“H01L25/04”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果285个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]六边形盒状三维探测器-CN201920424816.5有效
发明人：李正;张亚;廖川;路顺茂 -专利权人：李正
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种六边形盒状三维探测器，该探测器由数个探测单元排列组成，探测单元的外部呈正六棱柱，探测单元包括硅基底，硅基底上固定有中空的壳形电极，壳形电极内填充有探测基体，探测基体顶部中间镶嵌有中央收集电极，壳形电极和中央收集电极顶部附着有氧化层，探测基体顶部附着有金属层；本实用新型制备的探测器结电容和信号噪声小，死区比例小，电流信号间不会相互干扰，探测器的位置分辨率和能量分辨率高；探测器内部的电场分布均匀，且粒子能够双面入射，工作效率高，能使用电池驱动，方便携带。
探测器探测单元电极壳形本实用新型探测收集电极硅基附着工作效率高能量分辨率三维探测器位置分辨率六边形电场分布电池驱动电流信号信号噪声结电容金属层六棱柱氧化层中空的盒状入射死区制备填充粒子镶嵌携带外部

[实用新型]三维双面硅微条探测器-CN201920424893.0有效
发明人：李正;张亚 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三维双面硅微条探测器，包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体，上部探测单元的上沟槽电极内均匀嵌有相互平行的上半导体基体，上半导体基体内嵌有上中央电极；下部探测单元的下沟槽电极内均匀嵌有相互平行的下半导体基体，下半导体基体内嵌有下中央电极；上半导体基体、上沟槽电极、上中央电极、下半导体基体、下沟槽电极和下中央电极高度相等；下部探测单元位于上部探测单元正下方，且两者在水平方向错开一定角度。上半导体基体、下半导体基体和中间半导体基体的掺杂浓度为1×10¹²cm^‑3；上沟槽电极、上中央电极、下沟槽电极和下中央电极的掺杂浓度均为1×10¹⁸～5×10¹⁹cm^‑3。
半导体基体探测单元中央电极电极嵌有上沟槽下沟槽半导体基平行掺杂体内水平方向错开本实用新型高度相等探测器微条三维

[实用新型]一维排列双面错嵌式三维探测器及其阵列-CN201920425039.6有效
发明人：李正;张亚 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种一维排列双面错嵌式三维探测器及其阵列，包括第一沟槽电极和第二沟槽电极，第一沟槽电极刻蚀在第三半导体基体上表面，第二沟槽电极刻蚀在第三半导体基体下表面；第一沟槽电极内嵌有第一中央电极，第一中央电极和第一沟槽电极间填充有第一半导体基体；第二沟槽电极内嵌有第二中央电极，第二沟槽电极和第二中央电极间填充有第二半导体基体；第一沟槽电极和第二沟槽电极的外宽均为2R_X，第二沟槽电极位于第一沟槽电极下方，且两者垂直相距d3、水平相距Rx。第一沟槽电极和第二沟槽电极规格相同；第一中央电极和第二中央电极规格相同。一维排列双面错嵌式三维探测器阵列由一维排列双面错嵌式三维探测器并排排列组成。
沟槽电极中央电极半导体基体三维探测器一维排列嵌式刻蚀内嵌填充本实用新型相距并排排列上表面下表面垂直

[实用新型]倒嵌梯形盒状三维探测器-CN201920424370.6有效
发明人：李正;张亚 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒嵌梯形盒状三维探测器，该探测器由探测单元排列形成，探测单元的外形呈六面体，上下表面均为矩形，四个侧面两对面形状相同，为两个矩形和两个等腰梯形；探测单元包括探测器基体，探测器基体上依次附有氧化层b和金属层b，在金属层b上固定有壳型电极，在壳型电极中填充有灵敏区，在灵敏区顶部的中间设有中央收集电极，中央收集电极上附有金属层a，灵敏区上附有氧化层a；本实用新型制备的探测器，内部无死区存在、电荷收集效率提高，耗尽电压低、电容小，产生的噪音小，位置分辨率和能量分辨率高。
探测器探测单元金属层灵敏区本实用新型三维探测器收集电极梯形盒氧化层电极壳型电荷收集效率能量分辨率位置分辨率等腰梯形上下表面电压低六面体电容死区制备耗尽填充噪音侧面

[实用新型]方形盒状三维探测器-CN201920424766.0有效
发明人：李正;张亚;廖川;路顺茂;刘美萍 -专利权人：湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方形盒状三维探测器，探测器由数个探测单元排列而成，探测单元包括底部的芯片基底，芯片基底上固定有壳形电极，壳形电极包括底面和侧壁，壳形电极内部填充有探测基体，探测基体顶部中间镶嵌有中央收集电极，中央收集电极与壳形电极顶部附有金属层，探测基体顶部附有氧化层；探测器的位置分辨率、能量分辨率和电荷收集效率提高，探测器的全耗尽电压低，能够使用电池进行驱动，携带方便，且能够双面检测入射粒子，工作效率高。
电极壳形探测器三维探测器探测方形盒状收集电极探测单元基底芯片电荷收集效率本实用新型工作效率高能量分辨率位置分辨率内部填充双面检测携带方便电压低金属层氧化层侧壁底面入射耗尽粒子镶嵌电池驱动

[发明专利]包括具有阶梯状边缘的模制层叠晶片的半导体封装-CN201610638022.X有效
发明人：文钟奎;金钟元;朴完春 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：包括具有阶梯状边缘的模制层叠晶片的半导体封装。一种半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层、外部封装部件和阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。外部封装部件可以具有凹槽，第一半导体晶片和第二半导体晶片的层叠结构被容纳在所述凹槽中。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。模制层的外侧壁的一部分可以与外部封装部件的内表面的一部分接触，外部封装部件的内表面可以通过阶梯状边缘来与第一半导体晶片的侧壁间隔开。
包括具有阶梯边缘层叠晶片半导体封装

[实用新型]图像传感器及电子设备-CN201920269611.4有效
发明人：姜迪;王腾;张大龙 -专利权人：苏州多感科技有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图像传感器及电子设备，图像传感器包括传感器单元阵列，传感器单元阵列包括多个传感器单元，多个传感器单元阵列排布；每个传感器单元用于生成成像物体的部分尺寸图像，且每个传感器单元包括至少一个互联结构；包覆传感器单元阵列的封装层，封装层暴露出每个传感器单元的互联结构；位于封装层一侧的重布线层，重布线层与互联结构电连接；位于重布线层远离封装层一侧的电路板，电路板与重布线层电连接。采用上述技术方案，在不影响成像质量的情况下，能够有效的减小整个图像传感器的总体积，易于实现图像传感器小型化设计，并且节省成本；并且，通过图像传感器采用扇出型封装结构，封装效果好。
图像传感器传感器单元阵列传感器单元重布线层封装层互联结构电路板电子设备电连接本实用新型扇出型封装小型化设计成像物体尺寸图像包覆减小排布成像封装暴露

[实用新型]一种三维立体结构形式整流硅堆-CN201821798798.9有效
发明人：张裕;陈岗 -专利权人：鞍山雷盛电子有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三维立体结构形式整流硅堆，包括PCB底板、PCB竖板和固定板，多个所述的PCB竖板通过卡槽固定安装于PCB底板上，上端用多个固定板固定；所述的PCB竖板上安装有多个二极管和阻容吸收器件。不采用浇筑的密封结构，也不用笨重的散热片，采用立体空间的自然散热结构，体积小、可串联的二极管数量多、散热好、耐压高。
竖板三维立体结构二极管整流硅堆固定板自然散热结构阻容吸收器件本实用新型卡槽固定立体空间密封结构上端散热片体积小散热耐压浇筑串联

[发明专利]用于半导体封装件的衬底设计及其形成方法-CN201510656779.7有效
发明人：余振华;郑荣伟;王宗鼎;李建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体封装件的衬底设计及其形成方法。一种示例性器件，包括：第一管芯；沿着第一管芯的侧壁延伸的第一模塑料；和位于第一管芯和第一模塑料上的一个或多个第一重分布层(RDL)。该器件还包括：包括多个第二管芯的器件封装件，其中，器件封装件接合至一个或多个第一RDL的与第一管芯和第一模塑料相对的表面上。封装件衬底接合至一个或多个第一RDL的相对的表面上。封装件衬底电连接至第一管芯和多个第二管芯。
用于半导体封装衬底设计及其形成方法

[发明专利]方形盒状三维探测器及其制备方法-CN201910255450.8在审
发明人：李正;张亚;廖川;路顺茂;刘美萍 -专利权人：湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种方形盒状三维探测器及其制备方法，探测器由数个探测单元排列而成，探测单元包括底部的芯片基底，芯片基底上固定有壳形电极，壳形电极包括底面和侧壁，壳形电极内部填充有探测基体，探测基体顶部中间镶嵌有中央收集电极，中央收集电极与壳形电极顶部附有金属层，探测基体顶部附有氧化层；探测器的制备包括以下步骤：清洗、氧化、刻蚀芯片基底，离子注入壳形电极底面，生长硅探测基体，刻蚀沟槽，扩散形成壳形电极侧壁，离子注入中央收集电极，附着金属层和氧化层，退火和封装；探测器的位置分辨率、能量分辨率和电荷收集效率提高，探测器的全耗尽电压低，能够使用电池进行驱动，携带方便，且能够双面检测入射粒子，工作效率高。
壳形电极探测器收集电极探测基底制备三维探测器方形盒状探测单元芯片金属层氧化层离子电荷收集效率退火工作效率高能量分辨率位置分辨率电极侧壁电极底面刻蚀沟槽内部填充双面检测携带方便电压低侧壁底面刻蚀入射附着封装耗尽粒子清洗镶嵌电池扩散驱动生长

[发明专利]三维双面硅微条探测器及其制备方法-CN201910255454.6在审
发明人：李正;张亚 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维双面硅微条探测器及其制备方法，包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体，上部探测单元的上沟槽电极内均匀嵌有多个相互平行的上半导体基体，上半导体基体内嵌有上中央电极；下部探测单元的下沟槽电极内均匀嵌有多个相互平行的下硅基体，下硅基体内嵌有下中央电极；上半导体基体、上沟槽电极、上中央电极、下硅基体、下沟槽电极和下中央电极高度均相等；下部探测单元位于上部探测单元正下方，且两者在水平方向错开一定角度。通过吸杂氧化工艺在硅晶圆表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
探测单元中央电极电极嵌有半导体基体二氧化硅层硅基体上沟槽下沟槽探测器微条制备平行三维体内水平方向错开硅晶圆表面探测器图形半导体基化学沉积损伤修复阳极电极氧化工艺阴极电极光刻硅基刻蚀吸杂相等封装扩散

[发明专利]一种多波段半导体光电探测器-CN201910337213.6在审
发明人：周东;陆海 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多波段半导体光电探测器，将两个以上不同波段的半导体光电探测器芯片集成在同一个芯片支架中。本发明多波段半导体光电探测器的集成方法，解决了当前半导体光电传感器响应波长范围无法覆盖宽波段的缺点，将不同波段的半导体光电探测器芯片封装集成，并且保持各自独立的功能，缩小了探测器的系统体积，在有效降低水质检测系统复杂性的同时，简化光学结构设计，提升了监测系统的一致性、精确性和长期稳定性，保证了检测的快速性和灵敏性，有效降低了水质检测系统的成本、难度和差异性。
半导体光电探测器多波段水质检测系统波段半导体光电传感器光学结构设计长期稳定性监测系统芯片封装芯片集成芯片支架差异性快速性宽波段灵敏性波长探测器检测响应覆盖保证

[发明专利]倒嵌梯形盒状三维探测器-CN201910255279.0在审
发明人：李正;张亚 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒嵌梯形盒状三维探测器，该探测器由探测单元排列形成，探测单元的外形呈六面体，上下表面均为矩形，四个侧面两对面形状相同，为两个矩形和两个等腰梯形；探测单元是在探测器基体上依次镀有氧化层b和金属层b，在金属层b上离子注入n型重掺杂硅，n型重掺杂硅沿四周向外延伸生长，形成探测单元的侧面，n型重掺杂硅围成的壳体即为壳型电极，在壳型电极中离子注入形成灵敏区，在灵敏区的顶部的中间离子注入形成中央收集电极，中央收集电极上附有金属层a，灵敏区上附有氧化层a；本发明制备的探测器，内部无死区存在、电荷收集效率高，耗尽电压低、电容小，产生的信号噪音小，位置分辨率和能量分辨率高。
探测单元金属层灵敏区探测器离子三维探测器收集电极电极梯形盒氧化层壳型电荷收集效率能量分辨率位置分辨率等腰梯形上下表面信号噪音侧面电容电压低六面体壳体死区制备耗尽生长延伸

[发明专利]一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列-CN201910255521.4在审
发明人：李正;张亚 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括第一沟槽电极和第二沟槽电极，第一沟槽电极刻蚀和第二沟槽电极分别刻蚀在第三半导体基体表面；第一沟槽电极内嵌有第一中央电极，第一中央电极和第一沟槽电极间填充有第一半导体基体；第二沟槽电极内嵌有第二中央电极，第二沟槽电极和第二中央电极间填充有第二半导体基体；第一沟槽电极和第二沟槽电极的外宽均为2R_X，第二沟槽电极位于第一沟槽电极下方，且两者垂直相距d3、水平相距Rx。通过吸杂氧化工艺在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
沟槽电极中央电极刻蚀半导体基体二氧化硅层三维探测器一维排列内嵌嵌式填充制备半导体基体表面相距探测器图形化学沉积损伤修复芯片表面阳极电极氧化工艺阴极电极光刻吸杂封装垂直扩散

[实用新型]用于电子封装体的包封盖和电子封装体-CN201821737843.X有效
发明人： M-A·潘;J·帕德尼拉;J-M·里维耶 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型的实施例涉及用于电子封装体的包封盖和电子封装体。用于电子封装体的包封盖由第一盖主体和第二盖主体形成。第一盖主体和第二盖主体通过结合材料被组装在一起。第一盖主体和第二盖主体的前壁被叠置，并且包括面向彼此并且被提供有允许光穿过的光学元件的贯通通道。第一盖和第二盖主体的前壁的至少一个表面包括包含结合材料的空隙。
盖主体电子封装体封盖结合材料前壁本实用新型贯通通道光学元件叠置组装穿过