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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]堆叠电子装置及其制造方法-CN201510230562.X有效
发明人： 焦佑钧;詹东义;林晨曦;何家骅;詹孟璋;周信宏 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种堆叠电子装置及其制造方法，其中，堆叠电子装置的制造方法包括：进行一第一三维打印，以在一第一基底上形成一第一绝缘层以及多个第一重布线层；进行一第二三维打印，以于第一绝缘层上形成一第二基底以及电连接至第一重布线层的多个基底通孔电极；进行一第三三维打印，以于第二基底上形成一第二绝缘层以及电连接至基底通孔电极的多个第二重布线层；将一第三基底的多个接点接合至第二重布线层，使第三基底装设于第二绝缘层上。本发明也提供以上述方法制造的堆叠电子装置。本发明可以缩短基底通孔电极的制造时间，还可有效简化制造堆叠电子装置的工艺步骤及降低制造成本。
堆叠电子装置及其制造方法

[发明专利]堆叠封装装置及其制造方法-CN201510230568.7有效
发明人： 焦佑钧;詹东义;林晨曦;何家骅;詹孟璋;周信宏 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种堆叠封装装置及其制造方法，其中，堆叠封装装置的制造方法包括：将一第二基底贴附于一第一基底上，第一基底具有多个第一接垫，且第二基底具有多个第二接垫；进行一三维打印，以形成覆盖第一基底及第二基底的一封装层以及形成多条接线于封装层内，每一接线具有一第一部连接于第一接垫的其中一者。本发明也提供以上述方法制造的堆叠封装装置。本发明可有效缩短堆叠封装装置的制造时间，并能有效简化工艺步骤及降低制造成本。
堆叠封装装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201310218889.6有效
发明人： 焦佑钧;张文岳 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件，包括基底、绝缘层、DRAM电容器与RRAM存储单元。基底包括DRAM晶胞区与RRAM晶胞区。绝缘层位于基底上，在DRAM晶胞区上具有第一开口，且在RRAM晶胞区上具有第二开口。DRAM电容器位于绝缘层的第一开口中。RRAM存储单元位于绝缘层的第二开口中。DRAM电容器的第一电极的尺寸大于RRAM存储单元的第二电极的尺寸。RRAM与DRAM可以制作在同一个芯片上，且在芯片上的高度大致相同，不需要通过后续的金属内连线工艺再额外形成RRAM。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]电阻式存储器的写入方法与存储器模块-CN201110426379.9有效
发明人： 焦佑钧;詹东义;林晨曦;张文岳 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明的一实施例提供一种电阻式存储器的写入方法，包括：接收一第一数据，并选择用以储存该第一数据的一第一电阻式记忆胞；当该第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，输出一电压脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第一数据；当该第一数据的逻辑准位为一第二逻辑准位时，输出一电流脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第一数据。
电阻存储器写入方法模块

[发明专利]电阻式存储器-CN201210022360.2有效
发明人： 焦佑钧;詹东义;林晨曦;张文岳 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻式存储器，包括复数个记忆胞，其中每一记忆胞包括一第一存储元件以及一第二存储元件。第一存储元件耦接在一电源线与一位线之间，储存一第一数据。第二存储元件，耦接在该电源线与该位线之间，储存该第一数据。当该记忆胞被读取时，根据流经该第一存储元件的一第一电流与流经该第一存储元件的一第二电流产生的一读取电流与一参考电流判断该第一数据的一逻辑准位。
电阻存储器

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