：牧野俊晴;山崎聪;大串秀世;小仓政彦;加藤宙光;竹内大辅 -专利权人：独立行政法人产业技术总合研究所
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/34 文献下载
摘要：本发明提供一种白色发光元件，白色发光元件具备基体(101)；金刚石半导体层(105)，其配置在所述基体(101)上，并从该基体(101)侧依次层叠一个或者多个p型的α层(102)、p型或者n型的γ层(103)、一个或者多个n型的β层(104)而成；第一电极(106)，其配置于所述α层(102)，用于注入电流；第二电极(107)，其配置于所述β层(104)用于注入电流；荧光部件(108)，其将所述金刚石半导体层的表面的发光的输出区域覆盖。
白色发光元件

[发明专利]二极管装置-CN201510175983.7有效
发明人：谷本智;桐谷范彦;牧野俊晴;小仓政彦;德田规夫;加藤宙光;大串秀世;山崎聪 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：在接合元件中，通过在半导体层内形成耗尽层，在正向施加电压时存在于电极层的电子无法移动到半导体层。因此，半导体层的大多数空穴不会与半导体层内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层并到达电极层。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌、氮化铝、氮化硼等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使如硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、锗等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。
二极管装置

[发明专利]金刚石半导体装置及其制造方法-CN201380042569.8有效
发明人：加藤宙光;牧野俊晴;小仓政彦;竹内大辅;山崎聪;波多野睦子;岩崎孝之 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明提供一种能够大幅提高器件设计的自由度，并且能够有效制造的金刚石半导体装置及其制造方法。本发明的金刚石半导体装置具有金刚石衬底、在上述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上大致垂直地隆起配置的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域、金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成。
金刚石半导体装置及其制造方法

[发明专利]单晶金刚石的制造方法-CN201410478813.1在审
发明人：野口仁;竹内大辅;山崎聪;小仓政彦;加藤宙光;牧野俊晴;大串秀世 -专利权人：信越化学工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。
金刚石制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200980110742.7有效
发明人：谷本智;桐谷范彦;牧野俊晴;小仓政彦;德田规夫;加藤宙光;大串秀世;山崎聪 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在该接合元件(1)中，通过在半导体层(2)内形成耗尽层，在正向施加电压时，存在于电极层(4)的电子无法移动到半导体层(2)。因此，半导体层(3)的大多数空穴不会与半导体层(2)内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层(2)并且到达电极层(4)。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者其以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使是如硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。
半导体装置

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