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[实用新型]硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构-CN202121227238.X有效
发明人：刘曼文;李正 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，包括：腔体，所述腔体上开设有光学窗口；硅漂移探测器，设置于所述腔体内；准直器，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；制冷器件，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。本实用新型采用半导体制冷器件，具有无需制冷剂、可连续工作、没有污染、结构简单、噪声小、寿命长、效率高、耗电低、易于控制操作等特点，既能制冷又能制热，可以让探测器在常温下工作，也可以在深空环境或者极端环境下工作。
漂移探测器放大器制冷封装结构

[发明专利]螺旋线性硅漂移探测器及其设计方法-CN202111043437.X在审
发明人：李正;熊波;龙涛 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺旋线性硅漂移探测器及其设计方法，所述探测器包括长方体状的硅基底，硅基底顶面相对的两边缘处均设有收集阳极，收集阳极间设有链条状的正面漂移阴极，正面漂移阴极呈S形排布在硅基底上，硅基底底部设有反面漂移阴极，反面漂移阴极和收集阳极上附着有铝层，硅基底和正面漂移阴极顶部设有二氧化硅层，正面漂移阴极两端和中间的二氧化硅层被刻蚀掉，其上附有铝层；本发明能够自主分压，使用方便，有效探测面积较大，电荷收集效率、能量分辨率和灵敏度较好。
螺旋线性漂移探测器及其设计方法

[发明专利]硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构-CN202110616625.0在审
发明人：刘曼文;李正 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，包括：腔体，所述腔体上开设有光学窗口；硅漂移探测器，设置于所述腔体内；准直器，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；制冷器件，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。本发明采用半导体制冷器件，具有无需制冷剂、可连续工作、没有污染、结构简单、噪声小、寿命长、效率高、耗电低、易于控制操作等特点，既能制冷又能制热，可以让探测器在常温下工作，也可以在深空环境或者极端环境下工作。
漂移探测器放大器制冷封装结构

[实用新型]一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片-CN202022218636.7有效
发明人：刘曼文;李正 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一n型重掺杂区、p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；p型掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；第三n型重掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。本实用新型将超大面积硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成在一个芯片上，大大减少封装的难度，以及芯片集成时所占的面积，且便于探测器与场效应管的参数调节。
一种漂移探测器场效应晶体管集成芯片

[实用新型]一种扇形交替式硅像素探测器-CN202021472865.5有效
发明人：李正;熊波 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。
一种扇形交替像素探测器

[实用新型]一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列-CN202021476273.0有效
发明人：李正;程敏 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列。减小了探测器有效工作面积，保证探测器低电容的优势。
一种单面阴极螺旋结构像素探测器及其阵列

[实用新型]一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器-CN202021694270.4有效
发明人：李正;唐立鹏 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器，多像素超小电容X射线探测单元，包括n型硅基体，其顶面设有P+阴极，底面设有n+阳极；n型硅基体的顶面设有第一二氧化硅矩形框，第一二氧化硅矩形框内设有第二二氧化硅矩形框，两者间形成第一P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框内形成第二P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框上形成连通第一P+重掺杂离子注入区和第二P+重掺杂离子注入区形成P+阴极的缺口，缺口为第三P+重掺杂离子注入区，第二P+重掺杂离子注入区上镀设有阴极铝层。一种多像素超小电容X射线探测器，由多个上述所述的多像素超小电容x射线探测单元呈阵列分布组成，电极面积和电容值小。
一种像素电容射线探测单元探测器

[实用新型]一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件-CN202022222153.4有效
发明人：刘曼文;李正 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。
一种漂移探测器金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件

[实用新型]一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器-CN202021495440.6有效
发明人：李正;李玉云 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器，梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体，硅基体顶面生成有二氧化硅层，二氧化硅层内刻蚀有P+阴极，硅基体的底面刻蚀有n+阳极；P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成，第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成，两者的L型阴极相距一定距离相对设置，两者的多个条型阴极相互平行交叉设置，且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接，其条型阴极不与第二梳状阴极的L型阴极连接。实现了硅像素探测器的空间二维位置分辨，分辨率高、工艺简单。
一种梳状硅像素探测单元探测器

[发明专利]一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片及制作方法-CN202011062072.0在审
发明人：刘曼文;李正 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一n型重掺杂区、p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；p型掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；第三n型重掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。本发明将超大面积硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成在一个芯片上，大大减少封装的难度，以及芯片集成时所占的面积，且便于探测器与场效应管的参数调节。
一种漂移探测器场效应晶体管集成芯片制作方法

[发明专利]一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件-CN202011065727.X在审
发明人：刘曼文;李正 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅体上，与硅体接触；通过刻蚀二氧化硅层露出阴极环、阳极收集电极、p型重掺杂区、源极、漏极。
一种漂移探测器金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件

[发明专利]一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器-CN202010817122.5在审
发明人：李正;唐立鹏 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器，多像素超小电容X射线探测单元，包括n型硅基体，其顶面设有P+阴极，底面设有n+阳极；n型硅基体的顶面设有第一二氧化硅矩形框，第一二氧化硅矩形框内设有第二二氧化硅矩形框，两者间形成第一P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框内形成第二P+重掺杂离子注入区，第二二氧化硅矩形框上形成连通第一P+重掺杂离子注入区和第二P+重掺杂离子注入区形成P+阴极的缺口，缺口为第三P+重掺杂离子注入区，第二P+重掺杂离子注入区上镀设有阴极铝层。一种多像素超小电容X射线探测器，由多个上述所述的多像素超小电容x射线探测单元呈阵列分布组成，电极面积和电容值小。
一种像素电容射线探测单元探测器

[发明专利]一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列-CN202010716837.1在审
发明人：李正;程敏 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列。减小了探测器的有效工作面积，保证探测器低电容的优势。
一种单面阴极螺旋结构像素探测器及其阵列

[发明专利]一种扇形交替式硅像素探测器-CN202010718275.4在审
发明人：李正;熊波 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种扇形交替式硅像素探测器，包括n型硅基底，n型硅基底为圆柱体结构，其下表面设置有N+入射面，其上表面设置有P+收集面；P+收集面由p+型中心像素单元和等间隔设置在p+型中心像素单元径向上的多个间隔相等的扇形区域组成，p+型中心像素单元位于P+收集面的中心位置，每个扇形区域由多个从内向外交替设置的p+型像素单元A和p+型像素单元B组成，所有扇形区域的同一位置处的p+型像素单元A和p+型像素单元B等间隔交替设置形成一个p+型像素环，共形成多个同心的p+型像素环，且p+型像素环的数量与每个扇形区域包含的p+型像素单元A和p+型像素单元B的总数相等，制备工艺简单、成品率高、成本低。
一种扇形交替像素探测器

[发明专利]一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器-CN202010718308.5在审
发明人：李正;李玉云 -专利权人： 湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器，梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体，硅基体顶面生成有二氧化硅层，二氧化硅层内刻蚀有P+阴极，硅基体的底面刻蚀有n+阳极；P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成，第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成，两者的L型阴极相距一定距离相对设置，两者的多个条型阴极相互平行交叉设置，且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接，其条型阴极不与第二梳状阴极的L型阴极连接。实现了硅像素探测器的空间二维位置分辨，分辨率高、工艺简单。
一种梳状硅像素探测单元探测器

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