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[实用新型]一种水面漂浮物清理机器-CN202320080099.5有效
发明人：蒋琦;代家龙;王峰;王亮;李文文;席云云;汪亚平;张二雄 -专利权人：蒋琦
申请日： 2023-01-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： E02B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水面漂浮物清理机器，包括船体、支架、清理轮和第一旋转驱动件，船体的左侧焊接有支架，支架的内部活动设置有连接轴，连接轴的外部设置有清理轮，清理轮在连接轴上设置有四个，清理轮上开设有腰孔，支架、清理轮和第一旋转驱动件在船体的一侧设置两个，支架、清理轮和第一旋转驱动件关于船体的中心位置对称。本实用新型通过启动第一旋转驱动件，第一旋转驱动件就会使连接轴进行转动，连接轴就会使清理轮转动，清理轮就会将垃圾汇聚在一起，通过传送器进行收集。
一种水面漂浮清理机器

[外观设计]自动温控炉-CN202230771917.7有效
发明人：刘旭焯;王建吉;左煜;翟恒恒;柳全龙;孟小康;张永辉;宋佳音;冯喆;李永博;李馨;张二雄 -专利权人：陇东学院
申请日： 2022-11-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： 23-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：自动温控炉。2.本外观设计产品的用途：本外观设计是用于控温加热使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
自动温控

[发明专利]一种晶圆快速热处理机台的监控方法-CN201911401776.3有效
发明人： 张二雄;黄泽军 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆快速热处理机台的监控方法，对光硅片进行离子注入，形成监控片，且离子注入的杂质在不被完全激活时，进行监控片的电阻值测试；在制作监控片时，对清洗后的光硅片进行处理没有时间限制，同时不需要保存于氮气柜中，简化了监控片制作步骤及技术要求，本发明在简化监控片制作步骤及技术要求的同时，兼顾监控金属前和金属后500~1000℃的温度范围，起到有效监控的目的；防止因机台温度的波动和漂移导致晶圆加工工艺异常及晶圆报废，具有良好的市场应用价值。
一种快速热处理机台监控方法

[发明专利]一种降低VDMOS生产成本的方法-CN201910511087.1有效
发明人：黄泽军;张二雄 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低VDMOS生产成本的方法，包括以下步骤：A、初始氧化层上采用光刻胶做出环区图形和深体区图形，环区图形和深体区图形形成光刻打开区；B、对光刻打开区进行刻蚀，形成深体区及终端环；C、进行高温驱入，生长二次氧化层；D、在有源区进行VDMOS的原胞制作，二次氧化层的保留，为后续源区制作，减少1层光刻做准备；E、生长栅极氧化层，淀积多晶硅栅极；F、做多晶硅栅极的刻蚀，并刻透栅极氧化层，形成体区窗口来制作体区，之后再进行多晶硅的掺杂，同时源区也进行了制作；本发明在保证器件性能的前提下，减少一次光刻及深体区制作过程，来大幅降低成本，成本降低约20%，从而提升器件市场竞争力，具有良好的市场应用价值。
一种降低 vdmos 生产成本方法

[发明专利]一种降低沟槽型DMOS生产成本的方法-CN201910770069.5有效
发明人：黄泽军;张二雄;刘厚超;李何莉 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低沟槽DMOS生产成本的方法，其特征在于，包括以下步骤，生长介质隔离层，并进行退火回流处理，再进行孔层光刻，刻蚀隔离介质层至硅表面，然后去除光刻胶，采用30度角进行源区注入；分4次进行，每注入1次将硅晶片顺时针旋转90度后进行下一次注入，确保器件要形成的源区和终端N型区均可以被注入到；本发明在传统的沟槽型DMOS工艺流程基础上，开发新工艺流程，减少现有技术中F步骤中一次源区光刻层制作过程来大幅降低器件生产成本，并保持器件高性能，具有良好的市场应用价值。
一种降低沟槽 dmos 生产成本方法

[发明专利]一种温度敏感电参数标定方法-CN201810439117.8有效
发明人：张瑾;仇志杰;张二雄 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种温度敏感电参数标定方法，步骤如下：(1)将被测器件的控制极和电流流入极短路；(2)被测器件的电流流入极和电流流出极间通入加热电流，测量此时被测器件的控制极与电流流出极电压；(3)解除被测器件的控制极和电流流入极间的短路，在控制极和电流流出极间施加电压，所加电压值为前一步骤测得的控制极与电流流出极电压；(4)电流流入极和电流流出极间通入测量电流，调节测量电流大小，同时满足电流流入极与电流流出极电压足够大，而测量电流所产生的功耗足够小；(5)用步骤(2)得到的控制极与电流流出极电压和步骤(4)得到的测量电流对被测器件的电流流入极与电流流出极电压进行温度敏感性标定，得到温度敏感电参数曲线。
一种温度敏感参数标定方法

[发明专利]一种改善沟槽型金属氧化物半导体栅源漏电的方法-CN201911220369.2在审
发明人： 张二雄;黄泽军 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善沟槽型金属氧化物半导体栅源漏电的方法，通过避免沟槽侧壁的栅极氧化层遭受P型杂质体区注入和N型杂质源区注入造成的两次损伤，使得沟槽侧壁的栅极氧化层质量完好，起到较好的栅极与源极隔离作用，从而改善器件的栅源漏电，避免因栅源漏电导致的器件质量下降及器件失效，具有良好的市场应用价值。
一种改善沟槽金属氧化物半导体漏电方法

[发明专利]一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法-CN201911030598.8在审
发明人：黄泽军;张二雄;刘厚超;李何莉 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法，包括以下步骤，在硅衬底上的N型外延层上生长热生长氧化层，再淀积氧化层，进行沟槽的刻蚀；生长栅极氧化层，再淀积掺杂的栅极多晶硅；形成器件的栅极，P型杂质注入，形成P型体区；进行纵向的源区光刻，进行N型杂质注入；形成沟槽DMOS的源区；进行纵向的P型浓掺杂区光刻，P型浓掺杂质注入；淀积介质隔离层,淀积钛/氮化钛，再淀积正面金属层形成器件的源极；再生长背面金属层，形成器件的漏极，完成器件的制作；本发明通过改变器件的结构，实现了更小元胞的制作，实现了相同面积导通电阻的降低或相同导通电阻芯片面积的减小，具有良好的市场应用价值。
淀积导通电阻光刻源区金属氧化物半导体热生长氧化层背面金属层介质隔离层栅极多晶硅栅极氧化层正面金属层改变器件沟槽DMOS 市场应用掺杂的掺杂区掺杂质氮化钛沟槽型硅衬底氧化层再生长生长减小刻蚀漏极元胞源极制作芯片

[发明专利]一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法-CN201910511822.9在审
发明人：黄泽军;张二雄 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低浮动误差的VDMOS器件制作方法，包括以下步骤：A、提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层上形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成多晶栅极；B、对多晶栅极进行刻蚀，并刻蚀部分栅极氧化层；C、掺杂离子以设置的注入角度进行体区注入，且分为4次进行，每次注入体区剂量的1/4，且每注入一次将硅晶片在水平面上顺时针旋转90度后进行下一次注入；D、做源区自对准注入；E、做体区和源区的一次性驱入扩散；F、做介质层淀积，并完成孔刻蚀；本发明缩短了器件制作周期、节省了制作程序、降低了器件的生产成本、解决了两次扩散造成器件浮动误差过大的问题，具有良好的市场应用价值。
栅极氧化层刻蚀多晶栅极浮动衬底体区源区顺时针旋转扩散掺杂离子器件制作市场应用制作程序硅晶片介质层一次性注入体自对准淀积制作生产成本

[发明专利]一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法-CN201910282761.3在审
发明人： 张二雄 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法，功率器件表面包括元胞区和终端区，所述元胞区又分为GATE区域和Source区域，位于元胞区内的GATE区域和Source区域刻开区域,其余元胞区和终端区全部覆盖钝化层，所述终端区除钝化层Gate区域和source区域刻开一小块用于封装后引线外，同时在终端区打开一个或多个较小的刻开区，每个刻开区1um~20um宽，总刻开区的面积小于终端区面积的一半；释放终端区钝化层的膜内应力及可动离子，大大减小钝化层对终端区的影响，解决了因可动离子及应力问题导致的器件失效，大大提升器件的功能及可靠性。
终端区钝化层功率器件元胞区可靠性影响可动离子器件失效提升器件应力问题减小元胞封装释放覆盖

[发明专利]一种压接式电力半导体模块测试工装-CN201510601814.5有效
发明人：张瑾;张二雄 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种压接式电力半导体模块测试工装，其矩形底座(08)上加工有压紧杆安装孔，压紧杆(12～15)穿过压紧杆安装孔固定在底座(08)上。底座(08)上还加工有定位销安装孔，定位销(09～11)穿过定位销安装孔固定在底座(08)上。负电极片(07)通过定位销(09～11)定位，放置在底座(08)上。负电极片(07)上依次放置有第二测试件(06)、公共电极片(05)、第一测试件(04)、正电极片(03)和顶部压块(02)。顶部盖板(01)有压紧杆安装孔，顶部盖板(01)穿过压紧杆(12～15)与顶部压块(02)接触；正电极引出片(16)、公共电极引出片(17)和负电极引出片(18)分别与正电极片(03)、公共电极片(05)和负电极片(07)相连。
一种压接式电力半导体模块测试工装

[发明专利]一种晶片快速热处理机台-CN201210295721.0有效
发明人： 张二雄;胡德明;林伟旺;徐家俊;陈元满 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片快速热处理机台，用以实现不同类型的晶片经相同快速热处理工艺后，晶片的表面实际温度准确升高到晶片快速热处理机台预设的晶片的表面温度值。所述晶片快速热处理机台，包括：机台主体、反应室、晶片支撑架、温度探测器，所述晶片快速热处理机台还包括晶片样片承载装置以及晶片样片；所述晶片样片承载装置，设置于所述反应室内，用于承载所述晶片样片；所述温度探测器，用于探测所述晶片样片的表面温度。
一种晶片快速热处理机台

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