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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]桥接形式的多芯片封装构造-CN03156270.1有效
发明人：洪志斌 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2003-09-02 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种桥接型式的多芯片封装构造主要包括一载板、一第一芯片、一第二芯片及至少一导电体。该载板具有一上表面及对应的一下表面，复数个载板接点，位在载板的上表面。第一芯片具有一第一主动表面，该第一芯片还具有至少一第一接点，配置在第一芯片的第一主动表面上。同样地，第二芯片具有一第二主动表面，该第二芯片还具有至少一第二接点，配置在第二芯片的第二主动表面上。第一芯片的第一侧壁紧邻第二芯片的第二侧壁，且第一芯片的第一主动表面与第二芯片的第二主动表面为共平面的配置。导电体在第一芯片的第一主动表面上及第二芯片的第二主动表面上延伸，使第一芯片的第一接点与第二芯片的第二接点电性连接。
形式芯片封装构造

[发明专利]半导体器件、半导体组件及半导体器件的制造方法-CN200410074953.9无效
发明人：岩崎俊宽 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-09-01 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：在内部配备了半导体芯片(105)的半导体器件(120)上，设置能够与邻接的半导体器件连结的连结部(121、122)。通过该连结部连结多个半导体器件(120)构成基板，通过设置在其主表面上的电极(103)将半导体封装(111)安装在基板上。据此，能够提高安装密度。
半导体器件半导体组件制造方法

[发明专利]模块化器件-CN03801562.5无效
发明人：东谷比吕志;安保武雄;叶山雅昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-02-19 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明的模块化器件，通过层叠电路基板(3)和接合电路基板(5)并使之一体化，从而实现安装元件(1)的内置。其中，至少在电路基板(3)的单面安装有一个以上的安装元件(1)；在接合电路基板(5)上的与安装在上述电路基板(3)的单面上的至少一个以上的安装元件(1)对应的部分，设有能嵌入该安装元件(1)的凹部(4)或孔。这样，可以提供确保层间连接的可靠性、可高精度、高密度地内置多个安装元件、可靠性高的模块化器件。
模块化器件

[发明专利]半导体器件-CN200410055996.2有效
发明人：渡边厚司;多良胜司;日高贤一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01823865.3有效
发明人：松木浩久;爱场喜孝;佐藤光孝;冈本九弘 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2001-12-07 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：半导体器件，包含：在一面上具有第1端子(7)的第1半导体芯片(5)；比第1半导体芯片(5)大，重叠第1半导体芯片(5)并且在一面上具有第2端子(3)的第2半导体芯片(1a)；被形成在第2半导体芯片(1a)上覆盖第1半导体芯片(5)的绝缘膜(10)；在绝缘膜(10)中至少被形成在第1半导体芯片(5)的周边区域上的多个孔(10a)；在孔(10a)的内周面以及底面上形成膜状并且与上述第2半导体芯片(1a)的第2端子(3)电连接的孔(11a)；被形成在绝缘膜(10)的上表面上的布线图案(11b)；被连接在布线图案(11b)上的外部端子(14)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]三维安装半导体组件及三维安装半导体装置-CN200410048113.5有效
发明人：山地泰弘 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：提供一种三维安装半导体组件。在布线基板的第一主面上叠层多个半导体芯片。多个半导体芯片具有基体部分和连接凸点。多个基体部分及布线基板中的相对的两个相互离开。多个连接凸点将多个半导体芯片及布线基板中的相对的两个电连接。绝缘性的多个密封部件密封多个连接凸点，并充填多个基体部分及布线基板中的相对的两个之间。多个密封部件具有贯穿密封部件的空洞部。
三维安装半导体组件装置

[发明专利]堆叠式双芯片封装结构-CN03145819.X有效
发明人：蔡振荣;林志文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种堆叠式双芯片封装结构。其特征在于以一面积较小的支撑座粘着一面积较大的第一芯片的作用面以及第二芯片的非作用表面，并且第一芯片与第二芯片的作用面周边的多个焊盘以多条导线与多个引脚电连接。
堆叠芯片封装结构

[实用新型]发光半导体封装组件-CN03276590.8无效
发明人：吴仲佑 -专利权人：聚积科技股份有限公司
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型为一可精确控制发光二极管芯片亮度的发光半导体组件，主要将至少一发光二极管芯片及一驱动集成电路芯片共同封装在一基材上。该驱动集成电路芯片为一电流驱动集成电路芯片，且具恒电流输出的功能，再根据不同发光二极管芯片的发光特性，设定该电流驱动集成电路芯片输出端口的电流输出量，以精确调整该发光二极管芯片的发光的亮度。
发光半导体封装组件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03138274.6无效
发明人：西迫亨成;石山裕浩;小谷久和 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。本发明的第1半导体装置由管心垫片1，母芯片2，子芯片3，在子芯片3的背面上所形成的导体膜7，垫片4，引线5，以及连接线6构成。导体膜7经由连接线6、引线5与外部的构件连接。因此，使基片电位稳定化。另外，导体膜7具有高导热率和低电阻，因此能提高半导体装置的散热性能，又能抑制辐射噪声的辐射。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体多芯片封装和制备方法-CN200410047795.8无效
发明人：金东局;李昌哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-04-08 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯片封装和制备方法。多芯片封装包括上面设有键合指的封装衬底。第一芯片具有大体形成在中心部分上的中心焊盘。在封装衬底上设置第一芯片。在位于焊盘外侧的第一芯片上形成绝缘支撑结构。在一个键合指和至少一个中心焊盘之间连有连接导线。第二芯片被设置在连接导线上并且覆盖绝缘支撑结构。
半导体芯片封装制备方法

[发明专利]基底基板及制作用来装载多个半导体裸芯片器件的构造体的方法-CN98808253.5无效
发明人：关根健治;山田宏治;山崎松夫;加贺谷修;山下喜市 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-08-19 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种装载有多个半导体裸芯片器件的基底金属基板，具有第1和第2主面，在第1主面上形成了至少一个凸部和用来决定裸芯片器件的装载位置的至少2个凹部。凹部的深度比凸部的长度大且具有比金属基板的主面更好的平滑度。金属基板被部分地进行化学刻蚀以形成凸部，同时还进行机械加工以形成第1主面。导电性的凸部与已装载上裸芯片器件的基板的部分进行隔离，在基底基板的第1和第2主面一侧，用做用来进行电连的外部端子。
基底制作用来装载半导体芯片器件构造方法

[发明专利]堆叠式影像感测器及其制造方法-CN01104226.5有效
发明人：何孟南;杜修文;蔡孟儒;吴志成;陈文铨;陈立桓 -专利权人：胜开科技股份有限公司
申请日： 2001-02-26 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种堆叠式影像感测器及其制造方法。为提供一种构件少、体积小、制造简单、封装及测试成本低的影像感测器及其制造方法，提出本发明，感测器包括基板、集成电路、封装层、影像感测晶片及透光层；以封装层封装集成电路设置于基板上，影像感测晶片叠置于集成电路的封装层上；制造方法包括将集成电路固定于基板上；将封装层覆盖于集成电路上；将影像感测晶片设置于封装层上以与集成电路形成堆叠；将透光层覆设于影像感测晶片上方。
堆叠影像感测器及其制造方法

[实用新型]全彩发光二极管-CN03206573.6无效
发明人：杨一江 -专利权人：深圳市科普电子技术有限公司
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型的目的是提供一种可发出七种色彩的全彩发光二极管的技术方案。其主要是管体内设有分别连接于IC集成块的三个晶体，三个晶体分别为红、绿、蓝三色，红、绿、蓝色三晶体各有一线接于IC集成块。按本方案实施的全彩发光二极管，由于IC集成块的控制作用，其三色晶体按红—绿—蓝—红绿—绿蓝—蓝红—红绿蓝的七种顺序发光和熄灭，并依此反复循环。本实用新型当用于灯饰广告、建筑物、街景以及其他方面的夜间装饰时，其色彩更为鲜艳和更令人赏心悦目。该实用新型实为一种有益的设计。
全彩发光二极管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02811441.8有效
发明人：角义之;内藤孝洋;佐藤俊彦;池上光;菊池隆文 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2002-04-05 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：提供一种半导体装置及其制造方法。在安装于多芯片模块(MCM)的封装衬底(1)上的三个芯片(2A)、(2B)和(2C)中，其上形成DRAM的芯片(2A)和其上形成快速存储器的芯片(2B)通过Au凸点(4)与封装衬底(1)的布线(5)电连接，并且在芯片(2A)和(2B)的主面(下表面)和封装衬底(1)的主面之间的间隙中填充下填树脂(6)。在两个芯片(2A)和(2B)上安装其上形成高速微处理器的芯片(2C)，并且该芯片(2C)通过Au引线(8)与封装衬底(1)的键合焊盘(9)电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电路装置及其制造方法-CN200310120294.3无效
发明人：五十岚优助;高草木宣久;坂野纯;坂本则明 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种电路装置及其制造方法，进行内装厚度不同的多种电路装置12的电路装置10的薄型化。将安装比较薄型电路元件12A的第一导电图案较厚地形成，将安装比较厚的第二电路元件12B的第二导电图案11B较薄地形成。另外，也可使用较薄地形成的第二导电图案12B构成微细的配线部。由此，即使内装厚的电路元件的情况下，也可以通过在较薄地形成的第二导电图案11B上固定该元件，使总厚度变薄。从而，可实施电路装置10整体的薄型化。
电路装置及其制造方法

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