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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202210925852.6在审
发明人：王圣闵;赖昱泽;谢艮轩 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，包括电路图案和设置在电路图案周围并连接到电路图案的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]存储器器件及其形成方法、存储单元-CN202310635608.0在审
发明人：金海光;梁晋玮;林杏莲;江法伸 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种形成存储器器件的方法，包括：在衬底上方形成绝缘体层，其中所述绝缘体层定义第一开口；在所述第一开口内形成导通孔；在所述导通孔上方形成存储单元堆叠，其中所述存储单元堆叠包含上覆于吸气剂金属层的第一电极、上覆于所述第一电极的第一相变层以及上覆于所述第一相变层的第二电极；以及使所述存储单元堆叠图案化成存储单元，使所述顶部电极的侧壁与所述吸气剂金属层的侧壁对准。
存储器器件及其形成方法存储单元

[发明专利]半导体装置结构-CN202310389320.X在审
发明人：黄玉莲 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：半导体装置结构包括第一栅极介电层，其具有上表面与角落表面，其中第一栅极介电层的上表面的最高点在第一高度。半导体装置结构包括第一栅极层，其具有上表面，其中第一栅极层的上表面的最高点在第二高度，且第二高度高于第一高度。半导体装置结构包括第一介电盖层，其接触第一栅极介电层的上表面与角落表面。第一介电盖层亦接触第一栅极层的上表面。半导体装置结构包括第一栅极间隔物，其接触第一介电盖层与第一栅极介电层。
半导体装置结构

[发明专利]形成半导体结构的方法和形成集成芯片的方法-CN202310468848.6在审
发明人：吴国铭;萧豪毅;陈品孜;黄仲仁;陈昇照 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的各个实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括将第一半导体晶圆接合到第二半导体晶圆。接合界面设置在第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间。第一半导体晶圆具有横向地围绕中心区域的外围区域。在第一半导体晶圆的第一外边缘和第二半导体晶圆的第二外边缘之间形成支撑结构。支撑结构设置在外围区域内。对第二半导体晶圆执行减薄工艺。本发明的实施例还提供了形成集成芯片的方法。
形成半导体结构方法集成芯片

[发明专利]图像传感器、图像传感器结构及其形成方法-CN202210990024.0在审
发明人：陈祥麟;江欣益;黄陈嵩文;廖英凯;林荣义;朱怡欣;黄冠杰 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器、图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器包括硅衬底、布置在硅衬底中的锗区域、布置在硅衬底和锗区域之间的掺杂半导体隔离层、布置在锗区域上的重p掺杂区域、布置在硅衬底上的重n掺杂区域、布置在锗区域正下方的第一n型阱，布置在重n掺杂区域正下方的第二n型阱，以及布置在第一n型阱和第二n型阱下方并与第一n型阱和第二n型阱接触的深n型阱。
图像传感器结构及其形成方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202310307699.5在审
发明人：郑心圃;陈宪伟;林孟良;陈英儒;陈硕懋 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法包括形成第一封装组件，其包括中介层和接合到中介层的第一侧的第一管芯。第二管芯接合到中介层的第二侧。第二管芯包括衬底和贯穿衬底的贯通孔。该方法还包括通过多个第一焊料区域将第二封装组件接合到第一封装组件。第一封装组件还通过第二管芯中的贯通孔电连接到第二封装组件。第二管芯还通过多个第二焊料区域接合到第二封装组件。根据本申请的其他实施例，提供了封装件。
封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202310306045.0在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;周其雨;白岳青 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括一个或多个半导体层、围绕一个或多个半导体层中的至少一个半导体层的界面层、设置在界面层上方的功函金属以及设置在界面层和功函金属之间的高K(HK)介电层。HK介电层包括与HK介电层和界面层的第一界面相邻的第一掺杂剂区域，其中，第一掺杂剂区域包括具有第一极性的第一掺杂剂。HK介电层也包括与HK介电层和功函金属的第二界面相邻的第二掺杂剂区域，其中，第二掺杂剂区域包括具有与第一极性相反的第二极性的第二掺杂剂。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]形成半导体器件结构的方法-CN202310306073.2在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;林千 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，描述了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在处理室中的衬底上方形成第一半导体层并且执行净化工艺。净化工艺包括使含氯气体流入处理室中。该方法还包括在第一半导体层上方形成第二半导体层，并且在第一半导体层和第二半导体层之间形成界面区域。
形成半导体器件结构方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310313550.8在审
发明人：黄伟志;蔡双吉;林杏芝;刘人诚;杨敦年 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器及其形成方法。根据本发明的图像传感器包括：第一光电二极管，沿方向设置在第二光电二极管和第三光电二极管之间；第一深沟槽隔离(DTI)部件，设置在第一光电二极管和第二光电二极管之间；以及第二DTI部件，设置在第一光电二极管和第三光电二极管之间。第一DTI部件的深度大于第二DTI部件的深度。第二光电二极管的量子效率小于第一光电二极管的量子效率。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]半导体结构、封装件及其形成方法-CN202310275974.X在审
发明人：吴浩昀;吴成堡;余俊磊;蔡俊琳 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及半导体结构、封装件及其形成方法。一种半导体器件包括第一半导体结构，该第一半导体结构包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，其中第一HEMT器件包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二半导体结构堆叠在第一半导体结构之上并接合到第一半导体结构，其中第二半导体结构包括第二HEMT器件和第三HEMT器件，第二HEMT器件包括第二栅极、第二源极和电连接到第一源极的第二漏极，其中第三HEMT器件包括第三栅极、第三源极和电连接到第一栅极的第三漏极。
半导体结构封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310272193.5在审
发明人：张尚文;游力蓁;黄麟淯;苏焕杰 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成具有金属栅极结构、源极和漏极的场效应晶体管(FET)。设置在伪金属栅极结构之间的第一前侧接触件形成在隔离绝缘层上方。前侧布线层形成在第一前侧接触件上方。从衬底的背侧去除衬底的部分，从而暴露隔离绝缘层的底部。从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口以暴露第一前侧接触件的底部。通过用导电材料填充第一开口以连接第一前侧接触件而形成第一背侧接触件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法-CN202310196130.6在审
发明人：陈佳政;邓运桢;陈亮吟;杨育佳;何彩蓉 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法。半导体结构包括衬底和堆叠结构，该堆叠结构包括与金属栅极结构交错的沟道层。半导体结构还包括设置在堆叠结构和衬底之间的隔离特征，其中金属栅极结构的最底部直接接触隔离特征。半导体结构进一步包括邻近堆叠结构设置的源极/漏极特征以及设置在金属栅极结构和源极/漏极特征之间的内部间隔物。
底部隔离及其在场效应晶体管中的形成方法

[发明专利]中介层、半导体封装组件及其形成方法-CN202310384524.4在审
发明人：陈宪伟;林孟良;郑心圃 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种实施例半导体封装组件可包括：中介层；集成被动装置，电性耦接到中介层的第一侧；底部填充材料部分，形成于集成被动装置与中介层的第一侧之间；以及坝，从中介层的第一侧突出，且配置用于约束底部填充材料部分的空间范围。坝可包括在中介层的第一侧的表面之上延伸的第一部分及嵌入中介层的第一侧的表面下方的第二部分。坝可形成于介电层中，介电层也包括重分布互连结构的构件。坝可进一步与重分布互连结构电性隔离，且可配置为形成中介层的第一侧的二维区域的连接或不连接的边界。
中介半导体封装组件及其形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置-CN202310410813.7在审
发明人：刘威民;郭紫微;杨詠竣;温政彦;舒丽丽;李啟弘;杨育佳;黄惠琳 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法和半导体装置，特别是提供一种磊晶结构及一种用于形成此种结构的方法。该方法包括在一基板上形成一鳍片结构，其中该鳍片结构包括具有实质上一{110}结晶取向的一半导体材料。该方法包括蚀刻该鳍片结构的一部分以暴露该半导体材料的一侧壁部分。此外，该方法包括在该半导体材料的该侧壁上成长一磊晶结构，其中该磊晶结构以具有一{110}结晶取向的多个晶面增长。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310429111.3在审
发明人：吕旻轩;黄麟淯;游力蓁;王圣璁;程仲良;苏焕杰;王志豪 -专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：器件包括衬底、位于衬底上方的纳米结构沟道的垂直堆叠件、包裹纳米结构沟道的栅极结构以及位于衬底上的源极/漏极区域。器件还包括与源极/漏极区域接触的源极/漏极接触件。源极/漏极接触件包括第一材料的芯层。源极/漏极通孔位于源极/漏极接触件上方并且与源极/漏极接触件接触。源极/漏极通孔是第一材料。栅极通孔位于栅极结构上方并且与栅极结构电连接。栅极通孔是第一材料。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

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