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- [发明专利]半导体器件的制备方法-CN202310210325.1有效
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张纪稳;秋珉完;孙得娟
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2023-03-07
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2023-06-30
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H01L21/8238
- 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括NMOS区和PMOS区，NMOS区和PMOS区上均形成有栅极结构；形成氧化层覆盖NMOS区和PMOS区；形成第一图形化的光刻胶层覆盖PMOS区，以第一图形化的光刻胶层为掩模刻蚀去除NMOS区的氧化层，以及以第一图形化的光刻胶层为掩模对NMOS区进行离子注入，以在NMOS区的栅极结构的两侧的衬底中形成第一掺杂区；去除第一图形化的光刻胶层；形成应力层覆盖NMOS区和PMOS区，以及执行热退火工艺。本发明减小应力层对PMOS区产生的影响，保证PMOS管性能的同时，不需要额外的掩模版及光刻工艺，节省工序和制备成本。
- 半导体器件制备方法
- [发明专利]互连结构的制备方法-CN202310208483.3有效
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何志强;高志杰
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2023-03-07
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2023-06-30
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H01L21/768
- 本发明提供了一种互连结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有介电层、硬掩模层和图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀硬掩模层和介电层，以形成贯穿硬掩模层的开口和贯穿介电层的接触孔，接触孔的深宽比为12:1~30:1；沿开口的宽度方向刻蚀硬掩模层显露出接触孔的顶部的部分介电层以扩宽开口，且扩宽后的开口的宽度大于接触孔的宽度；采用第一干法刻蚀工艺沿扩宽后的开口刻蚀接触孔的顶部显露的介电层，以使接触孔的顶部形成具有两段斜坡轮廓的阶梯状结构；以及，在接触孔的内壁形成阻挡层，以及在接触孔内填充金属材料形成金属插塞。本发明能够形成导电良好的金属插塞，提高互连结构的稳定性。
- 互连结构制备方法
- [发明专利]半导体器件的制备方法-CN202310322791.9有效
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朱小锋
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2023-03-30
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2023-06-30
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H01L21/768
- 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的衬底中分别形成有漏区和源区，且栅极结构和衬底的表面上覆盖有阻挡层；形成连接材料层覆盖阻挡层，图形化连接材料层以形成若干连接图形，且若干连接图形的顶部齐平；形成介质层，刻蚀介质层以形成若干第一开口；沿第一开口刻蚀去除连接图形，连接图形所在的区域转变为第二开口；沿第二开口刻蚀去除第二开口底部的阻挡层，第一开口和第二开口连通构成接触孔；以及，在接触孔中填充金属材质以形成接触插塞。本发明能够有效避免因刻蚀量差异导致的栅极吃穿的问题。
- 半导体器件制备方法
- [实用新型]一种调节装置和晶圆置换机-CN202223574888.9有效
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赵丽云;王博;秦刚
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2022-12-30
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2023-06-30
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H01L21/67
- 本实用新型提供一种调节装置和晶圆置换机，调节装置包括：至少两个调节组件；每个调节组件包括至少两个吸附单元、一限位单元、一调节单元和一可伸缩单元；其中，吸附单元与调节单元连接；所有调节组件的所有吸附单元的吸附端位于同一平面上，且所述吸附单元的吸附端与所述晶舟盒的盒门抵接；限位单元与晶舟盒和调节单元均活动连接；调节单元与可伸缩单元连接；可伸缩单元配置为：在伸展时通过调节单元带动吸附单元向靠近限位单元的方向移动；在收缩时通过调节单元带动吸附单元向远离限位单元的方向移动。本实用新型提供的调节装置简易便捷，不易损坏，避免了因盒门位置异常而频繁报警的问题。
- 一种调节装置置换
- [实用新型]一种测试平台-CN202320076009.5有效
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施顺亿;李小鹏;彭日强;郑晓
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2023-01-10
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2023-06-30
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G01R1/04
- 本实用新型提供一种测试平台，包括测试机台、探针机台、第一转接板和第二转接板，所述第一转接板与所述测试机台电连接，被测晶圆与所述探针机台电连接，所述第二转接板与所述探针机台电连接，同时，所述第一转接板与所述第二转接板可插拔的电连接，使得所述测试机台和探针机台可以通过第一转接板和第二转接板进行电连接，而无需通过测试线电连接，并且可以快速、准确的电连接，减少了测试机台和探针机台电连接花费的时间，解决了现有技术中基板和探针卡直接通过测试线连接引起的测试不良和测试成本高的问题。
- 一种测试平台
- [实用新型]一种基片取放治具-CN202320101639.3有效
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顾小强;沈健;单洪亮;郑爽爽;吴子豪
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2023-02-02
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2023-06-30
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H01L21/673
- 本实用新型提供一种基片取放治具，所述基片取放治具包括承载机构，所述承载机构包括沿第一方向自下而上地依次间隔设置的多个承载部，各所述承载部具有承载所述基片的承载面，且各所述承载部的所述承载面位于第二方向和第三方向所在的平面；以及移动机构，所述移动机构辅助所述承载机构分别在所述第一方向和所述第二方向上进行往复移动；其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两垂直。利用所述基片取放治具，精确控制所述基片相对晶舟的位置，可有效避免所述基片与所述晶舟之间的剐蹭，且无需等待所述炉管降温便可直接移取，不仅节省时间，还避免工作人员被烫伤的几率，进一步提高安全性。
- 一种基片取放治具
- [实用新型]一种晶圆位置调节装置-CN202320432760.4有效
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杨翼虎;何毓纬;程长青;赵琼
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2023-03-09
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2023-06-30
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H01L21/68
- 本实用新型提供了一种晶圆位置调节装置，包括吸盘、对位针、第一驱动单元和第二驱动单元；吸盘上设置有三个以上对位轨道槽，对位轨道槽沿吸盘的周向间隔分布，三个以上对位轨道槽围合形成的区域能够容纳晶圆，对位轨道槽贯穿吸盘的上表面和下表面；第一驱动单元用于驱动对位针穿过对应的对位轨道槽并且相对吸盘可上下移动；第二驱动单元用于驱动对位针向吸盘的轴线位置靠拢或远离。如果晶圆的位置相对吸盘的中心位置发生偏移，可以利用第一驱动单元将对位针顶起，然后利用第二驱动单元推动对位针将偏移后的晶圆移动到吸盘的中心位置，然后举升针升起，机械手开始拾取晶圆，这样可以有效规避晶圆因位置偏移而与机械手发生碰撞。
- 一种位置调节装置
- [发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202310042318.5有效
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汪华;杨宗凯;程洋
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2023-01-28
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2023-06-27
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H01L29/06
- 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氧化层；在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构与所述氧化层之间形成台阶；对所述氧化层和所述浅沟槽隔离结构进行疏水性处理；在所述衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露部分所述氧化层；干法刻蚀部分所述氧化层；湿法刻蚀所述氧化层至所述衬底；在所述氧化层上形成栅极结构；在所述栅极结构一侧形成第一掺杂区；以及在所述栅极结构另一侧形成第二掺杂区，且所述第二掺杂区形成在所述栅极结构和所述浅沟槽隔离结构合围的所述衬底内。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，提高半导体器件的制作良率。
- 一种半导体器件制作方法
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