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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构、封装件及其形成方法-CN202310275974.X在审
发明人： 吴浩昀;吴成堡;余俊磊;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及半导体结构、封装件及其形成方法。一种半导体器件包括第一半导体结构，该第一半导体结构包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，其中第一HEMT器件包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二半导体结构堆叠在第一半导体结构之上并接合到第一半导体结构，其中第二半导体结构包括第二HEMT器件和第三HEMT器件，第二HEMT器件包括第二栅极、第二源极和电连接到第一源极的第二漏极，其中第三HEMT器件包括第三栅极、第三源极和电连接到第一栅极的第三漏极。
半导体结构封装及其形成方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202210991158.4在审
发明人：张世邦;吴浩昀;张耀中;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内并且围绕有源区的隔离区域。栅极结构设置在衬底上方并且具有基极区域和栅极延伸指状件，该栅极延伸指状件沿着第一方向从基极区域的侧壁向外突出超出有源区的相对侧。源极接触件设置在有源区内，并且漏极接触件设置在有源区内并且通过栅极延伸指状件与源极接触件分隔开。第一多个导电接触件布置在栅极结构上并且沿着第一方向分隔开。第一多个导电接触件在栅极延伸指状件上面分隔开距离。本发明的实施例还涉及形成集成芯片的方法。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]半导体器件、高压器件和形成高压器件的方法-CN201910922906.1有效
发明人：林明正;吴成堡;蔡俊琳;吴浩昀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括设置在半导体结构内并且具有第一源极、第一漏极和第一栅极的第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。第二HEMT器件设置在半导体结构内，并且包括耦合到第一漏极的第二源极、第二漏极和第二栅极。二极管连接的晶体管器件设置在半导体结构内，并且包括第三源极、第三栅极和耦合到第二栅极的第三漏极。根据本申请的其他实施例，还提供了高压器件和形成高压器件的方法。
半导体器件高压器件形成方法

[发明专利]高电压器件、高电子迁移率晶体管器件及其形成方法-CN202010235496.6在审
发明人：林明正;吴成堡;蔡俊琳;吴浩昀;苏亮宇;王云翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种高电压器件，高电压器件包含衬底，衬底包括第一半导体材料。包括第二半导体材料的沟道层布置在衬底上方。包括第三半导体材料的有源层布置在沟道层上方。在有源层上方的是与漏极触点间隔开的源极触点。栅极结构横向地布置在源极触点与漏极触点之间且布置在有源层上方以界定高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。在栅极结构与源极触点之间的是顶盖结构，顶盖结构耦接到源极触点且与栅极结构横向间隔开。顶盖结构和栅极结构的栅极电极包括相同材料。
电压器件电子迁移率晶体管及其形成方法

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共 4 条

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