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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种晶圆-CN202122581205.1有效
发明人：刘恩峰 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶圆，该晶圆包括多个芯片和划片道，划片道分隔相邻的芯片，至少部分芯片包括功能区与围绕功能区的保护区，保护区中设有围绕功能区的保护环，其中，划片道中设有牺牲环，围绕相应的芯片。该晶圆通过在划片道中设置围绕芯片的牺牲环，牺牲环与围绕芯片功能区的保护环构成双环保护结构，即能在划片时阻挡应力向芯片功能区传递，又因牺牲环设置在划片道中不占用芯片的面积，提高了晶圆的利用率，从而降低了成本。
一种

[发明专利]具有顶侧存储器模块的IC封装-CN202080052891.9在审
发明人： D·阿泽鲁尔;L·本阿尔特西 -专利权人：马维尔以色列(M.I.S.L.)有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种印刷电路板(PCB)系统包括第一印刷电路板(PCB)、集成电路(IC)封装和存储器模块。IC封装包括：i)封装衬底，ii)电耦合到封装衬底的顶表面的主IC芯片，iii)设置在封装衬底的底表面上并电耦合到第一PCB的第一接触结构，以及iv)设置在封装衬底的顶表面上的第二接触结构。存储器模块包括i)第二PCB，ii)设置在第二PCB上的一个或多个存储器IC芯片，以及iii)设置在第二PCB的底表面上的第三接触结构。内插器将IC封装的第二接触结构与存储器模块的第三接触结构电耦合。
具有存储器模块 ic 封装

[发明专利]用于保护半导体晶粒的封装加强件-CN202111440063.5在审
发明人：威廉姆·爱德华兹;埃里克·托特;马达胡苏丹·克里希南·伊扬格;李元;乔治·派迪拉;昆文秀;康泰久 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本说明书的主题通常涉及电子封装。在一些实施方式中，无盖电子封装包括具有表面的衬底和设置在衬底表面上的晶粒。晶粒具有外周，与衬底表面相邻的底表面和顶表面。该电子封装包括设置在衬底表面上的加强件。加强件包括第一表面和第二表面，第一表面与衬底表面相距第一距离，第二表面设置在晶粒和第一表面之间。第一距离大于衬底表面和晶粒的顶表面之间的距离。第二表面距衬底表面第二距离，该第二距离小于衬底表面与晶粒的顶表面之间的距离。在所述第一表面和所述第二表面之间的凹槽，所述凹槽包括比所述第二表面更靠近所述衬底的所述表面的第三表面。
用于保护半导体晶粒封装加强

[实用新型]一种沟槽式高功率MOS半导体器件-CN202122283249.6有效
发明人：陈智 -专利权人：深圳市宇宏微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，公开了一种沟槽式高功率MOS半导体器件，包括MOS半导体和MOS半导体一端设置的引脚，MOS半导体外表面两侧开设有沟槽，沟槽外表面一侧设置有直角杆，一对直角杆之间设置有横板，横板一侧设置有套管，沟槽一端设置有圆弧端，沟槽内腔设置有移动槽，移动槽一端设置有旋转槽，直角杆外表面一侧设置有第一连杆，第一连杆一端设置有矩形块，矩形块位于移动槽内腔，横板两端设置有直角杆，从而使套管对引脚起到一定的防护效果。
一种沟槽功率 mos 半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201711095986.5有效
发明人：黄冠育;黄松辉;李百渊;许书嘉;李祥帆;黄思博 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。
半导体装置

[实用新型]一种新型整流桥-CN202122237577.2有效
发明人：王爱明;许罗香;拜余宏;王琳瑛;戴玉如 -专利权人：泗洪明芯半导体有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型整流桥，包括壳体、活动针脚和辅助组件，所述壳体的表面安置有护膜，且壳体的表面中端开设有通孔，所述壳体的左右两侧表面安置有凸点，所述通孔的左右两侧设置有散热片，所述壳体的下方设置有连接针，且连接针的下方设置有连接口，所述活动针脚安置于连接口的下方，所述壳体的左右两侧外壁开设有散热孔，所述辅助组件设置于活动针脚的端部，且辅助组件包括限位片、无痕胶带、护套和海绵层。该新型整流桥采用拆装结构，可以对装置的活动针脚进行拆卸，可以及时的更换和清理活动针脚，同时具有防护作用，可以对活动针脚起到一定的保护作用，并且可以对活动针脚的表面进行清理，保证活动针脚表面的整洁。
一种新型整流

[其他]高频模块和通信装置-CN202090000400.1有效
发明人：山口幸哉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：安装基板(91)，其具有由平面布线图案形成的地电极层(915)；作为多个外部连接端子的多个地端子(93)，所述多个地端子(93)配置于安装基板(91)的主面(91b)，被设定为地电位；以及第一高频部件(例如接收用滤波器(62)和/或低噪声放大器(22))，其安装于主面(91b)，其中，多个地端子(93)配置在与第一高频部件相比靠主面(91b)的外周侧的位置，并且与地电极层(915)连接，在俯视安装基板(91)时，第一高频部件的至少一部分与地电极层(915)重叠。
高频模块通信装置

[发明专利]半导体封装结构及制备方法、待封装芯片的制备方法-CN202111310201.8在审
发明人：李明亮;陈鹏;莫平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请提供了半导体封装结构及制备方法，用于半导体封装结构的待封装芯片的制备方法。半导体封装结构包括：封装基板、多层芯片堆积结构和模制化合物层，多层芯片堆积结构附接至封装基板，并包括依次堆积的多个芯片，模制化合物层形成在封装基板的表面上，并包封多层芯片堆积结构。芯片包括：半导体基底、电路层和加固降翘膜，半导体基底包括相对的第一表面和第二表面，电路层形成在第一表面上，加固降翘膜覆盖第二表面。本申请提供的半导体封装结构及其芯片结构通过改变芯片中局部机械应力的释放方向、增加芯片的机械强度，可有效避免芯片破损或翘曲的风险及封装器件失效的问题。
半导体封装结构制备方法芯片

[发明专利]连接体、连接体的制造方法及检查方法-CN202111204563.9在审
发明人：塚尾怜司 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提高压痕的视觉辨认性，并迅速、准确地进行利用各向异性导电膜的连接工序中的连接后的检查。具备透明基板、和经由各向异性导电粘接剂连接到透明基板上的电子部件，在透明基板的端子中，各向异性导电粘接剂所含有的导电性粒子造成的多个压痕（30）在面内方向排列。
连接制造方法检查

[发明专利]具有金刚石和金属或含金属合金的交替图案的复合衬底-CN201680008845.2有效
发明人： W-Q·许;C·刘;G·巴巴罗萨;E·E·伊斯勒;T·E·安德森;C·J·克莱辛格尔;N·利希滕斯坦 -专利权人： II-VI有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：复合衬底包括电绝缘部分、片、层或片段和导电部分、片、层或片段的交替图案的热沉衬底，以及用于支撑电绝缘部分和导电部分的交替图案的轴、底座或板。具有P‑N结的有源器件可以安装在热沉衬底上。电绝缘部分、片、层或片段可以由金刚石形成，而导电部分、片、层或片段可以由金属或含金属合金形成。
具有金刚石金属合金交替图案复合衬底

[实用新型]一种能够消除外应力的TO型集成电路外壳-CN202121613599.8有效
发明人：隋光波;姜冰 -专利权人：海阳市佰吉电子有限责任公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及外壳技术领域，尤其为一种能够消除外应力的TO型集成电路外壳，包括外壳，所述外壳外侧固定连接有气垫，所述气垫外侧固定连接有垫板，所述垫板外侧固定连接有外套，且外套与外盒和垫板固定连接，所述气垫内侧固定连接有导管，且导管贯穿气垫和外套，本实用新型通过设置的支架和过滤网，在使用装置前，将支架放入滑槽，推动支架带着限位条滑动，并使卡块插入固定块内，通过限位条和卡块的限位将支架固定在盖子上，从而将过滤网固定在盖子的通孔外侧，外壳内外的气体交换时会经过过滤网的过滤，防止外界空气中的灰尘进入外壳内，防止外界空气中的灰尘流入外壳内，附着在电子元件上影响电子元件的散热。
一种能够消除应力 to 集成电路外壳

[实用新型]一种双面封装结构-CN202121710300.0有效
发明人：黄金鑫;黄晓梦;成秀清;张志龙 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种双面封装结构，包括基板、芯片、塑封层和多个防翘曲部件，所述芯片安装在所述基板的相对两侧面上；塑封层覆盖于所述基板的相对两侧面上并塑封所述芯片；多个防翘曲部件安装在所述基板的相对两侧面上且包封于所述塑封层内，用于平衡基板上所述芯片的重力和所述封装结构的热应力。本申请通过设置嵌入塑封层的防翘曲部件，利用其对基板上芯片重力的平衡和对封装结构热应力的改善，有效减少和抑制封装结构在垂直于所述基板的方向发生翘曲形变，提高了封装结构的稳定性和可靠性。
一种双面封装结构

[发明专利]芯片封装结构-CN202111249288.2在审
发明人：徐齐;王超;锁志勇;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片封装结构。该芯片封装结构包括：封装基板，封装基板的第一表面电连接有驱动芯片；应力分散层，设置于第一表面上并位于驱动芯片的外周，且在垂直于第一表面的方向上，应力分散层的厚度大于或等于驱动芯片的厚度；应力缓冲层，覆盖应力分散层并包裹驱动芯片；半导体芯片组，设置于应力缓冲层上并与第一表面电连接。本申请通过设置上述应力分散层，能够用于分散封装过程中半导体芯片组由于受到外力施加而产生的向下的应力，从而有效避免现有技术中应力集中在与应力缓冲层中与驱动芯片边缘对应的区域，所导致的半导体芯片组中底部芯片损坏，进而降低了半导体芯片组中芯片发生失效造成短路的风险，提高了芯片封装结构的性能。
芯片封装结构

[发明专利]一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法-CN202111258550.X在审
发明人：岳永豪;郑晓琼;梅志鹏;李宝霞 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法，能够实现切割胶带与晶圆切割道结构牢固贴附，改善晶圆切割质量，提高Die成品率。一种双面布线晶圆切割道结构，包括多片Die，Die下表面的RDL布线层与切割道区域之间的厚度差形成U型切割道；所述U型切割道的中间设置一道横梁。一种双面布线晶圆切割道结构制备方法，包括以下步骤：对晶圆上表面进行临时键合，并对形成的临时键合晶圆下表面减薄加工；在减薄的临时键合晶圆下表面依次进行介质层制备、TSV铜柱露铜和RDL布线层制备；在RDL布线层表面制备绝缘层，并在U型切割道的中间制备所述横梁，完成包含所述横梁的晶圆切割道结构的制备。
一种双面布线切割结构及其制备方法

[发明专利]耐冲击减震结构及电子装置-CN201711465216.5有效
发明人：庄瑞彰;蔡镇竹;张凯铭;张志嘉;郑莛薰 -专利权人：财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种耐冲击减震结构及电子元件。耐冲击减震结构包括阻抗叠层以及缓冲叠层。阻抗叠层配置于电子元件的第一表面上，缓冲叠层配置于电子元件的第二表面上，电子元件的第一表面以及第二表面相对应。缓冲叠层包括软膜层以及支撑层。支撑层配置于软膜层与电子元件之间。
冲击减震结构电子装置

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