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[发明专利]显影方法-CN202310894285.7在审
发明人： 刘希仕;姚振海;王绪根;朱联合;彭嘉力;李少鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种显影方法，包括：对覆盖在测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层进行第一显影操作；基于第一显影操作前、后覆盖在测试晶片上的光刻胶厚度差与光刻胶厚度差阈值之间的大小关系，确定测试晶片的强显影能力区和弱显影能力区；对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层，进行第二显影操作；当强显影能力区上的光刻胶厚度差大于所述光刻胶厚度差阈值时，和/或，当弱显影能力区上的光刻胶厚度差小于所述光刻胶厚度差阈值时，重复上述步骤直至所有区的光刻胶厚度差一致。
显影方法

[发明专利]一种烘烤热板排气结构及其排气方法-CN202310208454.7在审
发明人： 刘希仕;姚振海;王绪根;朱联合 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种烘烤热板排气结构，属于半导体器件及制造领域。本申请中，通过增加烘烤热板与顶部上层结构之间的高度，达到改善中心区域过显的问题，改善了非感光聚酰亚胺的均匀性，产品品质得到保障，从而避免了由于中心过显导致的产品品质异常。
一种烘烤排气结构及其方法

[发明专利]一种烘烤热板排气结构及其排气方法-CN202310206324.X在审
发明人： 刘希仕;姚振海;王绪根;朱联合 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种烘烤热板排气结构，属于半导体器件及制造领域。本申请中，对涂胶后的烘烤热板进行改造，将之前的中心排气改为侧排，改变气流流动方向，挥发溶剂最终将被排出，不会出现过显的现象，改善了非感光聚酰亚胺的均匀性，产品品质得到保障。
一种烘烤排气结构及其方法

[发明专利]晶圆的清洗方法-CN202010817511.8有效
发明人：刘冲;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合;韩建伟;刘希仕 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆的清洗方法，包括：在晶圆的正面悬涂钝化材料；对晶圆进行烘烤处理；通过药剂对晶圆的边缘区域进行清洁处理，晶圆的边缘区域是从晶圆的边缘向内延伸1毫米至3毫米的环形区域；旋转晶圆，旋转晶圆的转速为2500RPM至3500RPM。本申请通过药剂对晶圆的边缘区域进行清洁处理，再以2500RPM至3500RPM的转速旋转该晶圆，由于通过较高的转速旋转晶圆能够较为彻底地去除晶圆背面的药剂，在一定程度上避免了因为晶圆背面的药剂残留所导致的晶圆斜跨、掉片的几率，提高了制造良率和制造效率。
清洗方法

[发明专利]晶片非感光聚酰亚胺层制作方法-CN202210875036.9在审
发明人： 刘希仕;姚振海;王绪根;朱联合;闻旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种晶片非感光聚酰亚胺层制作方法。所述晶片非感光聚酰亚胺层制作方法包括以下依次进行的步骤：在晶片上涂布非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤；对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。本申请提供了的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，可以解决相关技术在制作非感光聚酰亚胺层时，聚酰亚胺溢流至加热板上，沾污该加热板，使得后续对其他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。
晶片感光聚酰亚胺制作方法

[发明专利]半导体硅片保护层制作方法-CN202010958525.1有效
发明人： 刘希仕;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合;刘冲;韩建伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体硅片保护层制作方法。半导体硅片保护层制作方法包括：使得半导体硅片在低转速状态下匀速旋转；将黏度范围为5cp～80cp的光刻胶，滴涂1.5cc～3cc的量于半导体硅片表面的中心；使得半导体硅片在低转速状态下保持5s～15s时间，扩大光刻胶的覆盖面积；在2s～5s时间段内，使得半导体硅片由低速旋转状态提升至高速旋转状态，甩出多余光刻胶；在高速旋转状态，半导体硅片保持25s～45s时间，使得光刻胶的厚度达到8000A～50000A；通过边缘胶去除工艺，根据预定去边宽度，去除半导体硅片边缘位置处的光刻胶。本申请提供的方案可以解决相关技术中无法检测去边宽度，影响边缘胶去除工艺的准确性的问题。
半导体硅片保护层制作方法

[发明专利]半导体器件的后端处理方法-CN202111437081.8在审
发明人：王绪根;刘希仕;刘秀勇;吴长明;姚振海;陈骆 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的后端处理方法，包括：提供一衬底，该衬底用于形成该半导体器件，衬底上包括多个管芯区域，衬底上依次形成有钝化层和聚酰亚胺层；通过光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出目标区域，在任一管芯区域内，目标区域包括第一图形区域和第二图形区域，第一图形区域小于第二图形区域，从俯视角度观察，第一图形区域位于第二图形区域上方；去除目标区域的钝化层和聚酰亚胺层；去除光阻；在衬底的正面进行贴膜处理，对衬底的背面进行减薄处理；对衬底的正面进行撕膜处理。
半导体器件后端处理方法

[发明专利]版图图形-CN202111438403.0在审
发明人：王绪根;刘希仕;刘秀勇;朱联合;吴长明;姚振海;陈骆 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请公开了一种版图图形，包括：第一图形，其位于管芯区域内，且位于管芯区域的角落；第二图形，其面积大于第一图形的面积，第二图形位于管芯区域内，第二图形和第一图形不重叠；该版图图形应用于对目标晶圆进行光刻处理，目标晶圆上形成有聚酰亚胺层，通过该版图图形进行光刻处理后，目标晶圆上第一图形和第二图形所在的区域暴露，去除第一图形和所述第二图形所在区域的聚酰亚胺层后，需要进行背部减薄处理和正面撕膜处理。本申请通过将管芯区域内面积较小的第一图形设置在管芯区域的角落，从而能够在一定程度上避开撕膜的方向，降低第一图形附近的脱落现象，进而提高了产品的可靠性和良率。
版图图形

[发明专利]解决非感光聚酰亚胺划片道胶残留的方法-CN202110447866.7在审
发明人：王绪根;刘冲;刘希仕;朱联合;栾会倩;吴长明;姚振海;陈骆 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决非感光聚酰亚胺划片道胶残留的方法，在对晶圆进行喷胶之前，先对晶圆进行预润湿步骤，将晶圆表面润湿，提高聚酰亚胺在晶圆表面的流动性，然后进行喷胶、主转速成膜、洗边以及甩干步骤。将晶圆润湿之后能改善晶圆膜厚的形貌，使晶圆边缘的膜厚降低，改善晶圆边缘膜厚波动异常，改善晶圆边缘区域划片道内胶膜残留的问题。
解决感光聚酰亚胺划片残留方法

[发明专利]一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法-CN202110449104.0在审
发明人：程黎明;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合;刘冲;张基智;韩建伟;刘希仕;赵伟冬;巫畅 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于解决晶圆边缘聚酰亚胺残留的方法，在旋转的晶圆表面涂布聚酰亚胺，晶圆边缘残留有聚酰亚胺；对晶圆边缘进行第一次清洗，去除残留在晶圆边缘的聚酰亚胺；对晶圆进行软烘烤；对晶圆边缘进行第二次清洗，去除残留在晶圆边缘的聚酰亚胺。本发明避免了聚酰亚胺的晶边残留，保证了晶圆的正常生产。保证了聚酰亚胺的厚度不受晶圆边缘以及晶圆高转速影响，满足产品对膜厚的需求。
一种用于解决边缘聚酰亚胺残留方法

[发明专利]一种制备短碳纤维铝基复合材料的预分散装置及制备方法-CN201811372841.X有效
发明人：曲迎东;周启文;刘希仕;李广龙;王一;王光磊;李荣德;尤俊华;苏睿明 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C22C47/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备短碳纤维铝基复合材料的预分散装置及制备方法，箱体内水平固定有过滤网，过滤网将箱体分隔为上和下两层，过滤网下侧设有纤维收集屉，纤维收集屉通过滑道连接在箱体上，纤维收集屉能够从箱体的一侧抽出，箱体的内部上层的侧壁固定有进纤维装置。从进纤维装置的进风口处通入气流，将进纤维装置内腔中的碳纤维从滤网中吹入到箱体内；纤维落在过滤网上，会将已经发生小团聚的纤维过滤掉，经过过滤网过滤后的纤维落入纤维收集屉中，抽拉出纤维收集屉，即可方便对分散后的纤维进行收集。本发明具有操作简洁、安全系数高的特性，碳纤维分散均匀且分散程度高，纤维取向多样等优点。
一种制备碳纤维复合材料分散装置方法

[发明专利]一种利用次亚磷酸钠做还原剂碳纤维表面化学镀铜的方法-CN201910120349.1有效
发明人：曲迎东;周启文;李广龙;刘希仕;王一;王光磊;尤俊华;苏睿明 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用次亚磷酸钠做还原剂碳纤维表面化学镀铜的方法，包括以下步骤：（1）预处理：碳纤维预处理依次进行除油处理、粗化处理、中和处理、敏化处理、活化处理和还原处理；（2）配置镀液：以去离子水为溶剂，配置如下成分：五水硫酸铜、次亚磷酸钠、柠檬酸钠、硼酸、硫酸镍、硫脲和氢氧化钠；（3）将预处理后的碳纤维放入配置好的镀液中进行化学镀覆；（4）将镀覆完的镀铜碳纤维先用去离子水冲洗干净，然后放置在真空干燥箱中烘干，最后从真空干燥箱中取出并密封保存。本发明克服传统碳纤维表面化学镀铜镀液中利用甲醛作为还原剂的危害，无毒、无污染、稳定的碳纤维表面化学镀铜的新工艺。
一种利用磷酸钠还原剂碳纤维表面化学镀铜方法

[发明专利]机械结合电磁搅拌制备短碳纤维增强金属基复合材料方法-CN201810471072.2有效
发明人：曲迎东;李广龙;周启文;陈兴旺;刘希仕;王光磊;李荣德;尤俊华 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C22C47/08 文献下载
摘要：本发明涉及金属基复合材料技术领域，涉及一种机械结合电磁搅拌制备短碳纤维增强金属基复合材料的方法。该制备方法同样适用于铝合金、锌合金和铸铁等碳纤维增强金属基复合材料的制备。本方法解决了现有技术中坩埚内熔体达到稳态后，坩埚内流场单一，容易产生纤维分散不均匀，纤维分布取向单一，在熔体内部存在死区的问题；利用机械结合电磁搅拌制备短碳纤维增强金属基复合材料，通过电磁与机械搅拌的协同作用使熔体内部流场变得复杂，从而达到纤维多取向分散。
机械结合电磁搅拌制备碳纤维增强金属复合材料方法

[发明专利]一种预分散处理搅拌制备短碳纤维铝基复合材料的方法-CN201811372842.4有效
发明人：曲迎东;周启文;李广龙;刘希仕;王一;王光磊;李荣德;尤俊华;苏睿明 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C22C47/02 文献下载
摘要：本发明属于铝基复合材料技术领域，涉及一种预分散处理搅拌制备短碳纤维铝基复合材料的方法，步骤如下：将短碳纤维在液体分散剂中进行初步预分散取出并干燥；将干燥后的短纤维在分散盒中利用气体进行预分散；将预分散后的碳纤维加入到熔融铝液中施加机械搅拌；将短碳纤维铝基复合材料从施加机械搅拌的设备中移出并冷却到室温。本发明的方法使得碳纤维分散程度高，纤维取向多向，简单、高效。
一种分散处理搅拌制备碳纤维复合材料方法

[发明专利]一种利用激光熔覆制备短碳纤维增强铝基复合材料的方法-CN201810091173.7有效
发明人：曲迎东;周启文;李广龙;刘希仕;陈兴旺;陈柳萍;李荣德;尤俊华;苏睿明 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用激光熔覆制备短碳纤维增强铝基复合材料的方法，包括将短碳纤维与铝合金粉混合，并在气体保护环境中对碳纤维与铝合金粉的混合物利用激光进行熔覆的过程。本发明的目的是克服传统铸造法制备短碳纤维复合材料时短碳纤维容易出现团聚，导致碳纤维无法均匀分散的弊端，以及克服传统粉末冶金法由于制备温度低于液相线以下，造成碳纤维与铝基体之间结合差的问题。采用本发明专利的工艺方法，利用激光熔覆制备短碳纤维增强金属基复合材料，具有短碳纤维均匀的分布于铝基体中，在碳纤维与铝之间产生一定的界面反应，增强碳纤维与铝之间结合力的优点。
短碳纤维碳纤维制备激光熔覆增强铝基复合材料铝合金粉铝基体短碳纤维复合材料传统粉末冶金气体保护环境增强金属基界面反应复合材料混合物结合力液相线熔覆激光团聚铸造

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