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[发明专利]热电模块和光发送装置-CN201010241116.6无效
发明人：森本晃弘 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供配置在有限的空间中且热交换能力优异的热电模块和具有配置在有限的空间中且热交换能力优异的热电模块的光发送装置。第一绝缘基板(21)具有：设置有第一相对面(21c)的基板主体部(21a)；以及在作为第一相对面(21c)的相反侧的面的形成有电极的区域的相反侧的面上，与基板主体部(21a)一体形成的凸部(21b)，在凸部(21b)形成有热电变换元件(24)与冷却对象物连接的连接部(42)，由冷却对象物产生的热从凸部(21b)利用热电变换元件(24)向第二绝缘基板(22)高效地热传递。
热电模块发送装置

[发明专利]电子元器件组件的制造方法-CN200980110573.7有效
发明人：神凉康一;胜部彰夫;田中启 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够将屏蔽层薄膜化、并且能够可靠地对电子元器件进行屏蔽的电子元器件组件的制造方法。用树脂对由多个元器件形成多个电子元器件组件的集成基板一并进行密封，在电子元器件组件的边界部分形成切口部，该切口部从密封树脂的顶面到设置于基板内的接地用电极的位置为止，在对侧面及顶面涂布了导电性糊料之后，通过旋涂形成导电薄膜，然后切取电子元器件组件。
电子元器件组件制造方法

[实用新型]降压型压电陶瓷变压器的封装结构-CN200920278400.3无效
发明人：都金龙;周伟革;武彬 -专利权人：中国电子为华实业发展有限公司
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降压型压电陶瓷变压器的封装结构，包括：印刷线路板，具有第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面分别具有焊点；两个降压型压电陶瓷变压器，其中一个降压型压电陶瓷变压器设置于所述在所述印刷线路板的第一表面上；另一个降压型压电陶瓷变压器设置于所述在所述印刷线路板的第二表面上；其中所述一个降压型压电陶瓷变压器的引线与所述第一表面上的焊点连接；所述另一个降压型压电陶瓷变压器的引线与所述第二表面上的焊点连接。因此，采用本实用新型降压型压电陶瓷变压器的封装结构，可实现两个降压型压电陶瓷变压器只占用一个变压器的焊接面积，同时实现封装后变压器的表贴化焊接。
降压压电陶瓷变压器封装结构

[发明专利]安装结构体-CN200880104222.0有效
发明人：松野行壮;山口敦史;酒谷茂昭;宫川秀规;植田干也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种安装结构体，槽部以其端部朝半导体元件延伸的形态形成于电路基板表面，以使得密封树脂的注入作业简单且可靠地进行密封，滴下后的低粘度的密封树脂被引导到上述槽部并流入电路基板与半导体元件之间，不容易扩散到半导体元件以外的范围。
安装结构

[发明专利]热交换单元-CN201010104380.5有效
发明人：堀尾裕磨 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种热交换单元，包括热电模块和热交换器。热电模块包括上电极、下电极、插置在上电极和下电极之间的多个热电元件，其中，包括具有高导热性的铝或铝合金的热交换器经由绝缘层附接到上电极和/或下电极，邻接到绝缘层的热交换器的表面粗糙度小于4.7μm且大于0.1μm。这防止在绝缘层中形成裂纹和裂缝，这由此改善与热交换器的粘结。由此。在热交换单元中可以由于热电模块和热交换器之间降低的热阻而表现出很高的吸热/散热性能和很高的可靠性。
热交换单元

[发明专利]成组大功率平板式电力电子器件机械压装结构-CN201010127648.7有效
发明人：蔡维;徐道恒;高树瑞;楚子林;王建峰;刘国林;赵相宾 -专利权人：天津电气传动设计研究所;天津天传电气有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种成组大功率平板式电力电子器件机械压装结构，其技术特点是：⑴左顶杆同轴滑动安装在一弹簧芯轴内，弹簧芯轴通过其径向安装的一键销安装在左支撑板上，在支撑板右端的弹簧芯轴上安装一组碟形弹簧，在支撑板右端的弹簧芯轴上径向制有一环槽，该环槽内安装限位卡盘；⑵在左顶杆左侧的弹簧芯轴内同轴啮合安装有一压装螺杆；⑶左顶杆右端端部与左压盘为球面副安装，右顶杆左端端部与右压盘为球面副安装。本结构采用碟形弹簧作为驱动力元件，碟形弹簧的压缩行程通过机加工零件精确控制，与装配精度无关，机械压紧力控制准确，压力恒定，对功率器件串装配长度的宽容度大，消除装配间隙，一定范围内自适应功率器件串长度，压装精度高。
成组大功率平板电力电子器件机械结构

[发明专利]多元件封装中的互连-CN200880104602.4无效
发明人：唐金榜;D·R·福莱亚;W·H·莱特尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种封装半导体器件(10)包括：在聚合物层(30)的第一侧上的互连层(32)；至少在三个侧面上被聚合物层围绕并且耦合到所述互连层的半导体器件(16，18)；在所述聚合物层的第二侧上的第一导电元件(46，58)，其中第二侧与第一侧相对；以及在所述聚合物层内的连接器块(20)。该连接器块(20)具有从所述连接器块的第一表面延伸到所述连接器块的第二表面的至少一个电路径(22，24，26，62，64)。所述至少一个电路径将所述互连层电耦合到所述第一导电元件。还描述了一种用于形成该封装半导体器件的方法。
多元封装中的互连

[发明专利]热电模块封装结构及其制造方法-CN200910208168.0无效
发明人：滨野哲丞;山下博之;堀合直 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种适用于热电模块的封装结构，其中多个热电元件串联电连接并排列在上电极和下电极之间，该封装结构包括：金属框架和金属基部，该金属基部包括由铜、铝、银或合金构成的具有良好导热性的金属板。金属框架经由低熔点焊料连结到金属基部的周边，该低熔点焊料的熔点低于用于形成热电模块的焊料的熔点。热电模块被金属框架所围绕从而该热电模块的下电极经由绝缘树脂层附接到金属基部。
热电模块封装结构及其制造方法

[实用新型]一种半导体的封装结构-CN200920119213.0无效
发明人：段康胜 -专利权人：宁波明昕微电子股份有限公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体的封装结构，其特征在于：包括金属衬底，该金属衬底的表面上焊接有一陶瓷片，该陶瓷片的表面上焊接有相互分隔的由金属材质制成的第一芯片粘接片和第二芯片粘接片，第一芯片粘接片上设置有第一外接电极端，第二芯片粘接片上设置有第二外接电极端，一悬空的与第一外接电极端、第二外接电极端并排设置的第三外接电极端，第一半导体芯片的背面粘接在第一芯片粘接片的表面上，第二半导体芯片的背面粘接在第二芯片粘接片的表面上，第一半导体芯片的正面通过导电线与第二芯片粘接片的表面相连，第二半导体芯片的正面通过导电线与第三外接电极端相连。采用这种封装结构的半导体具有较好的功率和较好的散热性。
一种半导体封装结构

[实用新型]具电感元件的芯片封装-CN200920003323.0无效
发明人：白金泉;李正慧 -专利权人：利顺精密科技股份有限公司
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具电感元件的芯片封装，包含有一主基板，其具有一设有电路的作用面。一半导体芯片以电性连接的方式固置于该主基板的作用面上。一电感元件夹置于该主基板与该芯片之间，且分别与二者电性连接，该电感元件包含有一导磁性芯材，以及多个绕设于该芯材上的导电线圈。一绝缘包覆层包覆该芯片与该电感元件。
电感元件芯片封装

[发明专利]光电转换装置-CN200910170513.6有效
发明人：荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明目的之一在于：在光电转换装置中，将连接各个光电转换元件的布线的制造工序简化。本发明的另一目的在于防止连接各个光电转换元件的布线的连接不良。光电转换装置包括分别具有第一和第二单晶半导体层的第一和第二光电转换元件。第一电极设置在第一和第二光电转换元件的下方表面上，而第二电极设置在第一和第二光电转换元件的上方表面上。第一和第二光电转换元件并置固定在支撑衬底上。第二单晶半导体层具有到达第一电极的贯通口。第一光电转换元件的第二电极延伸到贯通口，以电连接到第二光电转换元件的第一电极。
光电转换装置

[发明专利]封装结构及其形成、量产方法与芯片堆叠结构-CN200910003189.9有效
发明人：王伟;刘安鸿;蔡豪殷;黄祥铭;李宜璋;何淑静 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明是一种封装结构及其形成、量产方法与芯片堆叠结构。该封装结构包含一第一芯片堆叠结构，通过于芯片中设置多个硅通道构件(Through Silicon Via；TSV)，作为电连结的路径，以使第一芯片堆叠结构的多个毗连芯片之间可形成电连结，并使第一芯片堆叠结构电连结至一基板。该方法包含电连结一第一芯片的至少部分该多个TSV至一基板，同时电连结一第二芯片的至少部分该多个TSV至该第一芯片的至少部分该多个TSV，藉此于该基板上，堆叠该第一芯片以及该第二芯片，完成具有芯片堆叠结构的封装结构。
封装结构及其形成量产方法芯片堆叠

[发明专利]供电源电路用的多芯片模块及用多芯片模块的电压调节器-CN200810127994.8有效
发明人：李忠树;李嘉荣 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种提供电源电路使用的多芯片模块，包括两个MOSFET，一驱动器和一控制器，其中，所述两个MOSFET各具有一闸极；所述驱动器连接所述二闸极；所述控制器连接所述驱动器，以提供一内部PWM信号给所述驱动器。本发明的供电源电路用的多芯片模块及用多芯片模块的电压调节器具有缩短通道与控制器之间的回授路径和降低功率损耗与噪声干扰的优点。
电源电路芯片模块电压调节器

[发明专利]半导体器件-CN200910141536.4有效
发明人：川岛彻也;三岛彰 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了散热性的封入了多个半导体芯片的半导体器件。在输入侧板状引线部5上配置了控制用功率MOSFET芯片2，在该芯片的背面上形成了漏极端子DT1，另一方面，在主面上形成了源极端子ST1和栅极端子GT1，该源极端子ST1与源极用板状引线部12连接，此外，在输出侧板状引线部6上配置了同步用功率MOSFET芯片3，在该芯片的背面上形成了漏极端子DT2，将输出侧板状引线部6连接到该漏极端子DT2上，再者，在同步用功率MOSFET芯片3的主面上形成了源极端子ST2和栅极端子GT2，连接该源极端子ST2与源极用板状引线部13，通过露出源极用板状引线部12、13，可提高MCM1的散热性。
半导体器件

[发明专利]双压电体并排推动的三摩擦力步进器与扫描探针显微镜-CN200910116492.X有效
发明人：王琦;陆轻铀 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明双压电体并排推动的三摩擦力步进器与扫描探针显微镜涉及压电定位器，包括两个压电体、基座、滑杆，两压电体以伸缩方向平行的设置并排地固定站立于基座上，设置与两压电体在其伸缩方向上为滑动配合的滑杆，在垂直于两压电体伸缩方向上设置将滑杆与两压电体自由端以及滑杆与基座相压的正压力，在这三个正压力对滑杆产生的最大静摩擦力中，任一个最大静摩擦力小于其它两个之和，滑杆通过弹性力或电磁力与基座以及两压电体自由端相压，两压电体可为整体设置，在所述步进器之外套一个固定于基座上的压电扫描管就构成小空间可工作扫描探针显微镜镜体。本发明尺寸小、结构简单牢固、工作温区大、驱动力大，适于各种极端物理条件，接近理想步进器。
压电并排推动摩擦力步进扫描探针显微镜