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[发明专利]在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片-CN201910604535.2有效
发明人：吴兰峰;蒋秀林;张俊兵 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明涉及在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片，选择性掺杂结构包括轻掺杂区和重掺杂区，制备方法包括以下步骤：在硅片的受光侧或背光侧由内至外依次设置第一杂质源层、阻挡层和第二杂质源层，第二杂质源层中的杂质源与第一杂质源层中的杂质源相对于硅片的掺杂属性相同，且第二杂质源层中的杂质源的浓度更高；通过高温推进方式使得第一杂质源层中的杂质源掺杂进硅片中并在硅片表面形成面状的轻掺杂区；通过激光推进方式在指定区域内使得第一杂质源层和第二杂质源层中的杂质源向硅片内推进，形成重掺杂区。本发明实施例的制备方法使制备所得的轻掺杂区的表面掺杂浓度更低，重掺杂区的表面掺杂浓度更高，且该制备方法清洁无污染。
硅片制备选择性掺杂结构方法太阳能电池

[发明专利]降低高压互连影响的横向器件及制备方法-CN202010358355.3有效
发明人：周锌;师锐鑫;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高压互连影响的横向器件及制备方法，包括第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漂移区、第一型掺杂杂质外延层、绝缘埋层、第二型掺杂杂质衬底、源电极、栅电极、漏电极、栅氧化层、硅局部氧化隔离氧化层，通过不同的工艺步骤分别形成高压互连区的第一型掺杂杂质漂移区和非高压互连区的第一型掺杂杂质外延层，改变高压互连区的漂移区掺杂浓度，增强了高压互连区漂移区耗尽能力
降低高压互连影响横向器件制备方法

[发明专利]一种降低高压互连影响的横向高压器件-CN202010358929.7有效
发明人：周锌;师锐鑫;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高压互连影响的横向高压器件，包括第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质外延层、第一型掺杂杂质漂移区、绝缘埋层、第二型掺杂杂质衬底、源电极、栅电极、漏电极、栅氧化层、硅局部氧化隔离氧化层，器件高压互连区的漂移区设置为线性变掺杂，降低高压互连线对器件表面电场的影响，提高器件击穿电压。
一种降低高压互连影响横向器件

[发明专利]降低高压互连影响的器件结构及制造方法-CN202010354969.4有效
发明人：周锌;师锐鑫;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高压互连影响的器件结构及制造方法，包括非高压互连区和高压互连区：非高压互连区包括第二型掺杂杂质衬底、埋氧化层、第一型掺杂杂质外延层、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、场氧化层、栅氧化层，高压互连区结构包括第二型掺杂杂质衬底、埋氧化层、第一型掺杂杂质外延层、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质接触区、场氧化层
降低高压互连影响器件结构制造方法

[发明专利]降低高压互连影响的横向器件及制备方法-CN202010355723.9有效
发明人：周锌;师锐鑫;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高压互连影响的横向器件及制备方法，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质顶层结构、栅氧化层、埋氧化层、硅局部氧化隔离氧化层、栅电极、源电极和漏电极，在所述器件的高压互连区设置高浓度掺杂的第二型掺杂杂质顶层结构。
降低高压互连影响横向器件制备方法

[发明专利]具有低比导通电阻的横向高压器件-CN201811288618.7在审
发明人：周锌;赵凯;马阔;王睿迪;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低比导通电阻的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的正上方及左右两侧的介质层中还设置有n个电极，n≥2，n个电极中任意两电极在第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区的方向上的投影之间有间隔
掺杂杂质阱区横向高压器件电极比导通电阻导通电阻介质层耐压电位多晶硅栅降低器件漏极金属有效缓解源极金属左右两侧接触区漂移区衬底漏区偏置源区半导体投影矛盾

[发明专利]一种具有低比导通电阻的横向高压器件-CN201811290760.5在审
发明人：周锌;赵凯;马阔;王睿迪;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低比导通电阻的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的正上方及左右两侧的介质层中还设置有n个电极，n≥2，n个电极中任意两电极在第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区的方向上的投影之间有间隔
掺杂杂质阱区横向高压器件电极比导通电阻导通电阻介质层耐压电位多晶硅栅降低器件漏极金属有效缓解源极金属左右两侧接触区漂移区衬底漏区偏置源区半导体投影矛盾

[发明专利]具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件-CN201910456675.X有效
发明人：周锌;赵凯;师瑞鑫;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、栅氧化层、埋氧层、栅电极、源电极和漏电极；多个绝缘埋层覆盖第一型掺杂杂质漂移区和第二型掺杂杂质阱区的交界处；本发明提供的横向高压器件可减少瞬时光电流的产生并避免寄生效应引起器件的烧毁，以此来提高器件抗瞬时剂量率辐射的能力
具有瞬时剂量率辐射加固结构横向 soi 高压器件

[发明专利]具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件-CN201910203095.X有效
发明人：周锌;张凌芳;李治璇;王睿迪;乔明;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、栅氧化层、埋氧层、栅电极、源电极和漏电极；在所述的第二型掺杂杂质阱区和第一型掺杂杂质漂移区交界的地方还设置有绝缘介质埋层，本发明提供的横向高压器件可减少瞬时光电流的产生并避免寄生效应引起器件的烧毁，以此来提高器件抗瞬时剂量率辐射的能力
具有瞬时剂量率辐射加固结构横向 soi 高压器件

[发明专利]一种具有多电极结构的横向高压器件-CN201510099115.5有效
发明人：乔明;周锌;李阳;代刚;陈钢;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源极金属和漏极金属；其特征在于，在所述第二型掺杂杂质阱区到第一型掺杂杂质阱区之间区域的上方的介质层中还设置有n个电极，n≥2，所述n个电极中任意两电极在横向方向上的投影之间有间隔，且每个电极偏置在不同的电位。
一种具有电极结构横向高压器件

[发明专利]外延结构层及其制备方法和LED芯片-CN202210774776.3在审
发明人：郭园;王淑娇;黄理承;宋长伟;吕腾飞;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：外延结构层，包括依次设置于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层靠近衬底；第一缓冲层掺杂有第一碳杂质和第一氢杂质；第二缓冲层掺杂有第二碳杂质和第二氢杂质；第一碳杂质的掺杂浓度大于第一氢杂质的掺杂浓度；第二碳杂质的掺杂浓度小于第一碳杂质的掺杂浓度，第二氢杂质的掺杂浓度小于第一氢杂质的掺杂浓度。
外延结构及其制备方法 led 芯片

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201310113277.0有效
发明人：何永根;陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括在半导体衬底上形成栅介质层；对栅介质层进行杂质掺杂，用于调整晶体管的功函数；进行杂质掺杂后，在栅介质层上形成栅极。本发明对栅介质层进行杂质掺杂，可以在栅介质层中形成功函数调整区。而且，该杂质掺杂过程可以有效控制杂质掺杂的浓度、时间，可以形成均匀掺杂并避免掺杂杂质扩散进入衬底。另外，对栅介质层进行杂质掺杂而不再形成功函数调整层，可以相应减小晶体管的厚度尺寸，有利于半导体技术向更小特征尺寸迈进，促进半导体工艺的进步。
晶体管形成方法

[实用新型]单向TVS结构-CN201621397423.2有效
发明人：何慧强 -专利权人：东莞市阿甘半导体有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供了一种单向TVS结构，包括衬底，掺杂有第一类型杂质；第一掺杂区，设置在该衬底的顶面上并掺杂有第二类型杂质；第二掺杂区，设置在该衬底的底面下方并掺杂有第一类型杂质；至少一个第三掺杂区，设置在该衬底的底面下方并掺杂有第二类型杂质；以及导电层，设置在该第三掺杂区下方并将该第二掺杂区和第三掺杂区电性连接。
单向 tvs 结构

[发明专利]二极管及其制造方法-CN202110459130.1有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管的制造方法，二极管的横向接触的第一掺杂区和第二掺杂区的形成步骤包括：步骤一、在半导体衬底表面上形成第二导电类型的第三掺杂区；步骤二、进行第一导电类型杂质注入在第三掺杂区中形成第一注入层；步骤三、对第一掺杂区的形成区域中的所述第一注入层的杂质进行选择性退火激活，第一掺杂区的形成区域外的所述第一注入层的杂质未被退火激活；第一掺杂区中，激活后的第一注入层的杂质浓度大于第三掺杂区的杂质浓度并形成净掺杂为第一导电类型掺杂的所述第一掺杂区；第二掺杂区中包括第一注入层的未被激活杂质，第二掺杂区的掺杂类型由第三掺杂区掺杂类型确定。
二极管及其制造方法

[发明专利]具有分流孔的浪涌保护器-CN202211572032.X在审
发明人：陈盛隆;叶敏 -专利权人：派克微电子（深圳）有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：N型衬底包括第一N型杂质掺杂区、第二N型杂质掺杂区、P型杂质掺杂区。第一N型杂质掺杂区位于N型衬底的一端，第一N型杂质掺杂区内部设置有第一分流孔，第一分流孔之间设置有间距。第二N型杂质掺杂区位于N型衬底的另一端，第二N型杂质掺杂区的内部设置有第二分流孔，第二分流孔之间设置有间距。第一分流孔和第二分流孔可分散电流，P型杂质掺杂区设置于N型衬底的中部。第一N型杂质掺杂区的一端连接有第一电极，第二N型杂质掺杂区的一端连接有第二电极。有效解决了现有的VDMOS管或某些集成电路的公共端均容易受到大电流危害的技术问题。
具有分流浪涌保护器

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