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[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310313550.8在审
发明人：黄伟志;蔡双吉;林杏芝;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器及其形成方法。根据本发明的图像传感器包括：第一光电二极管，沿方向设置在第二光电二极管和第三光电二极管之间；第一深沟槽隔离(DTI)部件，设置在第一光电二极管和第二光电二极管之间；以及第二DTI部件，设置在第一光电二极管和第三光电二极管之间。第一DTI部件的深度大于第二DTI部件的深度。第二光电二极管的量子效率小于第一光电二极管的量子效率。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]互连图案结构、半导体结构及其制造方法-CN201810926996.7有效
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;王俊智;黄冠杰;林杏芝;朱怡欣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种互连图案结构、半导体结构及其制造方法。半导体结构包含：半导体衬底，其具有有源侧；互连层，其位于所述半导体衬底的所述有源侧上方；及贯穿衬底导通孔TSV，其从所述半导体衬底延伸到第一金属层。所述互连层包含最靠近所述半导体衬底的所述有源侧的第一金属层，所述第一金属层的厚度低于1微米，且从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米。所述连续金属构件由第一介电构件切断。
互连图案结构半导体及其制造方法

[发明专利]用于堆叠集成电路的混合接合技术-CN202210712903.7在审
发明人：吴国铭;王俊智;杨敦年;林杏芝;刘人诚;高敏峰;林永隆;黄诗涵;陈奕男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于堆叠集成电路的混合接合技术。本发明一些实施例提供一种三维3D集成电路IC以及制造三维3D集成电路IC的方法。在一些实施例中，第二IC裸片通过第一接合结构接合到第一IC裸片。所述第一接合结构接触所述第一IC裸片的第一互连结构和所述第二IC裸片的第二互连结构，且具有混合接合在一起的第一部分和第二部分。第三IC裸片通过第三接合结构接合到所述第二IC裸片。所述第三接合结构包括贯穿所述第二IC裸片的所述第二衬底放置的第二TSV(贯穿衬底通路)且包含根据本发明的各种实施例的各种接合结构。
用于堆叠集成电路混合接合技术

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202010467796.7有效
发明人：高敏峰;杨敦年;林杏芝;刘人诚;蔡维道 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请的各个实施例针对集成电路(IC)，其中屏蔽结构阻止电荷从衬底通孔(TSV)附近迁移至半导体器件。在一些实施例中，该IC包括衬底、互连结构、半导体器件、TSV和屏蔽结构。互连结构位于衬底的前侧上并且包括导线。半导体器件位于衬底的前侧上，位于衬底和互连结构之间。TSV从衬底的背侧完全穿过衬底延伸到导线，并且包括金属。屏蔽结构包括PN结，PN结完全延伸穿过衬底，并且位于半导体器件和TSV之间。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110598984.8在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;林杏芝;李政勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括顶层、底层及中间层。底层包括在第一半导体衬底上方的第一内连线结构及在第一内连线结构上方的第一正面接合结构。中间层介于顶层与底层之间并与其电耦合。中间层包括在第二半导体衬底上方的第二内连线结构、介于顶层与第二内连线结构之间的第二正面接合结构及介于第二半导体衬底与第一正面接合结构之间的背面接合结构。第二正面接合结构的接合特征包括与第二内连线结构接触的第一接合通孔、在第一接合通孔上方的第一接合接点及在第一接合接点的底部与第一接合通孔的顶部之间的阻障层界面。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成芯片、金属-绝缘体-金属装置及其形成方法-CN202110947819.9在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;林杏芝;林冠华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)。所述IC包括设置在半导体衬底之上的第一金属间介电(IMD)结构。金属‑绝缘体‑金属(MIM)装置设置在第一IMD结构之上。所述MIM装置包括彼此间隔开的至少三个金属板。所述MIM装置还包括多个电容器绝缘体结构，其中所述多个电容器绝缘体结构中的每一者设置在所述至少三个金属板中的相邻的金属板之间且对所述相邻的金属板进行电隔离。
集成芯片金属绝缘体装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110504233.5在审
发明人：李政勋;高敏峰;林杏芝;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一些实施例涉及半导体结构，该半导体结构包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上方的n个互连结构。互连结构包括介电结构和在介电结构中彼此堆叠的多个金属线。衬底通孔(TSV)延伸穿过半导体衬底以接触多个金属线中的金属线。保护套沿着TSV的外侧壁设置，并且将TSV的外侧壁与互连结构的介电结构分开。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]贯穿硅过孔及其制造方法-CN202210211982.3在审
发明人：高敏峰;林杏芝;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开涉及贯穿硅过孔及其制造方法。具有形成在多层互连中的围护结构以及延伸穿过该围护结构的贯穿硅过孔(TSV)的方法和器件。在一些实施方式中，保护层形成在围护结构和TSV之间。
贯穿及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210110689.8在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;林杏芝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：第一衬底；电容器，位于第一衬底内；二极管结构，位于邻近电容器的第一衬底内；以及第一互连结构，位于电容器和二极管结构上方。第一互连结构的第一导电通孔将电容器电耦接至二极管结构。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210016514.0在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;林杏芝;洪丰基;丁世汎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：半导体器件包括具有彼此相对的前侧和背侧的衬底。多个光电探测器设置在像素区域内的衬底中。隔离结构设置在像素区域内和光电探测器之间。隔离结构包括从衬底的背侧延伸至衬底中的位置的背侧隔离结构。导电插塞结构设置在外围区域内的衬底中。导电帽设置在衬底的背侧上，并且从像素区域延伸至外围区域，并且将背侧隔离结构电连接至导电插塞结构。导电接触件定位在导电插塞结构上，并且通过导电插塞结构和导电帽电连接至背侧隔离结构。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202110736326.0在审
发明人：施宏霖;吴尉壮;杨世匡;林杏芝;刘人诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成芯片。该集成芯片包括半导体器件，沿着半导体衬底的第一侧布置。半导体衬底包括从半导体衬底的第一侧延伸至相对的半导体衬底的第二侧的一个或者多个侧壁。介电衬垫衬在半导体衬底的一个或者多个侧壁上。贯穿衬底通孔(TSV)布置在一个或者多个侧壁之间，并且通过介电衬垫与半导体衬底分隔开。TSV具有在距第二侧第一距离处的第一宽度，和在距第二侧第二距离处的第二宽度。第一宽度小于第二宽度，并且第一距离小于第二距离。本申请的实施例提供了集成芯片及其形成方法。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]集成芯片结构及其形成方法-CN202110034765.7在审
发明人：高敏峰;杨敦年;林杏芝;刘人诚;朱怡欣;陈品孜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括设置在衬底的第一侧上的标准通孔。过尺寸通孔设置在衬底的第一侧上，并且与标准通孔横向分隔开。过尺寸通孔具有大于标准通孔的宽度。互连线垂直接触过尺寸通孔。衬底通孔(TSV)从衬底的第二侧延伸并且穿过衬底，以物理接触过尺寸通孔或互连线。TSV具有小于过尺寸通孔的宽度的最小宽度。本申请的实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。
集成芯片结构及其形成方法

[发明专利]集成电路管芯、三维集成电路堆叠及形成集成电路的方法-CN202110037764.8在审
发明人：高敏峰;杨敦年;林杏芝;刘人诚;朱怡欣;陈品孜;陈哲纬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种包含接合到第二集成电路管芯的第一集成电路管芯的三维集成电路(IC)堆叠。第一集成电路管芯包含第一半导体衬底、配置在第一半导体衬底的前侧上的第一内连线结构以及配置在第一内连线结构上方的第一接合结构。第二集成电路管芯包含第二半导体衬底、配置在第二半导体衬底的前侧上的第二内连线结构以及配置在第二半导体衬底的背侧上的第二接合结构。第一接合结构面向第二接合结构。另外，三维集成电路堆叠包含从第二接合结构延伸到第二半导体衬底的背侧且热耦合到第一内连线结构或第二内连线结构中的至少一个的第一背侧接触件。
集成电路管芯三维集成电路堆叠形成方法

[发明专利]集成电路和其形成方法以及半导体装置-CN201810662285.3有效
发明人：黄诗涵;杨敦年;刘人诚;王俊智;林杏芝;高敏峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本公开实施例涉及具有电感器的集成电路，电感器具有一或多个线圈沿着垂直面排列，垂直面与下方基板相交。在一些实施例中，集成电路包含多个导电布线层，其具有导线和导通孔设置于与第一基板邻接的一或多个介电结构中。这些导电布线层定义出具有一或多个线圈的电感器，这些线圈各自包含垂直延伸区段沿着与第一基板相交的平面排列，垂直延伸区段具有多个上述导线和导通孔。
集成电路形成方法以及半导体装置

[发明专利]贯穿硅通孔设计、三维集成电路及其制造方法-CN201910184263.5有效
发明人：郑光茗;杨敦年;范富杰;林杏芝;段孝勤;刘人诚;亚历山大·卡尔尼斯基;陈奕升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维(3D)集成电路(IC)。在一些实施例中，第一IC管芯包括位于第一半导体衬底上方的第一接合结构和第一互连结构。第二IC管芯设置在第一IC管芯上方并且包括位于第二半导体衬底上方的第二接合结构和第二互连结构。密封环结构位于第一IC管芯和第二IC管芯中并从第一半导体衬底延伸至第二半导体衬底。多个贯穿硅通孔(TSV)连接结构沿着密封环结构的内周边布置在3D IC的外围区中。多个TSV连接结构分别包括贯穿硅通孔(TSV)，其中，贯穿硅通孔(TSV)设置在第二半导体衬底中并且通过TSV引线层和引线间通孔的堆叠件电连接至3D IC。本发明的实施例还提供了贯穿硅通孔设计、三维集成电路的制造方法。
贯穿硅通孔设计三维集成电路及其制造方法

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