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[发明专利]用于LED外延制程的石墨承载盘及其配套衬底-CN201410005715.6有效
发明人：吴岳;南琦;傅华;蔡金;王辉;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供了用于LED外延片制程的石墨承载盘及配套的衬底，承载盘包括承载盘本体，所述本体上均布有晶圆凹槽，所述本体的中心设置有轴孔，所述晶圆凹槽的边缘内侧设有架设台面，所述架设台面与晶圆凹槽的边缘顶部之间设置有距离，架设台面均布与晶圆凹槽的边缘上。所述衬底包括衬底本体及架设在架设台面上的翼。本发明的有益效果主要体现在本承载盘克服了传统石墨承载盘的整体外延片良率不高及受热不均匀造成的外延片波长均匀分布不稳的缺点，生长的LED外延片整体良率高，波长均匀性好，很好的解决了LED外延片外延波长及标准差良率问题。
用于 led 外延石墨承载及其配套衬底

[发明专利]一种LED外延结构及其应用-CN201310652175.6有效
发明人：南琦 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构，自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n‑GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n‑GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，n型杂质浓度值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势。本发明的有益效果主要体现在可有效提高MQW晶格质量，大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率，有效降低器件Droop负效应影响，提高LED器件的内量子效率的目的，可很好的应用在高功率器件中，并保持器件的高光效值。
一种 led 外延结构及其应用

[实用新型]一种LED加工用抽真空系统-CN201620435615.1有效
发明人：朱庆荣 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： F04B37/14 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种LED加工用抽真空系统，包括至少两个真空机台，每个真空机台通过主抽气管路连接一真空泵浦，主抽气管路上设置有用于开闭主抽气管路的第一电磁阀，第一电磁阀和真空机台均连接到控制装置；每个真空泵浦还通过包括若干抽气支路的辅助抽气管路与其他真空机台连接，每个抽气支路上设置的第二电磁阀连接到控制装置。本实用新型设计精巧，结构简单，通过设置辅助抽气管路使每个真空泵浦与其他真空机台结合，并控制辅助抽气管路的开闭原则，可以有效的解决真空泵浦对应的真空机台不工作时造成的真空泵浦的功率的损失，同时，能够使多个真空泵浦同时对一个或多个真空机台进行抽真空，能够有效的提高抽真空的效率，保证安全性。
一种 led 工用真空系统

[实用新型]一种MOCVD石墨盘烤盘炉的清洁装置-CN201620436069.3有效
发明人：宋景锋 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种MOCVD石墨盘烤盘炉的清洁装置，MOCVD石墨盘烤盘炉包括冷却筒及保温筒，冷却筒的内壁与保温筒的外壁之间形成一环状空间，清洁装置包括设置于环状空间内用于对保温筒的外壁进行清洁的弧形毛刷、及一驱动弧形毛刷在环状空间内轴向往复运动的驱动机构。本实用新型在MOCVD石墨盘烤盘炉的环状空间内设置了自动清洁装置，通过弧形毛刷实现对保温筒外壁及冷却筒内壁的自动清洁，提高了清洁效率，降低了清洁成本；弧形毛刷具有吸尘功能，当弧形毛刷将保温筒外壁及冷却筒内壁上的GaN等物质清刷剥离为浮尘后，通过吸尘孔能及时排出；滑轨能实现对弧形毛刷进行导向，使弧形毛刷的往复运动运行更稳定，使清洁装置结构更牢固。
一种 mocvd 石墨盘烤盘炉清洁装置

[实用新型]一种基于LED灯的无线网络系统-CN201620435614.7有效
发明人：徐涛 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种基于LED灯的无线网络系统，包括电力回路，电力回路中包括连接到网络的无线路由器、将无线路由器的网络信号转化为电信号并通过电力回路传播的电力载波通讯器件以及若干LED灯，每个LED灯中集成有用于将电力回路中的电信号调制为网络信号的调制解调器和WIFI发射器。本实用新型通过电力载波通讯器件将无线路由器的网络信号转化为电信号并通过电力回路传输，再通过每个LED灯中调制解调器和WIFI发射器将电力回路中的电信号调制为网络信号发送，从而实现了只要有LED灯的区域就有网络覆盖，对于大空间能够最大程度的实现网络全覆盖，减少网络覆盖盲区，并且不需要增加额外的无线路由器，省去了无线路由器覆盖的不足，网络覆盖的实现更加容易。
一种基于 led 无线网络系统

[实用新型]一种高透光率的LED晶片-CN201620436068.9有效
发明人：杨晓隆 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种高透光率的LED晶片，包括基层、嵌入基层内的金属触点及电极引脚，电极引脚的外侧及金属触点的外周均具有用于对光源进行反射的反射层。本实用新型的一种高透光率的LED晶片，在金属触点的外周及电极引脚的外侧设置反射层，防止金属触点及电极引脚吸光后使光源强度衰减，增加了LED灯的照明强度；沟槽的设计降低了金属触点对光源的阻隔，减小阴影面积，沟槽部分内基层能供光源透过，进一步提高了LED灯的亮度。
一种透光率 led 晶片

[发明专利]调节MOCVD反应室压力克服LED外延结构雾边的方法及系统-CN201610490056.9在审
发明人：陆俊;徐涛;蔡金;宋景峰;彭庆 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明揭示了调节MOCVD反应室压力克服LED外延结构雾边的方法及系统，通过正压生成单元接收到MOCVD处于空闲状态的信号时，发信号将MOCVD上用于通入氮气的质量流量控制器的流量参数设置为a升,同时将MOCVD上的尾气蝶阀调整为关闭，并实时接收压力计测得的MOCVD反应室内的压力值信号，确认压力值是否达到765‑770torr；正压保持单元：接受到压力值达到765‑770torr的信号时，发信号保持所述质量流量控制器的流量为a，并增大所述尾气蝶阀开角，使尾气蝶阀的出气量与质量流量控制器的进气量保持平衡。本发明通过使MOCVD设备在空闲状态下，反应室内形成正压，从而防止空气和水进入反应室中，避免外延结构出现雾边的情况，能够避免现有技术需要恢复，造成产能损失的问题；自动化程度高。
调节 mocvd 反应压力克服 led 外延结构方法系统

[实用新型]MO源瓶自动调节装置-CN201420715723.5有效
发明人：宋景锋;傅华;南琦;王辉;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型揭示了MO源瓶自动调节装置，包括水浴槽，其特征在于：所述水浴槽内的底部连接有高度调节模块，所述高度调节模块上放置MO源瓶，所述高度调节模块与设置在水浴槽外的PLC控制器电性连接，所述PLC控制器控制高度调节模块进行高度的调节。本实用新型突出效果为：可以自动化调节MO源瓶在水浴槽中的位置，同时，当MO源瓶中MO源剩余量达到预警值时，将启动报警装置，提醒工艺人员及时更换，保证生产顺利进行。
mo 自动调节装置

[发明专利]一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法-CN201410580296.9有效
发明人：南琦;王怀兵;王辉;吴岳;傅华 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种在石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法，首先准备一衬底，在衬底上制备石墨烯薄层；然后在石墨烯薄层上生长GaN缓冲层；所述GaN缓冲层上生长有本征GaN层，所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层与高温GaN缓冲层，所述GaN缓冲层采用间断式多次重结晶退火生长的若干厚度相同的低温GaN缓冲薄层与若干高温GaN缓冲薄层构成。本发明突出效果为：采用石墨烯作为GaN缓冲层与衬底之间的应力释放基底，可将石墨烯作为基底的功能最大限度的发挥，有效的突破了两步生长法所能达到的晶格位错密度极限，将原有位错密度降低一个数量级以上。
一种石墨基底生长质量 gan 缓冲制备方法

[发明专利]一种可有效提高p-GaN空穴注入层质量的外延生产方法-CN201410580361.8有效
发明人：孔静;蔡金;冯美鑫;南琦;王辉;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种可有效提高p-GaN空穴注入层质量的外延生产方法，在衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非故意掺杂的GaN层、n型电子注入层、多量子阱有源区、p-GaN空穴注入层和p型重掺杂的接触层。p-GaN空穴注入层是采用在交替式切换N2/H2载气的环境中进行生长，即在N2环境中进行Mg原子的掺杂，在H2氛围中降低Mg原子的激活能。采用这种载气交替式切换的环境中生长p-GaN层，可以有效的提高Mg原子并入GaN晶格中的效率，改善晶格质量，降低工作电压和提高抗静电能力；同时通过降低Mg的激活能，提高Mg原子的活化效率，提供更多的空穴载流子，提高LED器件的发光亮度。
一种有效提高 gan 空穴注入质量外延生产方法

[发明专利]间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构及制作方法-CN201410581877.4有效
发明人：南琦;王怀兵;王辉;吴岳;傅华 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构的制作方法，包括如下步骤：准备一衬底，在氢气气氛下高温处理衬底；在处理好的衬底表面依次生长缓冲层、n-GaN层；在n-GaN层上周期性生长MQW有源层；在MQW有源层上依次生长p-GaN及P型接触层；所述MQW有源层由至少两个多量子阱层组成，每个所述多量子阱层由InGaN量子阱层、GaN保护层及GaN量子垒层构成，且每个多量子阱中的各层均在同温下生长。本发明经过这中间的间隔退火处理，其晶面取向更为统一，晶格质量更高；得到高质量的量子阱结构层，发光效率提高10%以上，节省了大量原有在多量子阱层中升降温时间，产能提升明显；使低温GaN材料的表面平滑化，从而实现垒的均匀二维生长，得到高质量的多量子阱材料。
间断退火生长多量 led 外延结构制作方法

[发明专利]一种氮化镓图形衬底的制备方法-CN201310203777.3在审
发明人：傅华;吴思;蔡金;王辉;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种氮化镓图形衬底的制备方法，本方法先将衬底进行热处理，降温；再在衬底上生长一层氮化物成核层；退火，使衬底表面形成成核层的结晶；然后，在结晶的氮化物成核层上生长厚度为2—4um非故意掺杂氮化镓层；在非故意掺杂氮化镓层上生长N型氮化镓层并进行刻蚀最终形成图形衬底。本发明的方法可以得到不同形貌、尺寸的图案，工艺过程容易控制；刻蚀速度快，生产效率高；在NGaN结构上生长，避免了晶格失配现象，降低外延层中的位错密度等优点。
一种氮化图形衬底制备方法

[实用新型]一种有利于提高光通量的网状图形衬底-CN201420427604.X有效
发明人：傅华;翁启伟;吴思;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有利于提高光通量的网状图形衬底，包括衬底本体，所述衬底本体的表面呈粗糙面，所述粗糙面为衬底本体底部向上突出形成有若干凸起，所述凸起横截面呈网状，所述网状由相邻的凸起单元连接而成，所述凸起单元的横截面呈三角形，所述凸起单元的相邻凸起边截面呈三角形，所述凸起单元的端部向衬底本体的底部凹陷形成凹槽。本实用新型的优点是：具有脊形结构的凸起，与GaN六方晶体结构对称性一致，有利于GaN外延层合并，发生位错转向。各脊边交界处设置凹陷图形，既有效解决了平台问题，又形成了相似等边三角形，克服了GaN外延生长时产生死角问题，发光效率提高。
一种有利于提高光通量网状图形衬底

[实用新型]一种COB封装LED模组-CN201420360454.5有效
发明人：傅华;吴陆;孔俊杰;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种COB封装LED模组，包括如下，预制模具，填充胶填充模具，固化，再注胶，模具与电路板结合，再固化，最后脱模形成表面具有粗造结构的封装模组。本实用新型的有益效果主要体现在：通过模具转印，在发光层表面形成粗糙面从而有效提高发光效率，减少眩光。同时，由于发光层中添加了纳米粒子材料，减少了封装层内部的热应力，荧光粉中添加硅胶混合物，使出光面里的芯片完全被遮住。这样发光表面看起来没有“麻蜂窝点”，整体光亮，美观大方。
一种 cob 封装 led 模组

[发明专利]一种可温控调节渐变量子垒层中In含量的LED外延结构-CN201410438789.9在审
发明人：南琦;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种可温控调节渐变量子垒层中In含量的LED外延结构，自下而上依次包括：衬底，GaN成核层，GaN缓冲层，n-GaN层，MQW有源层，p-GaN层以及p型接触层；所述MQW有源层由若干对InGaN/GaN量子垒层和InGaN量子阱层组成，所述InGaN/GaN量子垒层中In组分值呈线性下降再线性上升趋势。本发明的有益效果主要体现在：通过运用在整个量子阱垒结构段进行In组分渐变，大幅减少或抵消有源层中每个量子阱的内建极化电场带来的电子或空穴的空间波函数分离，提升电子，尤为空穴的俘获几率。本发明的外延结构在中高功率器件应用上效果更为明显。
一种温控调节渐变量子垒层中 in 含量 led 外延结构