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[发明专利]具有可控型栅极电阻的ESD-MOS器件及其制备方法-CN202310162385.0在审
发明人：张雨;俱帅;杜琪;刘厚超;马一洁;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有可控型栅极电阻的ESD‑MOSFET器件及其制备方法，包括：栅极电阻，栅极电阻包括多个栅电阻沟槽，且多个栅电阻沟槽位于器件的有源区的栅极PAD区域和终端区之间，终端区环绕有源区设置；多个金属焊接区，每一金属焊接区分别通过一接触孔连接栅电阻沟槽内的导电多晶硅，金属焊接区用以可控制地接入电阻修调电流，以烧调的方式调整栅极电阻的阻值。有益效果：本发明在版图上设计多个接触孔和金属焊接区，金属焊接区通过接触孔与栅电阻沟槽内的导电多晶硅相连接，通过金属焊接区接入电阻修调电流，以烧调的方式调整栅极电阻的阻值，无需改变版图和多晶硅掺杂浓度，即可实现栅极电阻阻值的调整。
具有可控栅极电阻 esd mos 器件及其制备方法

[发明专利]栅间氧化层的制备方法及屏蔽栅MOS器件的制备方法-CN202310651423.9在审
发明人：张雨;俱帅;刘厚超;马一洁;苏亚兵;杜琪;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅间氧化层的制备方法及屏蔽栅MOS器件的制备方法，包括：步骤S1，于半导体基板中形成有源区沟槽，有源区沟槽中形成有场氧化层以及第一源极多晶硅层，场氧化层的厚度低于第一源极多晶硅层的厚度；步骤S2，形成第一隔离氧化层，且第一隔离氧化层具有空洞；步骤S3，刻蚀第一隔离氧化层，暴露出第一源极多晶硅层；步骤S4，进行杂质注入，形成第二源极多晶硅层，随后通过热氧化法在第二源极多晶硅层表面生成第二隔离氧化层，以形成中间薄两边厚的栅间氧化层。有益效果：利用生成隔离氧化层时产生的空洞，刻蚀后结合热氧化法重新生长第二隔离氧化层，避免直接刻蚀生成栅间氧化层时因厚度过薄导致器件栅源隔离不足而导致漏电异常问题。
氧化制备方法屏蔽 mos 器件

[实用新型]一种沟槽式MOSFET器件-CN202320343009.7有效
发明人： 刘厚超;马一洁;苏亚兵;张雨 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽式MOSFET器件，属于半导体器件领域，包括：至少两个沟槽，分别设置于有源区内的两侧；基体区，设置于沟槽的周向上；重掺杂源区，分别设置于每一沟槽上端部的两侧，且重掺杂源区与沟槽的外壁相接触；接触孔，贯穿重掺杂源区至基体区内；其中，每一沟槽与重掺杂源区相接触的区域朝向重掺杂源区倾斜；和/或接触孔与重掺杂源区相接触的区域朝向重掺杂源区倾斜，以使重掺杂源区的横向尺寸缩小。本实用新型在保持沟槽和接触孔的尺寸不变的情况下，减小重掺杂源区的横向尺寸，最大限度地解除重掺杂源区在横向共同排布对元胞横向尺寸缩小的限制，同时提升了特征导通电阻，降低了功率MOSFET器件的静态功耗。
一种沟槽 mosfet 器件

[发明专利]一种低输入电容和转移电容的晶体管的制备方法-CN202310439100.3在审
发明人：段兵青;刘厚超;马一洁;王继军;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种低输入电容和转移电容的晶体管的制备方法，方法包括，在衬底上生长外延层，在外延层上蚀刻出沟槽；通过热氧化方式在沟槽上和外延层上生长线性氧化层；在沟槽内掺杂与淀积源极多晶硅并回刻，沟槽的上端距离源极多晶硅的顶部具备设定的深度；对线性氧化层进行湿法刻蚀，源极多晶硅侧边的线性氧化层形成有月牙状的腐蚀坑；对源极多晶硅进行蚀刻，使源极多晶硅的顶部和位于源极多晶硅侧边的线性氧化层齐平；本发明通过多次刻蚀源极多晶硅，使得源极多晶硅顶部与线性氧化层刻蚀后形成的小月牙坑的底部平齐，进而减小栅源多晶正对面积，减小输入电容与转移电容。
一种输入电容转移晶体管制备方法

[发明专利]一种SGT MOSFET器件和制造方法-CN202310131193.3在审
发明人：马一洁;刘厚超;张雨;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种SGT MOSFET器件和制造方法，提供第一导电类型重掺杂的衬底层，在衬底层上生长第一导电类型轻掺杂的氮化镓外延层，在氮化镓外延层上依次生长第二导电类型重掺杂的第一氮化镓层和第一导电类型重掺杂的第二氮化镓层；蚀刻形成沟槽，沉积第一氧化层，形成多晶硅层，沉积第二氧化层，在沟槽内的第二氧化层的表面制作控制栅电极，在控制栅电极上形成隔离介质层，蚀刻隔离介质层形成源极接触孔，之后沉积源极金属层。可以保证器件适应更高电压更高温度的环境下工作。
一种 sgt mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法-CN202310301554.4在审
发明人： 刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括：载体，包括第一预定区域和第二预定区域；至少一屏蔽栅沟槽底超结柱区，形成于第一预定区域；至少一屏蔽栅沟槽，形成于第二预定区域，且屏蔽栅沟槽的光刻中心与屏蔽栅沟槽底超结柱区一致；体区，形成于屏蔽栅沟槽的四周的第二预定区域内；源区，形成于体区的上方；介质层，形成于载体的上方；金属层，形成于介质层的上方以及介质层的接触孔内。有益效果：通过在屏蔽栅沟槽的下方形成屏蔽栅沟槽底超结柱区，通过对屏蔽栅沟槽底超结柱区的深度和掺杂浓度的调制，以不同的耐压要求；同时，槽底部分采用硅的P/N结之间深耗尽的方式，大大提升器件Rsp(特征导通电阻)特性。
一种屏蔽沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种增强型终端的屏蔽栅MOSFET器件-CN202310314437.1在审
发明人：张雨;俱帅;杜琪;刘厚超;马一洁;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型终端的屏蔽栅MOSFET器件，包括：一半导体基体，半导体基体的终端区设有至少一第一沟槽，半导体基体的有源区设有至少一第二沟槽；一氧化层，包括终端区厚场氧化层，形成于至少一第一沟槽的侧壁和底部以及半导体基体的上表面；有源区厚场氧化层，形成于至少一第二沟槽的侧壁和底部以及半导体基体的上表面；其中，终端区厚场氧化层的厚度大于有源区厚场氧化层的厚度。有益效果：本发明对器件终端区进行增强型设计，通过将终端区厚场氧化层的厚度设置为大于有源区厚场氧化层的厚度，无需增加沟槽数量，即可提高终端耐压，使得可靠性增强。
一种增强终端屏蔽 mosfet 器件

[发明专利]一种阶梯栅沟槽肖特基势垒二极管器件的制备方法及器件-CN202310098585.4在审
发明人： 刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种阶梯栅沟槽肖特基势垒二极管器件的制备方法及器件，包括：于衬底上形成外延层；进行垫氧化层的生长和肖特基势垒区的注入，去除垫氧化层；刻蚀沟槽，沟槽包括至少一第一沟槽和第二沟槽，并于外延层中形成浮空注入区；生长厚栅氧层，淀积、回刻厚栅氧多晶硅电极；以有源区光罩为阻挡，对厚栅氧层进行预定高度的湿法腐蚀，形成薄栅氧预置区；于薄栅氧预置区的底部和侧壁生长薄栅氧层，淀积、回刻薄栅氧多晶硅电极。有益效果：通过设置肖特基势垒区，调节肖特基势垒和表面电场，通过薄栅氧层的设置增强横向电场，抑制反向漏电；浮空注入区能够延伸电场分布范围，形成另一个截止反向漏电保护锁，提高器件耐压能力。
一种阶梯沟槽肖特基势垒二极管器件制备方法

[发明专利]基于奥维地图的松材线虫病疫情分布图绘制方法-CN202211546773.0在审
发明人：梅爱华;肖之炎;刘厚超;罗家鑫;汪洋;霍军;张艾婧;李进;范亚琼 -专利权人：保绿丰（湖北）生物科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基于奥维地图的松材线虫病疫情分布图绘制方法，包括：S1、建立图层：在PC中打开奥维浏览器，在收藏夹中逐级建立县、乡、村、松树林班、小班图层；S2、疫情分布图绘制：用不同属性的线段勾画出各个县、乡、村、林班、小班的边线，并按松材线虫病调查要求进行标注，形成松材线虫病疫情分布图(矢量数据)；S3、数据分享：将松材线虫病疫情分布图保存在对应的图层，并分享给相关人员。本发明能够缩短疫情分布图绘制的时间，使得防控作业施工各项工作有序进行，提高防控工作效率，缩短作业施工期，加快防控工作进程。
基于地图松材线虫疫情分布图绘制方法

[发明专利]一种豆腐乳粉末的制备方法及豆腐乳粉末-CN202310179088.7在审
发明人： 刘厚超;张小娜;刘水山 -专利权人：广州市粤派食品有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： A23L11/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种豆腐乳粉末的制备方法及豆腐乳粉末，豆腐乳粉末的制备方法包括以下步骤：步骤1，将魔芋甘露聚糖溶解于水中，加入柠檬醛、海藻酸钠混合均匀，升温至60‑70℃，保温2h以上，接着干燥研磨得到物料A；步骤2，豆腐胚加入接种发酵后，加入物料A和配料B，接着破碎成珍珠状，进行后期发酵。步骤3，取步骤2处理后的腐乳，添加配料C，进行煮制，煮制完成后，研磨过筛，喷雾干燥，得到腐乳粉末。本申请制备的腐乳粉具有低盐、风味释放性好且具有良好储存稳定性的腐乳粉，减少腐乳粉变色、结块现象的出现，同时降低生物胺的含量。
一种豆腐乳粉末制备方法

[发明专利]一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构-CN202210924492.8有效
发明人： 刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，于衬底上形成外延层；步骤S2，于外延层中形成至少一个柱区；步骤S3，于外延层中形成浮岛；步骤S4，于外延层中形成浅沟槽，且浅沟槽的底部设有硬掩蔽层，浅沟槽的侧壁设有栅氧化层；以及于外延层中形成深沟槽，深沟槽的底部和侧壁设有场氧化层，浅沟槽和深沟槽内形成多晶硅层；步骤S5，于柱区和浮岛的上方形成体区，然后于体区的上方形成注入区；步骤S6，进行介质层的淀积和多个接触孔的刻蚀，进行金属层的淀积和刻蚀。本发明器件的安全工作区更宽，过电流能力更大，栅极电荷及反向恢复电荷更小，特征导通电阻较低。
一种低压沟槽 mos 器件制备方法结构

[发明专利]一种松材线虫病防控绩效评价方法-CN202211451696.0在审
发明人：肖之炎;梅爱华;刘厚超;程维金;罗治建;蔡明乾;罗家鑫;汪洋;霍军;张艾婧;何帅洁 -专利权人：保绿丰（湖北）生物科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06Q10/0639 文献下载
摘要：本发明提供一种松材线虫病防控绩效评价方法，包括：S1、搭建绩效评估软件平台，包括数据输入模块、数据运算模块、数据输出模块三大模块；S2、数据输入：包括基础数据输入、非数字数据输入和数字数据输入；S3、数据运算：采取综合权重法，选定优化6个重要因子，通过层次分析，定性量化建立函数式。应用SPSS处理调查数据，在Windows SQL数据库下建立评估模型进行防控绩效评价。S4、评价结果输出。本发明根据模型测评的因子和赋分，对松材线虫病防控工作组织管理、方案设计、实施过程、档案管理、防控效果等进行考核评价，分项判研疫情风险趋势。趋势风险评估突出疫情扩散蔓延、危害程度的发生发展趋势，以及新的传入可能性和防治措施有效性与资金保障。
一种松材线虫病防控绩效评价方法

[发明专利]一种降低沟槽型DMOS生产成本的方法-CN201910770069.5有效
发明人：黄泽军;张二雄;刘厚超;李何莉 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低沟槽DMOS生产成本的方法，其特征在于，包括以下步骤，生长介质隔离层，并进行退火回流处理，再进行孔层光刻，刻蚀隔离介质层至硅表面，然后去除光刻胶，采用30度角进行源区注入；分4次进行，每注入1次将硅晶片顺时针旋转90度后进行下一次注入，确保器件要形成的源区和终端N型区均可以被注入到；本发明在传统的沟槽型DMOS工艺流程基础上，开发新工艺流程，减少现有技术中F步骤中一次源区光刻层制作过程来大幅降低器件生产成本，并保持器件高性能，具有良好的市场应用价值。
一种降低沟槽 dmos 生产成本方法

[实用新型]一种全自动食品安全生产的淋水式杀菌锅-CN202122821276.4有效
发明人： 刘厚超;曾琼苗 -专利权人：广州市粤派食品有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： A23L3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全自动食品安全生产的淋水式杀菌锅，包括淋水式杀菌锅本体，淋水式杀菌锅本体的型状为圆柱型，圆柱型的淋水式杀菌锅本体包括一端和外侧部，淋水式杀菌锅本体的一侧设置锅口，该全自动食品安全生产的淋水式杀菌锅还包括防护罩和临时定位凸座，防护罩与盖体相配合，防护罩通过盖体的一侧套设在盖体上，淋水式杀菌锅本体的外侧部且靠近淋水式杀菌锅本体一端的位置设置与防护罩相配合的临时定位凸座。本实用新型当用户打开盖体时，达到对打开的盖体进行防护的使用效果，避免现有技术中盖体只能裸露在外的情况，实现为用户提供一种可临时局部加强防护的使用方式，利于保障食品安全生产和保障食品质量。
一种全自动食品安全生产淋水式杀菌

[实用新型]一种林业树苗种植用固定装置-CN202020329797.0有效
发明人：武利英;刘厚超;李纪梅;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：武利英;刘厚超;李纪梅
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： A01G17/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及林业技术领域，尤其是一种林业树苗种植用固定装置，包括两个底座，两个底座的下端均分别固定连接有加固机构，两个底座的上端均分别铰接有支撑杆，两个支撑杆上端的相对一侧均分别固定连接有固定板，且两个固定板之间为相对设置，两个固定板相对一面均分别固定连接有保护层，两个固定板相对一侧的两端之间均分别设置有紧固机构，紧固机构包括两个连接板，两个连接板分别固定连接在两个固定板相对一侧的同一端上，两个连接板上端均分别开设有缺口，两个缺口之间贯穿设置有螺纹杆，且螺纹杆一端贯穿至其中一个连接板的一侧并通过螺母固定连接。该林业树苗种植用固定装置操作简单、使用方便、实用性强。
一种林业树苗种植固定装置

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