专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种石油开采用运输装置-CN202311088971.1在审
  • 钮军;康文娟;顾欢;黄泽军;廖卫锋;魏耀光;褚方圆;金峰;王露萍;戴新春 - 盐城市佳鑫石化机械制造有限公司
  • 2023-08-25 - 2023-10-20 - B65D90/62
  • 本发明公开了一种石油开采用运输装置,涉及石油运输技术领域,包括运输罐,所述运输罐用于存储石油;油盖机构,所述油盖机构设置于运输罐上,所述油盖机构包括顶盖和底盖,所述底盖上设有进油口,所述顶盖滑动安装于底盖上;阀门组件,所述阀门组件设置于油盖机构一侧,所述阀门组件用于对运输罐内压力进行调节;调控机构,所述调控机构设置于油盖机构和阀门组件之间,所述调控机构包括调节组件和转动组件,所述调节组件用于对转动组件的位置进行调控;密封组件,所述密封组件设置于底盖上,所述密封组件用于对进油口的大小进行调节。本发明通过设置调控机构,解决了现有油罐车的灌油口在开合时耗时耗力的问题。
  • 一种石油开采运输装置
  • [发明专利]DFN未切透不良品检测的治具及使用方法-CN202310662848.X在审
  • 蔡远飞;王建国;黄泽军 - 深圳市锐骏半导体股份有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-10-13 - H01L21/66
  • 本发明属于半导体不良品检测技术领域,公开了一种DFN未切透不良品检测的治具及使用方法,包括基座,所述基座设有用于DFN产品滑动的滑槽;所述滑槽一端的端口宽度设置为待测尺寸上限,另一端的端口宽度设置为待测尺寸下限。本发明通过在滑槽的两端端口分别设置待测尺寸上限和下限,操作者只需将DFN产品在滑槽内拨动,观察DFN产品是否能滑入待测尺寸上限,是否可以卡在上下限端口之间来判断产品是否合格,拨入过程滑槽宽度尺寸依次递减,直至与DFN产品尺寸相同后卡在,测量结束后再拨出,操作简单而且测量精度高,测量效率高,有效提高DFN产品的返工效率,提升返工良率,降低返工成本,提升产品竞争力。
  • dfn未切透不良检测使用方法
  • [发明专利]一种运算加速架构、系统及使用方法-CN202310666093.0在审
  • 周防;黄泽军 - 深圳市锐骏半导体股份有限公司
  • 2023-06-06 - 2023-10-10 - G06F9/28
  • 本申请提供一种运算加速架构,包括:控制器内核;所述控制器内核包括执行单元和寄存器;所述寄存器中设有若干寄存器文件;所述执行单元与所述寄存器文件连接以读写指令或数据;选择器;所述选择器与所述执行单元连接,以接收执行单元的选通指令;所述选择器与所述寄存器文件连接,以根据选通指令设置选通需要的寄存器文件;运算加速器;所述运算加速器与所述选择器连接,以接收所述选择器选通的寄存器文件的数据,进行加速运算后返回计算结果。通过使用一个选择器,在寄存器文件和硬件的运算加速器之间建立一个快速通道,使得在进行加速运算时减少了执行周期、提高了工作效率。
  • 一种运算加速架构系统使用方法
  • [发明专利]一种单通道电容式触摸按键及控制系统-CN202310665041.1在审
  • 杨洲;黄泽军;汪海彬 - 深圳市锐骏半导体股份有限公司
  • 2023-06-06 - 2023-09-19 - H03K17/96
  • 本申请提供一种单通道电容式触摸按键,包括:电路板;所述电路板上设有:脉冲生成模块,用于生成同频同相位并相互间保持稳定压差的第一脉冲信号和第二脉冲信号;触摸件,设在所述电路板的表面并接入第二脉冲信号;触摸处理模块,其中设有比较电路和计数电路;所述计数电路接入第一脉冲信号;所述比较电路的第一输入端接入基准电压Vref,第二输入端与触摸件连接,输出端与所述计数电路连接;所述计数电路根据第一脉冲信号启动计数,然后根据比较电路的翻转信号停止计算,得到的计数结果若超出阀值则输出触摸信号,表示出现触摸情况,不但实现是触摸识别功能,而且将传统的触摸电极与设备地端融合,简化结构、消除误触干扰问题。
  • 一种通道电容触摸按键控制系统
  • [发明专利]集成采样电阻的半导体装置及其制造方法-CN202310988085.8在审
  • 宋贵波;黄泽军 - 深圳市锐骏半导体股份有限公司
  • 2023-08-08 - 2023-09-19 - H01L23/49
  • 本发明公开了一种集成采样电阻的半导体装置及其制造方法,包括:芯片,所述芯片表面设置有第一焊盘和第二焊盘;多根键合引线,每根所述键合引线的两端均分别连接第一焊盘和第二焊盘,沿着多根键合引线排列的方向,相邻键合引线之间错位排列;其中,将所述多根键合引线作为电流采样时的采样电阻。多根键合引线产生的总电感由自感和互感决定,而自感一般可以通过控制打线机的参数调整。受限于芯片尺寸、电气参数等因素,键合引线的长度、直径可以调整的空间有限。本发明通过降低多根键合引线之间的互感来降低总电感。在键合引线长度、直径无法改变的情况下,可以进一步降低多根键合引线构成的采样电阻的寄生电感。
  • 集成采样电阻半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]一种触摸信号识别电路及电子设备-CN202310987989.9在审
  • 黄泽军;汪海彬 - 深圳市锐骏半导体股份有限公司
  • 2023-08-08 - 2023-09-05 - G06F3/041
  • 本申请提供一种触摸信号识别电路,包括:脉冲生成电路;所述脉冲生成电路用于生成PWM信号;触摸感应电路;所述触摸感应电路与所述脉冲生成电路连接,以输入PWM信号到内部的触摸板,触摸板与地间构成等效电容C0,并输出反馈等效电容C0充电时间的感应信号Vo;预处理电路;所述预处理电路与所述触摸感应电路连接,用于对触摸感应电路输出的感应信号Vo进行预处理,并输出预处理信号Va;信噪比提升电路;所述信噪比提升电路与所述预处理电路连接,通过对预处理信号Va进行降噪处理,以消除各过程中的干扰信号并获得触摸信号Vout。
  • 一种触摸信号识别电路电子设备
  • [发明专利]一种框架结构-CN202310923366.5在审
  • 宋贵波;黄泽军 - 深圳市锐骏半导体股份有限公司
  • 2023-07-26 - 2023-08-29 - H01L23/495
  • 本发明提供一种框架结构,属于半导体封装制造领域,包括塑封体和芯片,还包括电连接材料、第一框架和第二框架,芯片设置在第一框架上,且芯片的底端与第一框架电性连接,电连接材料的另一端与第二框架连接,塑封体塑封在芯片、电连接材料、第一框架和第二框架的外侧,被塑封体包裹的第一框架和第二框架的底部均设置为粗糙结构面,粗糙结构面防止塑封体与第一框架和第二框架分层。通过使用框架铜板作为载体,也作为输出电极,满足功率半导体塑封中的过电流输出的能力,同时又可以节省载体,将塑封体积更小,把框架铜板的背部设置为内凹陷的粗糙结构,避免塑封体与铜板分层的情况,同时框架铜板上不用设计连接孔,框架铜板可以存放更多的芯片。
  • 一种框架结构
  • [发明专利]一种沟槽功率器件及其制造方法-CN202310920524.1在审
  • 黄泽军;蔡远飞;江洪湖;华俊武;于蒙蒙 - 深圳市锐骏半导体股份有限公司
  • 2023-07-26 - 2023-08-25 - H01L29/423
  • 本发明涉及一种沟槽功率器件的制造方法,包括提供衬底及设置于衬底上的外延,第一硬掩膜层形成有第一窗口,在第一窗口注入P型杂质形成P型体区和P型耐压环;去除第一硬掩膜层,在氧化硅层上方沉积第二硬掩膜层,第二硬掩膜层形成有第二窗口,在第二窗口注入高能N型杂质,且高能N型杂质在P型体区下方形成有JFET掺杂区;在第二窗口注入N型杂质,使P型体区内形成N+源区;淀积氧化硅或氮化硅介质层并回刻于第二窗口形成侧墙结构;在第二硬掩膜层和侧墙结构的遮挡下,通过第二窗口刻蚀外延形成沟槽;通过光罩刻蚀层间介质层形成第三窗口,在第三窗口注入P型杂质形成P+欧姆接触,采用炉管退火或快速热退火激活P+欧姆接触。
  • 一种沟槽功率器件及其制造方法

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