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[发明专利]具有再生长触点的半导体装置和制作方法-CN201811619600.0在审
发明人：黄振华;岳远征 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及具有再生长触点的半导体装置和制作方法。一种半导体装置的实施例包含：半导体衬底，包含沟道；第一电介质层，安置在半导体衬底上方；以及再生长触点，被形成为穿过第一电介质层中的第一开口。再生长触点包含：再生长区，形成于半导体衬底上方；悬突区，联接到再生长区并且形成于第一电介质层上方、在第一开口附近；以及导电帽盖，形成于再生长区和悬突区上方。一种用于制作半导体装置的方法包含：在半导体衬底上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成第一开口；在第一开口内且在第一电介质层上方形成再生长半导体层；在再生长半导体层上方形成导电帽盖；以及对导电帽盖外部的再生长半导体层进行蚀刻
再生长电介质层半导体装置衬底触点再生长半导体层半导体导电帽盖开口制作蚀刻沟道穿过安置外部

[发明专利]氮化镓再生长中的杂质还原技术-CN202180076976.5在审
发明人： J·G·费奥雷恩扎;D·皮埃德拉 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：描述了在GaN再生长中减少杂质掺杂剂的各种技术。在第一种技术中，可以在再生长GaN层之前的再生长界面处形成阻挡层，例如AlN。阻挡层可以在再生长界面处掩埋杂质，并减少它们对包括器件(例如晶体管)的沟道的上面的层的影响。在第二种技术中，可以在再生GaN层之前在再生界面处形成缓冲层，例如碳掺杂的GaN层。在第三种技术中，可以在GaN再生长之前进行氢烘烤处理。氢可以在再生长界面解吸GaN薄层，这是杂质浓度最高的GaN层。
氮化再生中的杂质还原技术

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510288803.6有效
发明人：光心君;余宗兴;许义明;李俊毅;刘佳雯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，包括衬底和再生长区域。衬底由具有第一晶格常数的第一材料制成，并且再生长区域由第一材料和第二材料制成，具有不同于第一晶格常数的晶格常数。再生长区域部分地位于衬底中。再生长区域具有从衬底的表面处到再生长区域的最宽处的顶点处垂直测量的“尖端深度”，并且尖端深度小于10nm。再生长区域还包括基本由第一材料制成的顶层，并且所述顶层基本具有第一晶格常数。本发明还提供了一种用于制造半导体结构的方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种单晶再生长方法-CN202110793429.0在审
发明人：胡昌勇;李勇 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶再生长方法，包括以下步骤：S1、将单晶生长所需的籽晶和物料封装在石英管中，投入单晶炉中完成一次单晶生长后出炉；S2、检查石英管密封性是否完好，若完好即进入S3，否则进入S9；S3、对石英管顶部进行加热处理，使石英帽内壁附着的物料气化转移；S4、透过石英帽观察晶体尾部是否存在缺陷，若存在缺陷则进入S5，否则进入S9；S5、将石英管重新投入单晶炉中，调高温度使晶体熔化；S6、改变单晶再生长的生长参数；S7、控制单晶再生长时籽晶的熔融深度；S8、完成单晶再生长后出炉。本发明在一次单晶生长完成的基础上，判断达到再生长的条件后，再次投炉进行单晶再生长的过程。提高了单晶体的纯度的同时也提高了原料利用率。
一种再生方法

[发明专利]肖特基二极管的制备方法-CN201910967981.X有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;周幸叶;谭鑫;韩婷婷;梁士雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；在所述第一n型氧化镓层上制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；其中，所述再生长掩膜层的厚度与所述第二n型氧化镓层的厚度满足预设条件；通过湿法腐蚀将所述再生长掩膜层和所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层去除，形成凹槽结构；在形成凹槽结构后，淀积绝缘介质层；将与所述凹槽结构对应区域以外的绝缘介质层去除；生长阳极和阴极。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法-CN202310293881.X在审
发明人：白俊春;程斌;平加峰;汪福进 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、再生长凹槽制作及再生长；三、阴极制作；四、介质层生长；五、阳极制作。其利用再生长形成的垂直方向上的2DEG(二维电子气)，可以显著提高二极管的正向电流；同时利用再生长形成的PN结，可以均匀地分散峰值电场，改善电场集中效应，提高击穿电压，并且，反向时，PN结相比于肖特基结可以更加有效地减小反向漏电
具有垂直 algan gan 异质结高压肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种促进全株青贮水稻再生稻桩快速发芽生长的方法-CN202310074291.8在审
发明人：唐家川;刘忠义;李旭毅;欧阳裕元;李达昌;吕宗良;李海波;王来泉;李冠良;吕程 -专利权人：四川吉隆达生物科技集团有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： A01G22/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种促进全株青贮水稻再生稻桩快速发芽生长的方法，涉及水稻种植技术领域。通过土壤翻垦、稻苗种植、头季稻施肥、头季稻秸秆收割、稻桩灌水、再生稻施肥、定期除虫、再生稻收割等步骤进行生长。通过针对收获全株青贮水稻为目的的特点，特别设计了可促进水稻茎、叶和根系生长的专用配方肥料来调控稻秧生长，具有很强的针对性和适用性，显著提高农户种植效益，保障粮食产量，再生季稻谷产量高，能达到普通种植模式中头季稻的产量水平，几乎不会降低粮食产量，通过降低再生季稻谷的管理难度，减少农药用量，在头季稻的种植管理时，通过对水稻的生长调控，使再生稻桩具备良好的生长发育条件，增强稻桩抗机械损伤能力。
一种促进青贮水稻再生快速发芽生长方法

[发明专利]基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法-CN202110225408.9有效
发明人：马晓华;周雨威;宓珉瀚;祝杰杰;韩雨彤;张濛;王鹏飞;侯斌;杨凌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：采用干法刻蚀工艺对GaN基异质结的欧姆区域进行刻蚀，形成欧姆再生长区域以进行欧姆再生长；S3：在器件表面外延生长n+GaN层；S4：采用干法刻蚀工艺对n+GaN层进行自终止刻蚀，去除欧姆再生长区域之间的n本发明的制备方法，简化了欧姆再生长的制备工艺，同时延续了常规欧姆再生长技术的优势。
基于欧姆再生 gan 射频功率器件及其制备方法

[发明专利]包含芹菜素的皮肤再生以及毛发生长促进用组合物-CN201980074400.8在审
发明人：辛承炫;金秀娜;朴元锡 -专利权人：株式会社爱茉莉太平洋
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： A61K8/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含芹菜素的皮肤再生以及毛发生长促进用组合物，更具体地，所述皮肤再生以及毛发生长促进用组合物通过Wnt/β连环蛋白(Wnt/beta‑catenin)信号传导来促进细胞分化，从而表现出皮肤再生以及毛发生长促进效果
包含芹菜皮肤再生以及毛发生长进用组合

[发明专利]组织再生用基材-CN200680032611.8无效
发明人：筏义人;铃木茂彦;平嗣良;高桥佳丈;富畑贤司 -专利权人：郡是株式会社
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： A61L27/00 文献下载
摘要：本发明提供组织再生用基材，其具有碱性成纤维细胞生长因子(bFGF)等细胞生长因子的缓释能力，且细胞易于浸润，适于组织的再生。具体而言，涉及在含胶原及明胶的活体吸收性多孔基材中含有细胞生长因子而成的组织再生用基材，以及其制造方法。
组织再生基材

[发明专利]一种再生长GaN肖特基二极管及其制造方法-CN202010822589.9在审
发明人：张凯;朱广润;牛斌;王登贵;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种再生长GaN肖特基二极管及其制造方法，该二极管结构自下而上包括衬底和高阻缓冲层，在所述高阻缓冲层上依次设有再生长n+GaN层和再生长n‑GaN层，所述再生长n+GaN层上方设有阴极，所述再生长本发明能够解决材料连续生长的应力及其掺杂浓度问题，不仅可以大幅提高n+GaN层掺杂浓度并降低串联电阻，提高二极管功率与效率，还能维持GaN高阻缓冲层的无应力或者低应力状态，有利于实现薄膜工艺与太赫兹电路
一种再生 gan 肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种促进再生稻的根生长的生长调节剂及其施用方法-CN201810600676.2有效
发明人：肖浪涛;苏益;王若仲;蔺万煌;童建华;赵静;黄超 -专利权人：湖南农业大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： A01N45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种促进再生稻的根生长的生长调节剂及其施用方法。该生长调节剂，其植物激素组成为：2,4‑表油菜素内酯、赤霉素、3‑吲哚乙酸。本发明调节剂能有效促进再生稻新根的生成及根的生长，可使再生稻增产17％，其效果显著好于2,4‑表油菜素内酯、赤霉素和3‑吲哚乙酸单独使用或其中的二种混用。
一种促进再生生长调节剂及其施用方法

[发明专利]苄草唑在促进水稻蘖芽分化和再生稻种植中的应用-CN202110406071.1有效
发明人：肖浪涛;苏益;肖理为 -专利权人：湖南农业大学
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： A01N43/50 文献下载
摘要：本发明公开了苄草唑在促进水稻蘖芽分化和再生稻种植中的应用。所述苄草唑能够用于促进再生稻的生长和水稻蘖芽分化，对再生稻的生长具有调控作用，对环境污染小，可以广泛应用于不同区域，不同水稻品种的再生稻种植中，对再生稻种植有明显的增穗增产作用。
苄草唑促进水稻分化再生稻种中的应用

[发明专利]使用空隙部分移除器件的基板-CN202080033631.7在审
发明人：神川刚;M.阿拉基;S.甘德罗图拉 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：外延横向过生长(ELO)III族氮化物层在沉积在基板上的生长限制掩模的开口区域上或上方生长，其中ELO III族氮化物层和/或随后再生长层的生长形成一个或多个空隙。III族氮化物器件层生长在ELO III族氮化物层和/或再生长层上或上方。将应力施加到基板处的断裂点，其中空隙有助于施加应力，使得从基板移除由III族氮化物器件层、ELO III族氮化物层和再生长层构成的器件的条。空隙从生长限制掩模释放应力，这有助于防止裂缝。避免生长限制掩模的分解以防止p型层的补偿。
使用空隙部分器件

[发明专利]肖特基二极管的制备方法-CN201910967615.4有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;周幸叶;谭鑫;韩婷婷;梁士雄;卜爱民;许春良 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上外延第一n型氧化镓层；制备再生长掩膜层；其中，所述再生长掩膜层位于待制备的凹槽结构所对应的区域；制备再生长掩膜层后，外延第二n型氧化镓层；制备第一阳极金属层；将所述再生长掩膜层、所述再生长掩膜层上方的所述第二n型氧化镓层和所述再生长掩膜层上方的所述第一阳极金属层去除，形成凹槽结构；淀积绝缘介质层；将第一区域的绝缘介质层去除，保留第二区域的绝缘介质层，其中，所述第一区域位于所述第一阳极金属层所对应的区域范围内
肖特基二极管制备方法

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