“缪向水”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果473个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种选通管材料、选通管单元及其制备方法-CN202310928545.8在审
发明人：程晓敏;李凯;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域，选通管单元包括衬底以及依次堆叠于衬底上的第一电极层、选通管材料层和第二电极层；选通层材料为包括Si、Te及A的化合物，其中A为掺杂元素，且为C、N、O及P中的至少一种；选通管材料的化学通式为SixTeyA100‑x‑y，其中x、y为元素的原子百分比，且10≤x≤60，40≤y≤90，0＜100‑x‑y≤50。本发明提供的选通管材料组分简单、无毒，且易于制备，通过进一步元素掺杂可以减小漏电流和提高热稳定性。
一种选通管材料单元及其制备方法

[发明专利]一种基于硫系阈值转变器件的温度感知人工神经元系统-CN202310928562.1在审
发明人：程晓敏;李凯;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硫系阈值转变器件的温度感知人工神经元系统，属于人工神经形态技术领域，包括：电阻、硫系阈值转变器件和电容；硫系阈值转变器件用于在不同激励下实现高阻态和低阻态之间的切换；其中，基于硫系阈值转变器件的阈值电压随温度升高而减小，进而脉冲信号幅值减小且周期性振荡频率增大的特性，以阈值电压的变化作为响应，感知温度信号；激励输入端用于为电容提供激励，控制电容通过硫系阈值转变器件放电，或者控制电容通过电阻充电。本发明中的温度感知人工神经元系统能够将温度信号转换为脉冲信号，无需额外引入温度传感器，结构紧凑，电路结构简单，漏电流小，功耗低，有利于大规模集成。
一种基于阈值转变器件温度感知人工神经元系统

[发明专利]一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用-CN202311128089.5在审
发明人：程伟明;苏睿;张润青;肖睿子;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用，其制备步骤为：采用脉冲激光沉积法在衬底层表面沉积底电极层；在氧气气氛中进行原位退火处理，促使氧离子富集于所述底电极层表面；采用脉冲激光沉积法在所述底电极层表面沉积阻变层，使阻变层与底电极层之间自发扩散形成富氧缓冲层；进行光刻处理，并在光刻后的阻变层上制备顶电极层。通过对底电极层进行氧气预处理，促使在底电极层和阻变层之间形成富氧缓冲层，减缓了晶格失配效应，促使制备出具有垂直型类超晶格的拓扑相变忆阻器，其中类超晶格结构与施加电场方向保持一致，极大提高了氧离子迁移效率，减小了相应器件的操作电压，提高了器件的可靠性。
一种拓扑相变忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]选通管材料、选通管及其制备方法、存储器-CN202210300614.6在审
发明人：徐明;辜融川;缪向水;郭艳蓉;李响 -专利权人：华为技术有限公司;华中科技大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种选通管材料、选通管及其制备方法、存储器。其中，选通管材料的化学通式为GaxSeyM100‑x‑y，其中，M为掺杂材料，x、y为元素的原子百分比，且15≤x≤65，35≤y≤85，0≤100‑x‑y≤30。本申请实施例所提供的选通管材料具有开态电流较大、热稳定性较高、开关比较大、阈值电压较低的优势。
选通管材料及其制备方法存储器

[发明专利]非易失存储单元及其制备、控制方法、非易失存储系统-CN202310774492.9在审
发明人：童浩;温晋宇;王伦;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失存储单元及其制备、控制方法、非易失存储系统，属于存储技术领域，包括：由下至上依次层叠的第一金属电极层、第一电介质层、阈值开关层和第二金属电极层；其中，第一电介质层为上表面经过表面预处理后的电介质层，通过对第一电介质的上表面进行表面预处理，使得与电介质表面接触的阈值开关层表面具有更多的界面态，从而使得阈值开关层因上、下表面的较大界面态差异而在初始沉积状态即引入极性界面影响，进而使得阈值开关层在正负向电操作时的阈值态差异更显著；本发明大大提高了阈值增量，更适合用于大规模OTS‑only存储器阵列。
非易失存储单元及其制备控制方法存储系统

[发明专利]非易失存储单元及其操控方法、非易失存储系统-CN202310783555.7在审
发明人：童浩;温晋宇;王伦;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失存储单元及其操控方法、非易失存储系统，属于存储控制技术领域，非易失存储单元包括依次层叠的第一金属电极层、第一缓冲层、阈值开关层、第二缓冲层、第二金属电极层，第一缓冲层包含特定元素的单质或由多种特定元素组成的合金，特定元素为第Ⅲ族元素、第Ⅳ族元素中的任一种元素，第二缓冲层包含一种或多种电介质材料，阈值开关层为硫系半导体合金；非易失存储单元在施加正向电操作后具有较低的正向导通阈值电压Vth1、在施加负向电操作后具有较高的正向导通阈值电压Vth2，Vth1Vth2。通过引入不同材料的缓冲层，使阈值开关层的上下表面的表面态不同，从而增大在不同方向电操作下的阈值电压差异，提高大规模存储阵列的读取裕度。
非易失存储单元及其操控方法存储系统

[发明专利]选通管材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备-CN202210273413.1在审
发明人：童浩;王伦;缪向水;郭晨阳;朱晓明 -专利权人：华为技术有限公司;华中科技大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请公开了选通管材料、相变存储芯片、存储设备及电子设备，属于半导体存储技术领域。该选通管材料包括Te元素和掺杂元素，Te元素的原子百分含量大于或等于85％，余量为掺杂元素；掺杂元素被配置为使选通管材料保持Te元素的双向阈值开关特性，且掺杂元素的热稳定参数满足阈值条件，使得掺杂元素在Te元素的相变温度下保持稳定。将本公开实施例提供的上述富Te元素的选通管材料用于选通管单元时，选通管单元至少具有以下优点：循环寿命长、关态漏电流低、开态电流高、开启速度快、无安全隐患。
选通管材料相变存储芯片设备电子设备

[发明专利]一种优化SMART信息位的固态硬盘分层测试方法、装置及介质-CN202310420357.4在审
发明人： 缪向水;王闯;王子龙;李晨光 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化SMART信息位的固态硬盘分层测试方法、装置及介质，涉及数据存储的技术领域，所述方法包括在业务层检测测试中所述固态硬盘的运行情况，收集事件信息，记录测试中测试系统的蓝屏信息；在驱动层提取测试中测试系统的性能信息，结合性能信息、所述事件信息和所述蓝屏信息解码故障；对测试前后的固态硬盘的SMART信息进行对比，结合解码出的故障，生成故障诊断报告。故障诊断报告记载固态硬盘故障时，三个层级的故障体现，使得固态硬盘测试不再只停留在硬盘本身，而拓展为对业务层、驱动层和设备层整个系统的测试，使得测试方面和角度更全面。同时，可以通过对比设备层SMART信息与其他层级的报错信息，发现SMART信息的不足。
一种优化 smart 信息固态硬盘分层测试方法装置介质

[发明专利]一种基于第一性原理的含Te相变材料的掺杂元素筛选方法-CN202310689131.4在审
发明人：程晓敏;赵鹏;曾运韬;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于第一性原理的含Te相变材料的掺杂元素筛选方法，属于相变存储技术领域。本发明采用第一性原理计算，在原子尺度上，从不同角度分析基于元素掺杂含Te相变材料的非晶态模型局部结构和成键性质，实现对不同的掺杂元素及掺杂成分的筛选与优化，从微观层面获得元素掺杂综合提升含Te相变材料的结晶速度、非晶热稳定性和可靠性的物理机理；通过非晶化稳定性提高、结晶速度提升、循环特性提高三个优化目标，每个优化目标综合多个指标对比分析，实现对不同的掺杂元素及掺杂浓度的筛选与优化，为元素掺杂含Te相变材料及器件的研究提供指导方向，从而大大减小实验成本，缩短材料及器件的研制周期，提高研发效率。
一种基于第一性原理 te 相变材料掺杂元素筛选方法

[发明专利]一种存储器疲劳特性测量方法、系统及电子设备-CN202310709960.4在审
发明人：何强;蒋靖;王曦;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器疲劳特性测量方法、系统及电子设备，包括：根据疲劳特性测量需求向存储器循环提供相应的输入信号；根据预设的测量模式，确定各个采样点对应的循环次数，并在对应循环次数下测量存储器的输出信号；判断各采样点存储器的输出信号是否在预设范围内，若在预设范围内，则将原输入信号继续循环输入；若不在，则调整输入信号的参数，在下一次循环时判断输出信号是否在预设范围内，若在预设范围内，则按照调整参数的输入信号继续进行循环，若不在，则继续调整输入信号参数，在重复预设次数的输入信号参数调整下，若输出信号仍不在预设范围内，则中止疲劳特性测量。本发明能够实现多样化测量，且避免对存储器不必要的磨损。
一种存储器疲劳特性测量方法系统电子设备

[发明专利]一种分光比可调且状态非易失的光分路器-CN202310599240.7在审
发明人：何强;张绪超;曾文捷;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种分光比可调且状态非易失的光分路器，该光分路器包括第一多模干涉耦合器和第二多模干涉耦合器，第一多模干涉耦合器的两输出端口对应与第二多模干涉耦合器的两输入端口之间均通过一波导部件相连；其中，波导部件由两弯曲波导及连接设置在两弯曲波导之间的调相直波导组成，其中一波导部件中的调相直波导上整体覆盖一层相变材料，另一波导部件中的调相直波导上覆盖多段可独立调节晶化状态的相变材料，光分路器的分光比通过调整另一波导部件中的调相直波导上晶化相变材料的长度，改变传输光的相位实现。本发明提供的光分路器具有分光比可调、损耗小以及非易失的特点。
一种分光可调状态非易失分路

[发明专利]一种基于TaOx-CN202310688969.1在审
发明人：程晓敏;曹丽娟;罗云皓;李家琪;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于TaOx的电子型人工树突器件及其制备方法，器件包括由下而上依次叠设的衬底、第一金属层、功能层以及第二金属层；功能层采用TaOx材料；x小于2.5，以使得功能层存在氧空位形成陷阱能级；第一金属层的功函数高于第二金属层的功函数；第二金属层被施加电压时，由第二金属层向功能层跃迁的电子被陷阱能级俘获，器件由低阻态变为高阻态；电压被移除时，功能层俘获的电子被释放到第一金属层，器件自发回到高阻态。本发明提供的器件具有易失性，且能够模仿生物树突来实现对其他神经元传递来的电信号的非线性整合，可以整合时空信息，并过滤掉无关紧要的背景信息，增强人工神经网络对信息的处理能力，降低人工神经网络的功耗。
一种基于 tao base sub

[发明专利]单质M元素掺杂的高可靠相变材料、存储器及其制备方法-CN202310689646.4在审
发明人：程晓敏;赵鹏;曾运韬;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开单质M元素掺杂的高可靠相变材料、存储器及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述相变材料包括：母体材料和掺杂元素，所述掺杂元素为单质M元素，所述M元素为Rb、Sr或者La。本发明提出的三种单质M元素，不仅能提升相变材料非晶热稳定性，还能加速晶化过程，提升SET速度，同时减少相变材料层在相变前后的体积变化，抑制器件内的电迁移，从而实现高速、高稳定、高循环特性的综合性能。
单质元素掺杂可靠相变材料存储器及其制备方法

[发明专利]一种用于湿法蚀刻相变材料的碱性蚀刻液及其应用-CN202210387167.2有效
发明人：童浩;彭忻怡;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明属于微电子工艺领域，具体涉及一种用于湿法蚀刻相变材料的碱性蚀刻液及其应用，碱性蚀刻液质量百分组成为：10～30％的碱性溶液，0～5％的氧化剂，余量为去离子水；其中碱性溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或TMAH溶液。本发明所提蚀刻液能够应对现在干法刻蚀过程中卤素气体对相变材料组分造成改变影响器件性能的问题，同时本配方的刻蚀溶液相较酸性刻蚀溶液所存在的刻蚀速率较快不够稳定且表面较为粗糙的问题，能得到表面粗糙度较低的刻蚀表面。将上述碱性蚀刻液应用于功能器件单元制备，利用碱性溶液的上述刻蚀效果以及金属上电极耐碱性溶液刻蚀可做硬掩模的性质，避免传统刻蚀工艺中刻蚀气体使材料表面卤化而影响器件性能的问题并降低工艺成本。
一种用于湿法蚀刻相变材料碱性及其应用

[发明专利]一种相变材料及基于其的相变存储器和制备方法-CN202310750409.4在审
发明人：程晓敏;靳杰;曾运韬;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变材料及基于其的相变存储器和制备方法，属于微纳米电子中的存储器技术领域，相变材料为Inx(Sb‑Te)1‑x，2％x40％，采用磁控溅射法、电子束蒸发法、化学气相沉积法或原子层沉积法制备；相变存储器包括底电极、绝缘层、相变材料功能层和上电极。本发明与Sb‑Te体系材料相比，该相变材料的结晶温度明显提高，结晶温度随着In元素含量的增加而升高，材料非晶热稳定性得到有效提升。将该材料应用于相变存储器，在提升非晶热稳定性的同时，进一步提升SET速度，降低器件写入时延，并且相变存储器件具有优异的循环特性。
一种相变材料基于存储器制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 473 条