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[发明专利]一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器-CN202210916550.2在审
发明人：黄意雅;张辉;单欣;朱冠伦;任宏宇;徐秀兰;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器，其中，磁传感器芯片包括基板、设置在基板上的磁阻元件组和与磁阻元件组连接的电极。磁阻元件组设置为八组，八组磁阻元件组沿同一圆心均布；每组磁阻元件组包括两个磁阻元件，每个磁阻元件包括四个与磁阻元件组同心并呈扇形均布的磁阻条；每组磁阻元件组中一个磁阻元件的磁阻条与另一个磁阻元件中对应位置的磁阻条的圆心角为15°；一组磁阻元件组中的磁阻条与其相邻的另一组磁阻元件组中对应位置的磁阻条的圆心角为30°。通过磁阻元件组和构成磁阻元件的磁阻条的布置方式，能够有效消除芯片输出信号中的三次谐波，使得输出信号更接近完整的正弦波与余弦波，从而提高旋转角度的检测分辨率。
一种传感器芯片及其制备方法以及编码器

[发明专利]一种红外探测器及其制备方法、电子设备-CN202210957793.0在审
发明人：冯晓宇;王成刚;刘世光;王格清;祁娇娇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种红外探测器及其制备方法，制备方法包括：在单片读出电路的一侧间隔布置至少两组凸点，其中，不同组凸点在垂直于单片读出电路所在平面的高度方向上的高度不同；将至少两个红外芯片设置于对应组凸点远离单片读出电路的一端。基于本发明的实施方式所制备的红外探测器，每个红外芯片混成互连后存在一定高度差，可以有效避免不同谱段红外芯片混成互连过程中的相互干扰。
一种红外探测器及其制备方法电子设备

[发明专利]三维堆叠屏蔽结构和三维堆叠屏蔽方法-CN202211127588.8在审
发明人：何正鸿;张超;何林 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本公开提供的一种三维堆叠屏蔽结构和三维堆叠屏蔽方法，涉及半导体技术领域。该三维堆叠屏蔽结构中，第一基底包括相对设置的焊盘一和焊盘二，且两者电连接，焊盘一和焊盘二中至少一者接地；其中，焊盘二包括两个不同位置的焊接点；每个金属柱电连接于焊盘一，金属柱开设有通孔，通孔贯穿焊盘一、第一基底和焊盘二；芯片一电连接于第一基底，且位于多个金属柱围成的区域内；每个电连线弧的两端分别连接在焊盘二的两个焊接点，且电连线弧呈隆状凸设于第二表面；第二基底设有芯片二；第二基底电连接于第二表面，且部分或全部芯片二位于多个电连线弧之间。可以实现对芯片一以及位于多个电连线弧间的芯片二的电磁屏蔽。工艺简单，封装效率高。
三维堆叠屏蔽结构方法

[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法和应用-CN202210892121.6在审
发明人：和巍巍;杨柳 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法和应用。其中，功率半导体器件包括陶瓷基板、包覆体、多个芯片和多个引线框架；陶瓷基板包括陶瓷基片、内金属箔片和外金属箔片，内金属箔片设于陶瓷基片的一侧，外金属箔片设于陶瓷基片与内金属箔片相对的另一侧；包覆体包覆于陶瓷基板，并将外金属箔片远离内金属箔片的一侧暴露于外部空间，芯片位于包覆体内且设于内金属箔片上，多个芯片之间相互间隔，单个芯片未与内金属箔片接触的一侧通过一个引线框架电性连接于内金属箔片。本申请将传统功率半导体器件中的引线接合替换为了引线框架，不仅提升了芯片的散热性能，还降低了热电阻，实现了器件的小型轻量化，从而提高了功率半导体器件的可靠性。
一种功率半导体器件及其制作方法应用

[发明专利]一种功率器件的无引线封装结构及封装方法-CN202210847452.8在审
发明人：杜隆纯;戴小平;刘洪伟;曾亮;刘亮;黄蕾 -专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的无引线封装结构及封装方法，封装结构包括芯片、金属构件和衬板，所述芯片的背面连接在所述衬板上，所述金属构件的一端与芯片的正面之间通过烧结工艺连接，所述金属构件的另一端与衬板或外部端子之间通过烧结工艺连接。本发明采用金属构件来代替铝线键合，实现半导体芯片正面到衬板或者外部端子之间的电性连接，达到无引线连接效果，能显著提高芯片的通流能力，极大的发挥碳化硅芯片的优势。
一种功率器件引线封装结构方法

[发明专利]基于碳纳米管互联的两端式叠层太阳能电池及其制备方法-CN202210910271.5在审
发明人：高鹏;宋志成;郭永刚;刘大伟;张春福;倪玉凤;张敏;杨超;刘建达;张博 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米管互联的两端式叠层太阳能电池，其包括钙钛矿底电池、碳纳米管互联层和钙钛矿顶电池；所述碳纳米管互联层沉积形成在所述钙钛矿底电池上，所述钙钛矿顶电池键合结合在所述碳纳米管互联层上。其制备方法包括：分别制备获得所述钙钛矿底电池和所述钙钛矿顶电池；在所述钙钛矿底电池上沉积形成所述碳纳米管互联层；将所述钙钛矿顶电池键合在所述碳纳米管互联层上并采用固化胶固化连接。本发明以机械堆叠的方式，将钙钛矿底电池和钙钛矿顶电池堆叠形成全钙钛矿的两端叠层太阳电池，顶电池和底电池之间能够有效地进行电学串联和光学耦合，并且降低叠层电池的制备工艺难度。
基于纳米管互联两端式叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]发光装置-CN202010124668.2有效
发明人：游能忠;卢英瑞;邓伟杰;萧宇瑄 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本揭露提供一种发光装置，其包括可挠式基板、多个发光元件以及聚合物层。可挠式基板包括弯折部。弯折部具有弯折面。弯折面依据弯折轴且沿着弯折方向而弯折。多个发光元件设置在可挠式基板上。聚合物层设置在可挠式基板上。聚合物层包括多个图案。多个图案设置在弯折部上，且多个图案的至少一部分在弯折方向上为分离的，而形成多个间隔。
发光装置

[实用新型]一种感光组件-CN202220210019.9有效
发明人：杨正官;魏冬寒;孙平如;苏宏波 -专利权人：深圳市聚飞光电股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种感光组件，在基板正面的矩形芯片承载区内设置N颗感光芯片，各感光芯片之间具有间隙，且单颗感光芯片在矩形芯片承载区内的投影面积s，小于矩形芯片承载区的面积S的N分之一，也即本实施例中在相同的矩形芯片承载区面积下使用多颗小尺寸的感光芯片代替现有的一颗大尺寸感光芯片，且各感光芯片之间具有间隙，这样在基板正面设置透光封装胶层时，透光封装胶层将各感光芯片之间的间隙也覆盖，也即通过N颗感光芯片可将透光封装胶层划分为被感光芯片至少部分隔离的多个区域，相对于现有位于大尺寸感光芯片之上的一整层封装胶层，可以降低透光封装胶层与感光芯片分离的风险，提升产品的质量和寿命。
一种感光组件

[发明专利]光学传感器、光感电路、显示屏以及移动终端-CN202110308299.7在审
发明人：陈朝喜 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种光学传感器、光感电路、显示屏以及移动终端。其中，光学传感器包括：光电二极管，光电二极管包括空穴型半导体和电子型半导体；其中，空穴型半导体与电子型半导体相对设置并形成重叠区域，空穴型半导体和/或电子型半导体在重叠区域处具有孔状结构。通过本公开所述的光学传感器，可以降低光电二极管形成的寄生电容和本体噪声，确保提高应用光学传感器的移动终端对高频光信号的采集能力。
光学传感器感电显示屏以及移动终端

[发明专利]一种双面受光的叠层太阳电池组件及其制备方法-CN202010933922.3有效
发明人：丁建宁;徐一波;袁宁一;王书博 -专利权人：常州大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种双面受光的叠层太阳电池及其制备方法。在透明基底上分别制备宽带隙和窄带隙太阳电池，使用垂直导电胶膜直接粘合形成可双面受光的叠层太阳电池，特别的，所述导电胶膜具有纵向导电，横向绝缘功能。避免了连接层导致的漏电问题。所述叠层太阳电池组件具体制备包括如下步骤：S1.刻蚀导电玻璃；S2.在刻蚀过的导电玻璃上分别制备宽带隙和窄带隙薄膜电池；S3.刻蚀形成子电池；S4.蒸发连接电极；S5.通过垂直导电胶膜粘合直接形成叠层太阳电池组件。
一种双面太阳电池组件及其制备方法

[发明专利]基于碳纳米管互联的两端式叠层太阳能电池及其制备方法-CN202210910290.8在审
发明人：高鹏;宋志成;郭永刚;刘大伟;张春福;倪玉凤;张敏;杨超;刘建达;张博 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米管互联的两端式叠层太阳能电池，其包括钙钛矿底电池、碳纳米管互联层和有机顶电池；所述碳纳米管互联层沉积形成在所述钙钛矿底电池上，所述有机顶电池键合结合在所述碳纳米管互联层上。其制备方法包括：分别制备获得所述钙钛矿底电池和所述有机顶电池；在所述钙钛矿底电池上沉积形成所述碳纳米管互联层；将所述有机顶电池键合在所述碳纳米管互联层上并采用固化胶固化连接。本发明以机械堆叠的方式，将钙钛矿电池和有机电池堆叠形成两端叠层太阳电池，顶电池和底电池之间能够有效地进行电学串联和光学耦合，并且降低叠层电池的制备工艺难度。
基于纳米管互联两端式叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]封装结构-CN202220922940.6有效
发明人：李瀚宇;林焱 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种封装结构，该封装结构包括：芯片单元，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区域以及与所述感应区域电连接的焊垫；盖板，与所述芯片单元的第一表面相对设置；遮光层，覆盖所述芯片单元的第二表面，所述遮光层选自TiN、Ge、TiW或TaN。本实用新型的遮光材料选自TiN、Ge、TiW或TaN等，具有更好的稳定性能，且光通量低、耐热冲击。特别的，当遮光材料为TiN时，在暴露焊垫的刻蚀中，可以采用干法刻蚀依次刻蚀TiN和绝缘层，干法刻蚀采用的气体相同，在同一刻蚀流程中即可实现绝缘层和遮光层的去除。
封装结构

[发明专利]模块-CN202080089751.9在审
发明人：大坪喜人;楠山贵文 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种模块(101)，具备主基板(1)、安装于主基板(1)的第一面(1a)的子模块(81)、与该子模块分开安装于第一面(1a)的第一部件(31)、以及形成为覆盖第一面(1a)和第一部件(31)的第一密封树脂(6a)。子模块(81)具备第二部件(32)、配置为覆盖该第二部件的第二密封树脂(6c)、以及形成为覆盖第二密封树脂(6c)的侧面中的至少一部分且未与主基板(1)的内部屏蔽膜(9)电连接。接地连接导体(45)配置为与内部屏蔽膜(9)电连接，接地连接导体(45)向外部露出。
模块

[发明专利]模块-CN202080089815.5在审
发明人：楠山贵文;野村忠志;大坪喜人 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种模块(101)，具备：主基板(1)，具有第一面(1a)；子模块(81)，安装于第一面(1a)；第一部件(31)，与子模块(81)分开安装于第一面(1a)；第一密封树脂(6a)，形成为覆盖第一面(1a)、子模块(81)以及第一部件(31)；以及外部屏蔽膜(8)，形成为覆盖第一密封树脂(6a)的远离第一面(1a)的一侧的面和侧面、以及主基板(1)的侧面。子模块(81)具备：第二部件(32)、配置为覆盖第二部件(32)的第二密封树脂(6c)、以及形成为覆盖第二密封树脂(6c)的侧面中的至少一部分的内部屏蔽膜(9)。
模块

[发明专利]一种光电子半导体器件以及制造光电子半导体器件的方法-CN202110069847.5在审
发明人：张雪 -专利权人：张雪
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电子半导体器件，包括塑料板，塑料板上覆盖有陶瓷板，陶瓷板上设置有边框，边框上固定嵌入有光电子元件本体，光电子元件本体上设置有引脚，边框上覆盖有透明罩体，陶瓷板上固定嵌入有胶层，引脚贯穿并粘接胶层，塑料板上设置有内置孔，引脚通过内置孔。通过引脚依次贯穿透明防潮膜、梳装电极、半导体光敏层、陶瓷基板组成一个完整的光电子元件本体，多个光电子元件本体通过统一的通电方式，配合塑料板和陶瓷板的绝缘效果，使得每个引脚在通电时，可独立分开，避免出现漏电导电的情况。
一种光电子半导体器件以及制造方法