[发明专利]非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性半导体装置和非易失性存储元件的制造方法有效
申请号: | 201080005463.7 | 申请日: | 2010-02-02 |
公开(公告)号: | CN102292814A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 藤井觉;有田浩二;三谷觉;三河巧 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的非易失性存储元件包括:第一电极(103);第二电极(105);和电阻变化层(104),其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间,电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化,该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成,并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0<x<2.5,当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x<y≤2.5,第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触,并且第二电极(105)由铂和钽构成。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 存储 元件 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储元件,其特征在于,包括:第一电极;第二电极;和电阻变化层,其位于所述第一电极和所述第二电极之间,电阻值根据施加在所述第一电极和所述第二电极之间的电信号可逆地变化,所述电阻变化层由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层和含有含氧率与所述第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层层叠构成,并且当将所述第一钽氧化物表示为TaOx时满足0<x<2.5,当将所述第二钽氧化物表示为TaOy时满足x<y≤2.5,所述第二电极与所述第二钽氧化物层接触,并且所述第二电极由铂和钽构成。
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- M·S·沙特洛娃;R·杰因;杨锦伟;A·杜博尔因斯基;M·舒尔;R·格斯卡 - 传感器电子技术股份有限公司
- 2014-10-21 - 2016-06-08 - H01L27/10
- 提供了一种用于电子或光电器件中的异质结构。异质结构包括一个或多个复合半导体层。该复合半导体层可以包括形貌变化的子层,其中至少一个子层可以由一组柱状结构(例如,纳米线)形成。复合半导体层中的另一个子层可以是多孔的、连续的或部分连续的。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的