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[发明专利]绝缘膜的成膜方法、绝缘膜的成膜装置及基板处理系统-CN201880025732.2有效
发明人：村松诚;斋藤祐介;源岛久志;藤井宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。
绝缘方法装置处理系统

[发明专利]预测方法和信息处理装置-CN202310220734.X在审
发明人：八重樫圭太;高良穣二;铃木贵幸;竹田谅平;藤堂飒哉;斋藤祐介;斋野高遥 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种预测方法和信息处理装置，预测等离子体蚀刻处理的处理结果。预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。
预测方法信息处理装置

[发明专利]使用微泡的反应装置和反应方法-CN201980058521.3有效
发明人：水上友人;斋藤祐介;间濑畅之 -专利权人：株式会社科特拉;国立大学法人静冈大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本发明的反应装置(100)是用于使经微泡化的气相反应体与液相反应体进行反应的反应装置，其包含：具有多个流路、且所述流路被多孔壁隔开的多孔质体(10)，所述多孔壁具有连续气孔，在所述多孔质体的至少表面具有反应催化剂；用于向所述多孔质体的连续气孔供给包含气相反应体和液相反应体的溶液的溶液供给部(1)；以及用于排出包含反应物的溶液的溶液排出部(2)，所述包含反应物的溶液是从所述多孔质体的连续气孔流过而得到的。
使用反应装置方法

[发明专利]蜂窝基材保持器-CN202180061213.3在审
发明人：小坂民生;水上友人;斋藤祐介 -专利权人：株式会社科特拉
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J35/04 文献下载
摘要：一种蜂窝基材保持器，是用于保持蜂窝基材的蜂窝基材保持器，其具有：能够弹性变形的筒状内周壁(10)、与筒状内周壁(10)隔着筒状间隙(20)配置在筒状内周壁(10)的外侧的筒状外周壁(30)、以及与筒状内周壁(10)和筒状外周壁(30)一起密封筒状间隙(20)的2个端面(41、42)，能够使蜂窝基材沿筒状内周壁(10)的轴向插入，能够使流体在筒状间隙(20)内流通或保持，能够通过对筒状间隙(20)内的流体进行加压而使筒状内周壁(10)弹性变形，将其按压到蜂窝基材的外周面上。
蜂窝基材保持

[发明专利]微泡产生装置和微泡产生方法-CN201980058495.4有效
发明人：水上友人;斋藤祐介;间濑畅之 -专利权人：株式会社科特拉;国立大学法人静冈大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B01F25/452 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够以简单结构产生微泡的微泡的制造装置。本发明的微泡产生装置(100)包含：具有连续气孔的多孔质体(10)、向所述多孔质体(10)供给液体并使所述液体流过所述连续气孔的液体供给部(1)、以及使从所述连续气孔流过后的液体排出的液体排出部(2)。
产生装置方法

[发明专利]基片处理方法和基片处理系统-CN202180013830.6在审
发明人： 斋藤祐介;村松诚;藤井宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的对基片进行处理的基片处理方法包括：将包含有机金属配合物、溶剂和添加物的涂敷液涂敷于基片，形成上述涂敷液的液膜的步骤；对形成有上述涂敷液的液膜的基片进行加热，形成含有机成分的金属氧化膜的步骤，其中，上述含有机成分的金属氧化膜是包含上述添加物中所含的有机成分的金属氧化膜；将上述含有机成分的金属氧化膜作为掩模进行干蚀刻的步骤；在上述干蚀刻后，将上述含有机成分的金属氧化膜中的上述有机成分除去的步骤；和将从上述含有机成分的金属氧化膜中除去了上述有机成分的膜通过湿蚀刻除去的步骤。
处理方法系统

[发明专利]边缘环和蚀刻装置-CN202110743919.X在审
发明人：石田寿文;斋藤祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供边缘环和蚀刻装置。提供能够抑制边缘环的内周部的消耗的边缘环。一种边缘环，其围绕在被等离子体处理腔室内的基板支承部支承着的被蚀刻物的外周，其中，所述边缘环具有自外周部朝向内周部去而变低的倾斜面，将位于所述倾斜面上的比距离所述边缘环的最内周和最外周为等距离的中间线靠内周部的地点Xa处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T1，将位于所述倾斜面上的比所述中间线靠外周的地点Xb处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T2，将所述地点Xa处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T3，将所述地点Xb处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T4，此时，满足T2/T1＞T4/T3的关系。
边缘蚀刻装置

[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和程序-CN201811183235.3有效
发明人： 斋藤祐介;大岩德久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和聚焦环的升降控制程序。第一载置台(2)用于载置作为等离子体处理对象的晶片(W)。升降机构(120)使载置于晶片(W)周围的聚焦环(5)升降。获取部获取通过测定晶片(W)的状态而得的状态信息。计算部基于获取的状态信息所表示的晶片(W)的状态，计算使晶片(W)的上表面与聚焦环(5)的上表面的位置关系成为预先设定的距离间隔的聚焦环(5)的高度。升降控制部控制升降机构(120)，使聚焦环5成为计算出的高度。由此，能够抑制对被处理体进行等离子体处理的均匀性降低。
等离子体处理装置聚焦升降控制方法程序

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻处理装置-CN201810959062.3在审
发明人： 斋藤祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种在维持规定的蚀刻特性的同时抑制电弧放电的蚀刻方法和蚀刻处理装置。所述蚀刻方法向处理容器内供给气体、第一频率的高频电力以及比该第一频率低的第二频率的高频电力，来对形成于为浮动电位的电极层的上层的含硅膜进行蚀刻，所述蚀刻方法包括以下工序：当蚀刻所述含硅膜而得到的图案的底部距所述电极层的距离为规定的距离以下时，供给连续波形的所述第一频率的高频电力和占空比为20％以下的脉冲波形的所述第二频率的高频电力，来对所述含硅膜进行蚀刻。
蚀刻方法处理装置

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体控制方法和存储介质-CN201910275975.8在审
发明人： 斋藤祐介;大岩德久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体控制方法和存储介质。该等离子体处理装置获取计测晶片(W)的状态而得的状态信息，根据由状态信息表示的晶片(W)的状态，控制等离子体处理，以使在晶片(W)的上部形成的等离子体鞘的界面的高度与在聚焦环(5)的上部形成的等离子体鞘的界面的高度之差在规定范围内。由此，能够对每个被处理体抑制蚀刻特性上的偏差。
等离子体处理装置等离子体控制等离子体鞘存储介质晶片等离子体处理被处理体计测晶片蚀刻特性聚焦环

[发明专利]多层膜的蚀刻方法-CN201510484931.8有效
发明人： 斋藤祐介;石田竜宇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]在多层膜的蚀刻中，可以抑制掩模开口的闭塞且提高形成于多层膜的空间的垂直性。[解决手段]多层膜包含交替层叠的第1膜和第2膜且第1膜和第2膜具有相互不同的介电常数。多层膜的蚀刻方法包括以下工序：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，所述被处理体具有多层膜和设置于该多层膜上的掩模；以及(b)对多层膜进行蚀刻的工序，并且在该工序中使含有氢气、氢氟烃气体、含氟气体、烃气体、三氯化硼气体和氮气的处理气体在所述处理容器内激发。
多层蚀刻方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201510542329.5有效
发明人： 斋藤祐介;长友优;菱沼隼;髙山航;冨永翔;金子雄基 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。
蚀刻方法

[发明专利]多层膜的蚀刻方法-CN201510484856.5有效
发明人：石田竜宇;斋藤祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]要求对形成于多层膜的空间的垂直性在被处理体的一部分区域中的劣化进行抑制。[解决手段]多层膜的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器内使等离子体产生，对多层膜进行蚀刻的工序。在该工序中，由用于向被处理体的中央区域供给气体的第1供给部和用于向该中央区域的外侧的区域供给气体的第2供给部，供给含有氢气、溴化氢气体、含氟气体、烃气体、氢氟烃气体和全氟烃气体的第1处理气体，由第1供给部和第2供给部中的一者，进一步供给包含烃气体和全氟烃气体的第2处理气体，并使第1处理气体和第2处理气体激发。
多层蚀刻方法

[发明专利]等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法-CN201210072681.3有效
发明人：久保田和宏;斋藤祐介;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。
等离子体蚀刻装置方法

[发明专利]电子束处理方法及电子束处理装置-CN200410030916.8无效
发明人：光冈一行;本多稔;康松润;斋藤祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种电子束处理方法，它是使用电子束来处理形成在晶片表面上的SOD膜的方法，其中，经由甲烷气体将电子束照射在SOD膜上。在专利文献1、2中提出的固化方法的情况下，都可以利用电子束使有机材料膜的表面层部固化来改善机械强度，但会使有机材料膜的k值恶化，并且构成有机材料的甲基分解，导致湿洗净时的耐药品性降低。
电子束处理方法装置

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