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[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202311191701.3在审
发明人：洪繁;谢荣源;林滔天;祝进专;张星池 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：半导体衬底，半导体衬底中设置有浅槽隔离结构和阱区；隧道氧化层，设置在半导体衬底上，隧道氧化层覆盖在部分阱区上和部分浅槽隔离结构上；浮栅层，设置在隧道氧化层上；多个隔离沟槽，穿过浮栅层和隧道氧化层，与阱区或浅槽隔离结构的表面接触；隔离层，设置在隔离沟槽内，隔离层连接于阱区或浅槽隔离结构，且隔离层位于相邻的浮栅层之间；隔离氧化层，设置在隔离层和浮栅层上，且所述隔离氧化层覆盖所述隔离沟槽的部分侧壁；以及控制栅层，设置在隔离氧化层上。本发明提供的半导体结构及其制造方法，能够防止存储单元之间发生漏电流，提升非易失性存储器的数据保存能力。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法-CN201810600590.X有效
发明人：张卫华;游才印;霍文;洪繁;郭少华 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明公开镍钴锰酸锂正极材料，镍钴锰酸锂正极材料是以镍酸镧纳米晶为异质结晶核心，在镍酸镧纳米晶上依附有一层镍钴锰酸锂晶粒，形成以镍酸镧为核心的镍钴锰酸锂微米晶团簇粉体，解决了现有的三元材料锂电池的高倍率容量性能差及循环稳定性差的问题，本发明的制备方法，通过预置纳米晶核提供镍钴锰酸锂的结晶核心，形成以镍酸镧骨架的镍钴锰酸锂团簇颗粒，提供内部导电通道，有利于提高和发挥镍钴锰酸锂三元材电池的充放电比容量，且该制备方法简单可行。
一种镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米硫雾化合成方法-CN201510357488.8有效
发明人：张卫华;游才印;卢正欣;洪繁 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C01B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硫雾化合成方法，具体为将制备好的出发原料溶液和沉淀剂溶液分别雾化，控制雾化器气流量和液滴尺寸，反应合成纳米硫；纳米硫在缓冲液中分散、沉淀，副产物气相被回收液吸收；通过离心分离会过滤缓冲液得到纳米硫沉淀产物，洗涤干燥，得到纳米硫产品；剩余缓冲液和回收液经蒸发干燥得到反应副产物化工品钠盐。本发明通过气流雾化，使得含有出发原料的雾滴和含有沉淀剂的雾滴碰撞混合，在雾滴的尺度范围内发生反应，受雾滴尺度和浓度的限制，产物的尺寸远远小于雾滴尺寸，所得产物的尺寸均匀性、形貌一致性好；反应废气通过废气回收液充分进行吸收后再排放，反应的副产物是高纯级的硫化盐或亚硫酸盐化工产品，无环境污染。
一种纳米雾化合成方法

[发明专利]一种光伏电池用纳米复合导电薄膜的制备方法-CN201510375150.5有效
发明人：张卫华;赵彦珍;洪繁;陈源清 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池用纳米复合导电薄膜的制备方法，具体为将镀膜前驱溶液包覆的纳米光致发光陶瓷材料沉积气雾沉积在加热的基板上，即得到光伏电池用纳米复合导电薄膜。本发明采用红色荧光粉可以将太阳光的紫外光波段转变为可见光，便于光伏电池中硅器件的光电转换，提高光电转换利用率1％～1.5％；利用透明导电薄膜的导电性，提高并保持长期工作中的高透过率，提高了实际工况下的光电转换效率和利用率；利用透明导电膜红外反射特性，降低其热效应，稳定太阳能电池中硅器件的工作点，提高了其光电转换效率，从而有效改善和提高了目前太阳能电池的工程适用性，实现免维护和长周期工作。
一种电池纳米复合导电薄膜制备方法