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[发明专利]具有增强隧穿磁阻比的存储器单元、包括其的存储器设备和系统-CN201580084836.7有效
发明人： B·S·多伊尔;E·V·卡尔波夫;K·奥乌兹;K·P·奥布莱恩;C·C·郭;M·L·多齐;U·沙阿;王奕 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：公开了具有提高的隧穿磁阻比(TMR)的存储器单元。在一些实施方式中，这样的设备可以包括与隧穿磁阻在增强元件(TMRE)串联耦合的磁阻式隧道结(MTJ)元件。MTJ元件和TMRE中的每个可以配置成例如响应于电压而在高和低电阻状态之间转换。在一些实施方式中，MTJ和TMRE配置成使得当读取电压施加到单元同时MTJ处于其低电阻状态中时，TMRE被驱动到低电阻状态，以及当这样的电压被施加同时MTJ处于其高电阻状态中时，TMRE保持在其高电阻状态中。还公开了包括这样的存储器单元的设备和系统。
具有增强磁阻存储器单元包括设备系统

[发明专利]电阻式随机存取存储器单元中的氧化物存储器元件的稀土金属与金属氧化物电极接合-CN201480081407.X有效
发明人： P·马吉;E·V·卡尔波夫;N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;U·沙阿;B·S·多伊尔;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：薄膜电阻式存储器材料堆叠体包括在第一电极与薄膜存储器材料的界面处的高功函数金属氧化物、以及在第二电极与薄膜存储器材料的界面处的低功函数稀土金属中的至少一种。针对高导通/关断电流比，高功函数金属氧化物相对于存储器材料提供良好的肖特基势垒高度。金属氧化物与开关氧化物的相容性降低了氧/空穴的循环损失，以改善存储器器件的耐久性。低功函数稀土金属提供高氧溶解度以增强在沉积状态下在存储器材料内的空穴产生，以用于在提供与电阻式存储器材料的欧姆接触的同时实现低形成电压要求。
电阻随机存取存储器单元中的氧化物存储器元件稀土金属金属电极接合

[发明专利]可叠置薄膜存储器-CN201580080286.1有效
发明人： E·V·(I)·卡尔波夫;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;N·慕克吉;R·里奥斯;P·马吉;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;U·沙阿;G·杜威;M·拉多萨夫列维奇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：薄膜晶体管沉积在衬底之上的金属层的一部分之上。存储器元件被耦合到薄膜晶体管以提供第一存储器单元。第二存储器单元在第一存储器之上。逻辑块被耦合到至少第一存储器单元。
可叠置薄膜存储器

[发明专利]电阻随机存取存储器器件及其形成方法-CN201680030630.0有效
发明人： R·皮拉里塞泰;P·马吉;U·沙阿;N·慕克吉;E·卡尔波夫;B·多伊尔;R·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本公开内容提供用于形成电阻随机存取存储器(RRAM)器件的系统和方法。根据本公开内容的RRAM器件包括衬底和布置在其上的第一电极。RRAM器件包括布置在第一电极之上的第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的RRAM电介质层。RRAM电介质层具有在第二电极和RRAM电介质层之间的界面处的顶部中心部分处的凹槽。
电阻随机存取存储器器件及其形成方法

[发明专利]电阻式存储器单元及电阻式存储器单元的前体、制造其的方法和包括其的器件-CN201480083609.8有效
发明人： N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;P·马吉;U·沙阿;R·E·阿奇;M·库恩;J·S·布罗克曼;H·刘;E·V·卡尔波夫;K·奥乌兹;B·S·多伊尔;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：描述了电阻式存储器单元、其前体以及制造电阻式存储器单元的方法。在一些实施例中，电阻式存储器单元由包括切换层前体的电阻式存储器前体形成，切换层前体包含以受控分布存在于其中的多个氧空位，可选地不使用氧交换层。在这些或其它实施例中，所述的电阻式存储器前体可以包括形成在切换层前体上的第二电极，其中第二电极包括导电的但与氧基本上不发生反应的第二电极材料。还描述了包括电阻式存储器单元的器件。
电阻存储器单元制造方法包括器件

[发明专利]包括局部丝状沟道的电阻性存储器单元、包括其的器件、以及制造其的方法-CN201480083490.4有效
发明人： P·马吉;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;U·沙阿;E·V·卡尔波夫;B·S·多伊尔;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：描述了电阻性存储器单元。在一些实施例中，电阻性存储器单元包括切换层，该切换层具有内部区域，一个或多个丝状体形成在内部区域中。在一些实例中，丝状体仅形成在切换层的内部区域内。还描述了制造这样的电阻性存储器单元和器件的方法。
包括局部丝状沟道电阻存储器单元器件以及制造方法

[发明专利]用于形成非平面电阻式存储器单元的技术-CN201480076291.0有效
发明人： P·马吉;E·V·卡尔波夫;U·沙阿;N·慕克吉;C·C·郭;R·皮拉里塞泰;B·S·多伊尔;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了用于形成非平面电阻式存储器单元(例如，非平面电阻式随机存取存储器(ReRAM或RRAM)单元)的技术。对于给定的存储器单元空间，技术可以用于相对于平面电阻式存储器单元减小所涉及的形成电压要求和/或电阻(例如，在低电阻状态期间的电阻)。非平面电阻式存储器单元包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极与第二电极之间的开关层。在形成非平面电阻式存储器单元之后，第二电极可以实质上位于开关层的相对部分之间，并且第一电极可以实质上与开关层的至少两侧相邻。在一些情况下，氧交换层(OEL)可以设置在开关层与第一电极和第二电极中的一个电极之间，以用于例如增加将材料并入单元中的灵活性。
用于形成平面电阻存储器单元技术

[发明专利]用于嵌入式存储器和逻辑技术的垂直晶体管器件-CN201480047444.9有效
发明人： B·S·多伊尔;U·沙阿;R·科特利尔;C·C·郭 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：描述了垂直晶体管器件。例如，在一个实施例中，垂直晶体管器件包括设置在衬底上的外延源极半导体区、设置在所述源极半导体区上的外延沟道半导体区、设置在所述沟道半导体区上的外延漏极半导体区、以及包围所述半导体沟道区的侧壁的栅极电极区。所述半导体区中的至少一个半导体区的组分沿着相对于所述衬底的表面垂直的纵向轴而变化。
用于嵌入式存储器逻辑技术垂直晶体管器件

[发明专利]基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件-CN201480079273.8有效
发明人： E·V·卡尔波夫;P·马吉;R·皮拉里塞泰;B·S·多伊尔;N·慕克吉;U·沙阿;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：描述了基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件和制造基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件的方法。在第一示例中，三端子电阻式开关逻辑器件包括设置在衬底上方的活性区。活性区包括直接设置在金属源极区和金属漏极区之间的活性氧化物材料区。器件还包括设置在活性氧化物材料区上方的栅极电极。在第二示例中，三端子电阻式开关逻辑器件包括设置在衬底上方的活性区。活性区包括从第二氧化物材料区间隔开的第一活性氧化物材料区。器件还包括设置在第一和第二活性氧化物材料区的任一侧上的金属输入区。金属输出区设置在第一和第二活性氧化物材料区之间。
基于氧化物端子电阻开关逻辑器件

[发明专利]混合相场效应晶体管-CN201410505172.4有效
发明人： R·皮拉里塞泰;B·S·多伊尔;E·V·卡尔波夫;D·L·肯克;U·沙阿;C·C·郭;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明描述了混合相场效应晶体管。绝缘层沉积在晶体管结构之上。所述晶体管结构包括衬底上的器件层之上的栅极电极。所述晶体管结构包括在所述器件层上、所述栅极电极的相对侧的第一接触区和第二接触区。沟槽形成于所述第一接触区之上的第一绝缘层中。具有S形IV特性的金属‑绝缘体相变材料层沉积在所述沟槽中或沉积在所述源极侧上方的金属化层的过孔中。
晶体管结构接触区场效应晶体管栅极电极混合相器件层沉积绝缘层绝缘体绝缘层沉积相变材料层沟槽形成金属化层衬底源极金属

[发明专利]用于金属-导电氧化物-金属(MCOM)存储器元件的垂直交叉点嵌入式存储器架构-CN201380060858.0有效
发明人： E·V·卡尔波夫;B·S·多伊尔;U·沙阿;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明描述了用于金属‑导电氧化物‑金属(MCOM)存储器元件的垂直交叉点嵌入式存储器架构。例如，存储器阵列包括衬底。多条水平字线设置在所述衬底上方的平面中。多条垂直位线设置在所述衬底上方并且被插入有所述多条水平字线，以在所述多条水平字线中的水平字线与所述多条垂直位线中的垂直位线之间提供多个交叉点。多个存储器元件设置在所述衬底上方的所述平面中，一个存储器元件设置在所述交叉点的对应的字线与位线之间的每个交叉点处。
用于金属导电氧化物 mcom 存储器元件垂直交叉点嵌入式架构

[发明专利]自对准存储器阵列-CN201580082489.4在审
发明人： E·V·卡尔波夫;U·沙阿;R·皮拉里塞泰;B·S·多伊尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施例包括一种存储器阵列，该存储器阵列包括：存储器单元，其包括与存储器堆叠串联的开关堆叠；以及在存储器单元上方的位线和在存储器单元下方的字线；其中(a)开关堆叠的第一开关堆叠侧壁与位线的位线侧壁垂直对准，并且开关堆叠的第二开关堆叠侧壁与字线的字线侧壁垂直对准；(b)存储器堆叠的第一存储器堆叠侧壁与位线侧壁垂直对准，并且存储器堆叠的第二存储器堆叠侧壁与字线侧壁垂直对准。本文描述了其它实施例。
对准存储器阵列

[发明专利]具有轴向设计的半导体和栅极金属化的垂直纳米线晶体管-CN201380059720.9有效
发明人： B·S·多伊尔;R·科特利尔;U·沙阿;C·C·郭 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：垂直取向的纳米线晶体管包括半导体层或具有在所述晶体管的长度上变化的组分的栅极电极。在实施例中，晶体管沟道区的组分沿所述沟道的长度组分渐变或分层，以诱导应变，和/或包括高迁移率注入层。在实施例中，沉积包括多个栅极电极材料的栅极电极叠置体，以调制沿所述栅极长度的栅极电极功函数。
具有轴向设计半导体栅极金属化垂直纳米晶体管

[发明专利]用于减小磁存储器元件接触部的尺寸和中心定位的方法-CN201180075558.0有效
发明人： B·S·多伊尔;Y·J·李;C·C·郭;D·L·肯克;K·奥乌兹;R·G·莫亚拉德;U·沙阿 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种在磁存储器件的层上使接触部居中的方法。在一个实施例中，在包围上层的开口中形成间隔物，并在间隔物内形成接触部。间隔物由各向异性蚀刻的共形层形成，所述共形层沉积在上表面上并沉积到开口中。
用于减小磁存储器元件接触尺寸中心定位方法

[发明专利]具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件及其形成方法-CN201380060946.0有效
发明人： B·S·多伊尔;D·L·肯克;C·C·郭;U·沙阿;K·奥乌兹;M·L·多齐;S·苏里;C·韦布 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：描述了具有偏移单元的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和用于制造具有偏移单元的垂直STTM器件的方法。例如，自旋转移扭矩存储器(STTM)阵列包括设置于衬底上方并且只具有第一STTM器件的第一负载线。所述STTM阵列还包括设置于所述衬底上方、与所述第一负载线相邻并且只具有第二STTM器件的第二负载线，所述第二STTM器件与所述第一STTM器件非共面。
具有偏移单元垂直自旋转移扭矩存储器 sttm 器件及其形成方法

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