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[发明专利]验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法-CN202310835866.3在审
发明人： 姜冒泉;金乐群;李玉华;陈建;李锦茹 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，包括：若显影后套刻标记图形和刻蚀后套刻标记图形存在所述补偿偏差，则套刻偏差；获取特征图形偏差；根据套刻偏差和特征图形偏差，进行点对点建模以得到拟合曲线，并获取拟合曲线的K值和相关系数R2；根据相关系数R2以及K值，判断利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式是否有效。本申请通过套刻偏差和特征图形偏差建模得到拟合曲线，并通过拟合曲线的相关系数R2和K值，判断利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式是否有效，确保基于AEI OVL量测反馈的准确性和可靠性，从而改善图层最终真实套刻精度。
验证利用 aei ovl 补偿精度是否有效方法

[发明专利]光刻对准的检测方法-CN202310755360.1在审
发明人：郭超;费志平;李玉华;姜冒泉;吴友根;魏育航 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻对准的检测方法，包括：获取对准图形通过粗对准后的第一坐标值，第一坐标值包括第一X坐标值和第一Y坐标值，第一X坐标值是对准图形通过粗对准后得到的X轴方向上的坐标，第一Y坐标值是对准图形通过粗对准后得到的在Y轴方向上的坐标；获取对准图形在精对准后的第二坐标值，第二坐标值包括第二X坐标值和第二Y坐标值，第二X坐标值是对准图形通过精对准后得到的X轴方向上的坐标，第二Y坐标值是对准图形通过精对准后得到的在Y轴方向上的坐标；根据第一差值和第二差值判断是否存在对准错误，第一差值是第一X坐标值和第二X坐标值之间的差值的绝对值，第二差值是第一Y坐标值和第二Y坐标值之间的差值的绝对值。
光刻对准检测方法

[发明专利]光源衰减监测方法和装置、光源寿命测定方法和装置-CN202110690615.1有效
发明人：郭超;金乐群;姚振海;姜冒泉;费志平;肖翔 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光源衰减监测方法和装置、光源寿命测定方法和装置。其中监测方法包括：获取n个预备晶片组，每个预备晶片组中包括m张晶片，其中n和m均为大于1的正整数；使用被测光源以第一光辐射能量，对n个预备晶片组，按照先后顺序依次进行曝光操作，确定对各个预备晶片组进行曝光操作的时刻为使用时间点；获取平均曝光各个预备晶片组中每张晶片的预备片曝光时长；确定由各个预备片曝光时长组成的预备片曝光时长变量，与由各个使用时间点组成的使用时间之间的对应关系。本申请可以解决相关技术中定时进行光源光辐照度测试，以确定该光源衰减的的方法费时费力，不利于机台产能的问题。
光源衰减监测方法装置寿命测定

[发明专利]改善套刻精度的方法-CN202310450454.8在审
发明人： 姜冒泉;金乐群;李玉华;陈建;李锦茹 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种改善套刻精度的方法，提供晶圆，在晶圆上形成有前层结构以及位于前层结构上的当层结构，前层结构上形成有前层套刻标记；在前层结构上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层形成刻蚀图案以及当层套刻标记，之后进行显影后检测，根据前层套刻标记和当层套刻标记获取第一误差；以刻蚀图案为掩膜刻蚀当层结构，用以形成刻蚀后图形，之后进行刻蚀后检测，根据刻蚀后图形获取第二误差，第二误差为刻蚀的偏移量；通过第一、二误差获取补偿值，光刻机的套刻精度补正系统利用补偿值修正当前批次或下一批次晶圆的套刻精度。本发明基于刻蚀后量测特征图形关键尺寸的差异建模表征套刻标记，对当层套刻标记反馈进行补偿，改善了图层套刻精度。
改善精度方法

[发明专利]监控光刻机曝光平台平整度的方法-CN202211244819.3在审
发明人：费志平;姚振海;李玉华;姜冒泉;郭超 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种监控光刻机曝光平台平整度的方法，包括：对裸晶圆进行前层制备；利用套刻量测光罩，在需要监控的光刻机上对测试晶圆进行曝光；量测测试晶圆上阵列式排布的所有曝光区域的当前层套刻标记与前一层套刻标记的套刻偏移量；判断量测到的所述套刻偏移量是否位于预设的偏移量阈值区间内来判定光刻机曝光平台平整度是否存在异常。本申请通过对形成有前层标记的测试晶圆进行曝光，量测测试晶圆上所有曝光区域的套刻偏移量，根据套刻偏移量判定光刻机曝光平台平整度是否存在异常，一方面可以在线监控曝光平台的平整度，节省了人力及机台产能，另一方面通过套刻量测可以精确地监控曝光工件台的异常区域以及平整度异常数据。
监控光刻曝光平台平整方法

[发明专利]晶片对准标记选取方法-CN202210935088.0在审
发明人：郭超;费志平;李玉华;姜冒泉;吴友根;魏育航 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶片对准标记选取方法。晶片对准标记选取方法包括以下步骤：选取与晶片各个前层对应的前层对准标记集合，每个所述前层对准标记集合中包括多种前层对准标记；遍历检测光源集合中的所有检测光源，使得每个所述检测光源分别对所有前层对准标记集合中的各前层对准标记进行检测，确定对应不同前层的最佳对准组合；一对所述最佳对准组合包括一种最佳对准标记和一种检测光源的组合；整合对应同一检测光源的最佳对准组合形成最佳对准集合，各个所述最佳对准集合中包括位于不同前层中的最佳对准标记；基于目标对准标记数量，在各个最佳对准集合中设定各种最佳对准标记的最佳分配数量。
晶片对准标记选取方法

[发明专利]套刻精度的补偿方法-CN202210808458.4在审
发明人： 姜冒泉;姚振海;金乐群;李玉华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻精度的补偿方法，所述方法包括：提供一晶圆，且根据预设规则将所述晶圆划分为至少两个区域，并确定所述晶圆的目标区域；获取各区域的套刻精度量测值，并根据各区域的所述套刻精度量测值得到各区域的套刻精度补偿值；对各区域的套刻精度补偿值进行加权后计算以得到晶圆的配比补偿值。通过本发明解决了现有的未对晶圆边缘区域的套刻精度进行优化补偿的问题。
精度补偿方法

[发明专利]曝光批次的控制方法和系统-CN202210442530.6在审
发明人：郭超;费志平;李玉华;姜冒泉;吴友根;魏育航 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种曝光批次的控制方法和系统，该方法包括：获取曝光设备中当前运行的产品批次的曝光能量；获取后续的产品批次的曝光能量和对准精度；当当前运行的产品批次的曝光能量大于参考能量，且后续的产品批次的曝光能量小于参考能量时，将后续的产品批次中，对准精度的特征值大于等于参考值的排进第一队列，对准精度的特征值小于参考值的排进第二队列，对准精度的特征值越高对对准精度的要求越低；将后续的产品批次的作业顺序按照先运行第一队列，后运行第二队列的顺序进行作业。本申请通过在确定当前运行的产品批次的曝光能量较高时，将后续的产品批次中对对准精度要求不高的优先运行，避免了像差问题，提高了产线的良率。
曝光批次控制方法系统

[发明专利]套刻精度补偿方法-CN202210336650.8在审
发明人： 姜冒泉;李玉华;金乐群;费志平;黄玥程 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻精度补偿方法，包括：将晶圆表面区域划分成至少两个图形区域，其中，至少一个所述图形区域覆盖晶圆的边缘；根据不同的套刻精度需求，为不同的图形区域选择不同的补偿模式，同时，利用各所述补偿模式对各所述图形区域进行对位建模补偿；对所述图形区域分别进行对位、曝光；对晶圆表面区域进行显影；对晶圆表面区域进行套刻精度量测。本申请通过针对晶圆上的不同图形区域分别进行对位，同时选择不同的补偿模式对各图形区域进行对位建模补偿，改善了晶圆的边缘区域的套刻精度，提高了晶圆边缘区域的良率，从而改善了晶圆表面区域的整体套刻精度。
精度补偿方法

[发明专利]图形关键尺寸的量测方法-CN202011468395.X有效
发明人：栾会倩;吴长明;姚振海;金乐群;姜冒泉 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种图形关键尺寸的量测方法，涉及半导体制造领域。该图形关键尺寸的量测方法包括利用曝光机对晶圆上的各个曝光单元进行曝光，所述晶圆被曝光后各个曝光单元上形成的特定图形不相同；利用套刻量测机台量测各个曝光单元上形成的特定图形的关键尺寸；在利用套刻量测机台量测各个曝光单元上形成的特定图形的关键尺寸时，针对各个曝光单元建立不同的参照图形；解决了目前曝光单元上特定图形差异较大时，套刻量测机台采用一个参照图形量测全部曝光单元容易出现报错的问题；达到了避免套刻量测机台量测失败，提高关键尺寸的量测稳定性的效果。
图形关键尺寸方法

[发明专利]去除静电聚集的显影方法-CN202110856795.6在审
发明人：杨伟;姜冒泉;费志平;谷云鹏;吴长明;姚振海;陈骆 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种去除静电聚集的显影方法。去除静电聚集的显影方法包括以下步骤：向曝光后的基片表面喷淋预润液，使得基片上的光刻胶层进行预润湿；使得预润湿后的基片以第一转速高速旋转，向以第一转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋显影液，使得显影液与基片感光区的光刻胶层发生反应；使得喷淋显影液后的基片以第二转速高速旋转，向以第二转速高速旋转的基片光刻胶层上喷淋清洗液，使得清洗液去除反应后的显影液，和残留在感光区中的光刻胶；使得清洗后的基片以第三转速低速旋转，向以第三转速低速旋转的基片上喷淋去离子水，使得去离子水带走基片表面形成的静电电荷；甩干基片表面的去离子水。
去除静电聚集显影方法

[发明专利]硅片平面形变的检测方法-CN202110707320.0在审
发明人： 姜冒泉;金乐群;费志平;王德朋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅片平面形变的检测方法，涉及半导体制造领域。该硅片平面形变的检测方法包括获取硅片，所述硅片上形成有对位标记；将所述硅片放入曝光机台；利用所述曝光机台量测所述硅片上对位标记的位移量；根据量测得到的所述硅片上对位标记的位移量，检测所述硅片在平面内是否发生形变；解决了目前无法检测硅片在平面内形变情况的问题；达到有效监控硅片在平面内的形变情况的效果。
硅片平面形变检测方法

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