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[发明专利]半导体封装结构及其制备方法-CN202311135443.7在审
发明人：李宗怿;罗富铭;唐彬杰;潘波;杨文豪;钱佳成 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构，包括：晶圆级桥接载体，以及分别位于晶圆级桥接载体的上下表面的第一层结构和第二层结构。晶圆级桥接载体包括：介电图案层，设有多个通孔；金属走线层，嵌设于介电图案层的各通孔中。其中，第一层结构和第二层结构通过金属走线层电性连接。本公开利于缩短半导体封装结构中各层结构之间数据的传输路径，提高数据传输效率。
半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]屏蔽栅MOSFET及其制备方法-CN202310917514.2在审
发明人：孙文镇;钱佳成;潘威豪;王雪纯;王艺晨;马栋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种屏蔽栅MOSFET及其制备方法，其中制备方法包括：在外延层中形成多组深沟槽；形成第一栅氧化层；形成第一多晶硅层；形成覆盖源端引出区域的图案化的第一光刻胶层；去除栅端引出区域部分第一多晶硅层和外延层表面的第一栅氧化层；形成第二栅氧化层；形成覆盖源端引出区域的图案化的第二光刻胶层；去除栅端引出区域的深沟槽中的部分第二栅氧化层以及形成第二多晶硅层。本申请通过形成覆盖源端引出区域的主沟槽和辅沟槽的第一光刻胶层/第二光刻胶层，避免后续用于源极引出的主沟槽受到湿法刻蚀第一栅氧化层/第二栅氧化层的影响，避免了主沟槽的顶端侧壁发生侧掏，从而避免了源极和栅极的短接，降低了IGSS漏电。
屏蔽 mosfet 及其制备方法

[发明专利]SGT MOS器件及其制作方法-CN202310419365.7在审
发明人：邱立军;王丽;刘秀勇;钱佳成;马栋;李志国 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SGT MOS器件及其制作方法。通过等离子体注入第一导电类型杂质，在深沟槽两侧的外延层上层形成第一导电类型掺杂沟道区；通过等离子体注入第二导电类型杂质，在第一导电类型掺杂沟道区上的外延层表层形成第二导电类型掺杂源区；开设接触孔，使得接触孔依次穿过第二导电类型掺杂源区延伸至第一导电类型掺杂沟道区中；进行非晶元素离子注入，使得在接触孔底端外周的第一导电类型掺杂沟道区中形成非晶掺杂区；向接触孔的底端注入第一导电类型杂质，使得在接触孔底端外周的非晶掺杂区中形成第一导电类型掺杂接触区；其中第一导电类型掺杂接触区与第一导电类型掺杂沟道区之间间隔非晶掺杂区。
sgt mos 器件及其制作方法

[发明专利]SGT MOS器件栅多晶硅结构的制作方法-CN202310423546.7在审
发明人：孙文镇;钱佳成;王雪纯;王艺晨;马栋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种SGT MOS器件栅多晶硅结构的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供半导体基底层；淀积多晶硅，使得多晶硅基于半导体基底层的上端形貌，覆盖位于半导体基底层上表面的氧化层上和深沟槽的内表面上，直至覆盖在第二沟槽内表面的多晶硅填充满第二沟槽形成多晶硅结构；刻蚀去除半导体基底层背面的多晶硅；对多晶硅结构进行化学机械研磨，研磨掉多晶硅结构的表层，直至剩余多晶硅结构的上表面光滑平坦，且剩余多晶硅结构填充满第二沟槽并覆盖位于半导体基底层上表面的氧化层上；对剩余多晶硅层进行湿法刻蚀，去除剩余多晶硅层中覆盖位于半导体基底层上表面氧化层上的多晶硅，在第二沟槽中形成栅多晶硅结构。
sgt mos 器件多晶结构制作方法

[发明专利]一种用于改善UDSGT产品IGSS漏电问题的工艺方法-CN202211523411.X在审
发明人： 钱佳成;张蕾;刘秀勇;马栋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于改善UDSGT产品IGSS漏电问题的工艺方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：S101：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有深沟槽，所述深沟槽的内壁形成有场氧化层，所述深沟槽内沉积有栅多晶硅；S102：一次刻蚀所述场氧化层，以露出所述栅多晶硅的顶部；S103：刻蚀露出的所述栅多晶硅的顶部；S104：采用部分湿法蚀刻工艺二次刻蚀所述场氧化层，以露出剩余的所述栅多晶硅的端头；S105：在所述半导体衬底上除所述深沟槽外的区域涂覆光刻胶；S106：刻蚀所述栅多晶硅，以去除所述栅多晶硅露出的端头；S107：去除所述光刻胶。通过上述工艺，改善了UDSGT产品的IGSS漏电问题。
一种用于改善 udsgt 产品 igss 漏电问题工艺方法

[发明专利]铝填孔的工艺方法-CN202110458509.0有效
发明人：陈思彤;钱佳成;刘秀勇;陈正嵘;李志国;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝填孔的工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成层间膜。步骤二、将孔形成区域的层间膜去除形成位于层间膜中的第一开口。步骤三、在第一开口的内侧面形成由第二介质层组成的内侧墙，内侧墙在第一开口内围成第二开口；全面刻蚀工艺使内侧墙的顶角圆化，使第二开口的形貌为有利于铝填充的弧形开口形貌。步骤四、以层间膜和内侧墙为掩膜对第二开口底部的半导体衬底进行刻蚀形成第三开口。步骤五、在孔中填充铝层。本发明能提高铝填孔的填充能力，增加工艺窗口，提高填充质量。
铝填孔工艺方法

[发明专利]功率器件制造过程中去除多晶硅残留的方法及其功率器件-CN202110467587.7有效
发明人：刘秀勇;陈正嵘;李志国;钱佳成;陈思彤 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件制造过程中去除多晶硅残留的方法，在半导体衬底中形成沟槽；通过多次填充和多次刻蚀分别形成源多晶硅层和栅多晶硅层，在所述源多晶硅层和所述栅多晶硅层表面之间存在多晶硅残留；在层间电介质层淀积步骤前进行氧化工艺步骤，将所述多晶硅残留氧化成不导电的二氧化硅。与现有技术相比，本发明可以方便得消除小于0.2um，并且通过常规的清洁手段极难去除的多晶硅残留的导电性，提高产品良率及可靠性。
功率器件制造过程去除多晶残留方法及其

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202211336760.0在审
发明人： 钱佳成;彭青海;蔡晓晴;刘冬华;钱文生;马栋;李志国 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底；位于衬底内的第一阱区，第一阱区的导电类型与衬底的导电类型相反；位于第一阱区内的源极区，源极区的导电类型与第一阱区的导电类型相反；第一掺杂层，第一掺杂层位于源极区与第一阱区之间、位于衬底与第一阱区之间、或者位于源极区与第一阱区之间以及衬底与第一阱区之间，第一掺杂层的导电类型与第一阱区的导电类型相同，且第一掺杂层的离子掺杂浓度大于第一阱区内的离子掺杂浓度；贯穿第一阱区的栅极结构，且栅极结构延伸入衬底内，源极区以及第一掺杂层位于栅极结构周围。所述半导体结构及其形成方法减小了沟槽栅的漏电现象，提升了器件性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种用于水产养殖的无人水草梳清船-CN202211332332.0在审
发明人：袁浩;梁时飞;葛前峰;秦云;库金胜;钱佳成;李君颖 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B63B35/32 文献下载
摘要：本发明属于水产养殖设备技术领域，具体涉及一种用于水产养殖的无人水草梳清船，无人水草梳清船根据作业需求调节水草筛除机构的作业深度，且可以自动收放水草筛除机构。可以将梳清的水草运输到船体上暂时存储，方便作业结束后转运至岸上。本发明包括船体、梳草装置、耙草装置，梳草装置的水草筛除机构可以自动收起和放下，在作业过程中也可以根据需求调整水草筛除机构的作业高度；耙草装置可将梳草装置输送来的水草梳耙均匀，摊铺在船体后半部分暂时储存；本发明可以实现无人作业，通过对船体、梳草装置、耙草装置的自动操控，提高作业效率，减少操作人员工作量，并且降低发生安全事故的几率。
一种用于水产养殖无人水草梳清船

[发明专利]沟槽型MOS器件的制作方法-CN202210901226.3在审
发明人：张蕾;钱佳成;刘秀勇;陈正嵘 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOS器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有沟槽，衬底和所述沟槽的表面形成有第一介质层，沟槽外的第一介质层上依次形成有第二介质层和第三介质层；形成第四介质层，第四介质层覆盖沟槽和衬底上方，第四介质层的厚度大于第一介质层的厚度；对沟槽开口处的第四介质层进行刻蚀修饰以增加开口的宽度；在沟槽中形成多晶硅层，多晶硅层的高度低于开口。本申请通过在沟槽型MOS器件的制作过程中，在沟槽和晶圆上形成较厚的介质层后，对沟槽开口处的介质层进行刻蚀修饰以增加开口的宽度，从而降低了后续多晶硅在填充沟槽后产生空隙的几率，提高了器件的可靠性和良率。
沟槽 mos 器件制作方法

[发明专利]用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法-CN202011008913.X有效
发明人： 钱佳成;刘秀勇;陈正嵘;陈广龙;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法。其中T器件包括：衬底层，所述衬底层中形成栅结构，所述栅结构从所述衬底层的上表面向下延伸，在所述栅结构两侧的所述衬底层中，分别形成源极和漏极；所述栅结构包括：屏蔽栅结构，所述屏蔽栅结构包括屏蔽栅介电层，和，包围所述屏蔽栅介电层下部外周的场板氧化层；所述屏蔽栅结构的上部两侧分别形成控制栅结构，所述控制栅结构的外周形成第一热氧化层，所述第一热氧化层的外周形成第二热氧化层。用于改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法，可以解决相关技术中晶圆翘曲的问题。
用于改善晶圆翘曲 sgt 器件及其制作方法

[发明专利]屏蔽栅功率器件制造方法及其功率器件-CN202110467590.9有效
发明人：张蕾;谭艳琼;陈正嵘;丁佳;钱佳成;李志国;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅功率器件制造方法及其功率器件，包括如下步骤：步骤S1，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上刻蚀形成多个深沟槽，步骤S2、刻蚀所述源多晶硅层，定义原胞区和保护环区刻蚀所述原胞区处的所述源多晶硅层，步骤S3、刻蚀所述氧化层，步骤S4、沉积薄膜层，在所述原胞区和所述保护环区同时沉积二氧化硅薄膜层；步骤S5、沉积栅多晶硅层，步骤S6、涂布光刻胶层，在所述栅多晶硅层上涂布光刻胶，形成所述光刻胶层；步骤S7、栅多晶硅回刻，对所述光刻胶层和所述栅多晶硅层进行回刻；使所述原胞区的所述栅多晶硅层与所述半导体衬底上的所述薄膜层齐平，并使所述保护环区无所述栅多晶硅层残留。
屏蔽功率器件制造方法及其

[实用新型]一种用于箱体转运的电动搬运车-CN202122601476.9有效
发明人：伍松;钱佳成;匡灏;张鑫;卻银槐;罗星;夏中楠 -专利权人：杭叉集团股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B66F9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于箱体转运的电动搬运车，包括车架，所述车架的底部四角设置有移动轮，所述车架的前侧设置有载物架总成，所述车架的后侧设置有驱动轮总成以及连接并控制所述驱动轮总成转动的操纵转向总成。上述用于箱体转运的电动搬运车，可以代替人力，解决了中大型箱体在窄道转运的问题，使得中大型箱体如垃圾箱的转运过程更省力，也更加的安全可靠。
一种用于箱体转运电动搬运车

[发明专利]Trench MOS器件的制造方法及结构-CN202111498863.2在审
发明人：张博文;齐笑;钱佳成;张正宇;刘秀勇;陈正嵘 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了Trench MOS器件的制造方法，包括：提供N型外延层，在N型外延层的表面形成硅层；对硅层进行P型离子注入，使硅层改变为P型；对硅层的表面进行N型离子注入，形成N+区；对硅层及N型外延层进行刻蚀形成沟槽，沟槽暴露出一部分N型外延层；在沟槽内形成多晶硅层，在多晶硅层上生长一金属硅化物。在Trench MOS器件的制造方法中，在多晶硅上生长一金属硅化物，能够大幅降低栅极电阻，增强器件导电性。
trench mos 器件制造方法结构

[实用新型]一种箱体转运搬运车用抱夹装置-CN202122601072.X有效
发明人：伍松;钱佳成;匡灏;孙健琛;夏中楠;张鑫 -专利权人：杭叉集团股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B65G47/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种箱体转运搬运车用抱夹装置，包括：用于承载的载物架；与载物架相连的驱动机构，其用于驱动载物架升降；抱紧机构，其具有张开状态和抱紧状态，抱紧机构处于抱紧状态时，其可固定转运箱底部的脚轮；抱紧机构处于张开状态时，其可松开脚轮。使用时，将载物架置于转运箱的底部，使载物架托住转运箱，并使抱紧机构处于抱紧状态，以利用抱紧机构固定转运箱底部的脚轮，从而使转运箱固定于该箱体转运搬运车用抱夹装置。由于该箱体转运搬运车用抱夹装置可固定转运箱，因此可确保转运箱在窄道中进行转运的可靠性和安全性，避免转运过程中因路面存在坑洼或坡度等导致转运箱(如垃圾箱)产生翻转倾倒现象，提升了安全性。
一种箱体转运搬运车用抱夹装置

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