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[发明专利]半导体器件和其制造方法-CN202180004467.1在审
发明人：何川;郝荣晖;黃敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体电路包括氮化物基半导体载体、第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、连接器、连接线和电源线。第一氮化物基半导体层配置在氮化物基半导体载体上方。第二氮化物基半导体层配置在第一氮化物基半导体层上。连接器配置在第二氮化物基半导体层上。连接线电连接到连接器中的一个。电源线电到氮化物基半导体载体。异质结形成于第一氮化物基半导体层与第二氮化物基半导体层之间。电势差施加在电源线与连接线之间。
半导体器件制造方法

[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法-CN202280004733.5在审
发明人：刘阳;杜卫星;游政昇;张铭宏 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂氮化物基半导体层、氮化物基绝缘层、栅电极和钝化层。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，第二氮化物基半导体层的带隙大于第一氮化物基半导体层的带隙。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并具有第一宽度。氮化物基绝缘层设置在掺杂氮化物基半导体层上，并且具有小于第一宽度的第二宽度。栅电极设置在氮化物基绝缘层上方，并且具有大于第二宽度的第三宽度。钝化层设置在第二氮化物基半导体层上方，并且具有位于掺杂氮化物基半导体层和抵靠氮化物基绝缘层的栅电极。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体器件、外延衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件的制作方法-CN200980100861.4有效
发明人：京野孝史;善积祐介;盐谷阳平;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供包含具有良好表面形态的氮化镓基半导体膜的III族氮化物半导体器件。III族氮化物半导体光器件(11a)具备：III族氮化物半导体支撑体(13)、GaN基半导体区域(15)、有源层(17)和GaN基半导体区域(19)。III族氮化物半导体支撑体(13)的主面(13a)显示相对于与基准轴(Cx)正交的基准平面(Sc)倾斜的非极性，基准轴(Cx)沿III族氮化物半导体的c轴方向延伸。GaN基半导体区域(15)设置在半极性主面(13a)上。GaN基半导体区域(15)的GaN基半导体层(21)例如包含n型GaN基半导体，在n型GaN基半导体中添加有硅。GaN基半导体层(23)的氧浓度为5×1016cm-3以上时，在GaN基半导体层(23)的主面上后续生长的有源层(17)的结晶品质变得良好。
氮化物半导体器件外延衬底制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003554.5有效
发明人：陈扶;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一至第三氮基半导体层、源极电极、漏极电极和栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙小于第一氮基半导体层的带隙，以便在其间形成具有二维空穴气体(2DHG)区域的异质结。第三氮基半导体层嵌入于第二氮基半导体层中，并与第一氮基半导体层隔开。第三氮基半导体层被掺杂以使其具有的第一导电类型不同于第二氮基半导体层的导电类型。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180001601.2有效
发明人：胡凯;黃敬源;叶朝栋;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一以及第二氮基半导体层、第一电极、掺杂的氮基半导体层、第二电极以及栅极电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及围绕有源部分的电绝缘部分。第一电极设置于第二氮基半导体层上。第一电极、掺杂的氮基半导体层、栅极电极以及第二电极设置于第二氮基半导体层上。每一掺杂的氮基半导体层具有背向第二电极且与界面隔开的侧表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180001585.7有效
发明人：胡凯;黄敬源;叶朝栋;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、一对第一电极、第二电极、掺杂的氮基半导体层和一对栅极电极。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上。第一和第二氮基半导体层共同具有有源部分和电绝缘部分，电绝缘部分是非半导电的并且围绕有源部分以在其间形成界面。第一电极设置在第二氮基半导体层上。第二电极设置在第二氮基半导体层上方且在第一电极之间。掺杂的氮基半导体层设置在第二氮基半导体层上方、在第一电极之间并围绕第二电极。栅极电极设置在掺杂的氮基半导体层上并且位于第二电极的相对侧。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210518969.2在审
发明人：胡凯;黃敬源;叶朝栋;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、一对掺杂的氮基半导体层以及第一电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及电绝缘部分，电绝缘部分围绕有源部分，且电绝缘部分具有一对凹陷以接收有源部分。一对掺杂的氮基半导体层设置于第二氮基半导体层上。掺杂的氮基半导体层彼此分离。第一电极设置于第二氮基半导体层上以及在掺杂的氮基半导体层之间。每一个掺杂的氮基半导体层中具有彼此相对的第一侧表面以及第二侧表面，第一侧表面面向第一电极，第二侧表面背对第一电极。沿着第二氮基半导体层的法线方向上，第一侧表面对齐凹陷的边界，第二侧表面与凹陷的边界隔开。
半导体器件

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180005106.9在审
发明人：杨超;周春华;刘勇;赵起越;沈竞宇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第三氮化物基半导体层、钝化层、栅极绝缘体层和栅电极。所述第一氮化物基半导体层包含至少两个掺杂势垒区，用于在所述掺杂势垒区之间限定孔。所述第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层之上。所述第三氮化物基半导体层安置在所述第二氮化物基半导体层上且其带隙高于所述第二氮化物基半导体层的带隙。所述钝化层安置在所述第三氮化物基半导体层之上，其中所述钝化层在所述第一氮化物基半导体层上的垂直投影与所述孔间隔开。所述栅极绝缘体层安置在所述第三氮化物基半导体层之上。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法-CN201310467484.6无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;上野昌纪;秋田胜史;京野孝史;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
gan 半导体器件制作方法外延晶片生长方法

[发明专利]GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法-CN201310467660.6无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;上野昌纪;秋田胜史;京野孝史;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
gan 半导体器件制作方法外延晶片生长方法

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180003944.2在审
发明人：何川;蒲小庆;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源电极、漏电极、栅电极和第三氮化物基半导体层。所述第一氮化物基半导体层具有至少一个沟槽。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上且与所述沟槽间隔开。所述源电极和所述漏电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方及所述源电极和漏电极之间，以便至少限定在所述栅电极和所述漏电极之间且与所述沟槽重叠的漂移区。所述第三氮化物基半导体层至少安置在所述沟槽中，并且从所述沟槽向上延伸以与所述第二氮化物基半导体层接触。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法-CN201210215829.4有效
发明人：李政烨;鲜于文旭;文彰烈;朴用永;梁佑荣;黄仁俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。
电极结构氮化半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202310128708.4在审
发明人：季彦良 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：半导体部件；以及硅基被动部件，沿该半导体部件的厚度方向堆叠在该半导体部件上。本发明中，硅基被动部件可以是与半导体部件同样在晶圆工艺中形成的，因此硅基被动部件的尺寸可以与半导体部件的尺寸相当，并且硅基被动部件堆叠在半导体部件上，因此可以节省面积占用，减小半导体装置的尺寸。
半导体装置

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180003499.X在审
发明人：何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、栅极电极和漏极结构。漏极结构包括第一掺杂的氮基半导体层、欧姆接触电极和导电层。第一掺杂的氮基半导体层与第二氮基半导体层接触以形成第一接触界面。欧姆接触电极与第二氮基半导体层接触以形成第二接触界面。导电层包括金属并与第二氮基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体接面。导电层连接第一掺杂的氮基半导体层和欧姆接触电极，并且欧姆接触界面比第一接触界面和第二接触界面离栅极电极更远。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180003959.9在审
发明人：何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、源电极和漏电极，及栅极结构。所述栅极结构包含至少一个导电层和两个或更多个经掺杂氮化物基半导体层。所述至少一个导电层包含金属，并且与所述第二氮化物基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体结。所述两个或更多个经掺杂氮化物基半导体层与所述第二氮化物基半导体层接触且邻接所述导电层，以便与所述第二氮化物基半导体形成邻接所述金属‑半导体结的接触界面。
氮化物半导体装置及其制造方法

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