专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种瞬态可自毁的集成电路器件-CN202211527148.1在审
  • 朱智源;蒲茂秋;彭德光 - 重庆兆光科技股份有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-03-03 - H01L23/00
  • 本申请提供一种瞬态可自毁的集成电路器件,包括:衬底;封装管壳,扣接在所述衬底上,在所述封装管壳内形成腔体;凹槽,所述凹槽的顶部开口设置于所述封装管壳背离所述衬底的一侧;多孔隔板,设置于所述腔体内并与所述凹槽的底部对接以封闭所述凹槽的底部;光敏聚合物,设置于所述凹槽内,用于在光照下产生腐蚀性溶液;传感器,设置于所述衬底与所述多孔隔板之间;透光盖板,设置于所述凹槽的顶部开口处,用于封闭所述顶部开口,使得光线透过所述透光盖板进入所述凹槽。本申请结构简单、成本低、能根据外界光照情况实现可控自毁。
  • 一种瞬态自毁集成电路器件
  • [实用新型]一种瞬变电压抑制二极管器件-CN202222822794.2有效
  • 周香艳 - 深圳市中昇微半导体有限公司
  • 2022-10-26 - 2023-03-03 - H01L23/00
  • 本实用新型公开了一种瞬变电压抑制二极管器件,包括抑制二极管本体、密封组件和防护组件,所述抑制二极管本体左端中部设置有阳极引脚,且抑制二极管本体右端中部设置有阴极引脚,用于防护的所述密封组件连接于抑制二极管本体左右两侧,且密封组件包括密封套和承接端头,所述密封套外端固定连接有承接端头,所述防护组件安装于抑制二极管本体的外侧。该瞬变电压抑制二极管器件设置有承接端头,外金属片与密封套通过连接处结构尺寸相吻合的薄片端与承接端头相互贴合进行卡合,进而对外金属片限位,而通过该种方式的安装的外金属片也能够通过密封套的松脱进而对自身进行拆除,便于更换,从而提高整个瞬变电压抑制二极管器件的防护性能。
  • 一种电压抑制二极管器件
  • [实用新型]一种半导体功率器件终端保护结构-CN202222755049.0有效
  • 吴银惠;苏雷雷;吴怀荣 - 深圳市沃德芯科技有限公司
  • 2022-10-19 - 2023-02-21 - H01L23/00
  • 本实用新型公开一种半导体功率器件终端保护结构,包括半导体功率器件本体、终端保护底板、防护固定框和防护网架,半导体功率器件本体的两侧壳体上对称等距设有限位条,半导体功率器件本体的两侧壳体上对称等距焊接有引脚,且引脚贯穿固定在限位条内部,终端保护底板上表面与引脚底面焊接,防护固定框与终端保护底板四边固定连接,防护网架的个数为两个,且两个防护网架滑动套接在防护固定框两侧,同时两个防护网架靠近引脚外壁,解决了现有的半导体功率器件在投入使用的时候,由于整个半导体功率器件的终端是裸露在外部空间,容易导致半导体功率器件的终端损坏,这样就降低了防护性的问题。
  • 一种半导体功率器件终端保护结构
  • [发明专利]高分辨率焊接-CN202180039742.3在审
  • Z·科特勒;O·福格 - 奥宝科技有限公司
  • 2021-02-24 - 2023-02-14 - H01L23/00
  • 一种用于电路制造的方法包含界定待形成于受体衬底上的目标位置处的焊料凸块,所述焊料凸块包含指定焊料材料且具有指定凸块体积。定位具有包含所述指定焊料材料的供体膜的透明供体衬底,使得所述供体膜接近所述受体衬底上的所述目标位置。激光辐射的脉冲序列经引导穿过所述供体衬底的第一表面并照射在所述供体膜上,以便诱导从所述供体膜喷射所述焊料材料的数个熔融液滴到所述受体衬底上的所述目标位置上,使得沉积在所述目标位置处的所述液滴积累地达到所述指定凸块体积。加热所述目标位置,使所述沉积液滴熔融并回流以形成所述焊料凸块。
  • 高分辨率焊接
  • [发明专利]一种自毁器件及芯片-CN202211467170.1在审
  • 刘凡宇;张旭;李博;陈思远;罗家俊;李彬鸿;叶甜春 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-11-22 - 2023-02-03 - H01L23/00
  • 本发明公开了一种自毁器件及芯片,涉及电子技术领域,自毁器件包括:第一自毁电极和第二自毁电极;中间硅层、第一硅层掺杂和第二硅层掺杂,中间硅层的一侧通过第一硅层掺杂连接第一自毁电极,中间硅层的另一侧通过第二硅层掺杂连接第二自毁电极;密封层,密封层配合第一硅层掺杂和第二硅层掺杂将中间硅层封闭;衬底,衬底与密封层连接;当第一自毁电极接收到第一预设阈值电信号,第二自毁电极接收到第二预设阈值电信号,衬底接收到第三预设阈值电信号,并持续第四预设阈值时长后,中间硅层在封闭空间内温度升高,使得器件被击穿或烧毁。本申请成本低、集成度高,既保证芯片正常工作,又能快速自毁。
  • 一种自毁器件芯片
  • [实用新型]一种封装结构和电子设备-CN202221960159.4有效
  • 刘玉栋;闫文明 - 青岛歌尔微电子研究院有限公司
  • 2022-07-27 - 2023-02-03 - H01L23/00
  • 本实用新型公开了一种封装结构和电子设备,该封装结构包括基板、芯片、盖板、封胶件。所述芯片设置在所述基板上。所述盖板盖设在所述基板上以形成容纳腔,所述芯片位于所述容纳腔中。所述封胶件设置于所述容纳腔中并对所述芯片形成包覆。本实用新型通过设置封胶件包覆芯片,能够保护芯片,防止灰尘或者水渍进入芯片以影响芯片的精度,延长了芯片的使用寿命,提高了应用该封装结构的电子设备的防尘防水性能。
  • 一种封装结构电子设备
  • [发明专利]集成电路器件-CN201780039918.9有效
  • 斯特凡纳·朱利安;帕斯卡尔·奥布里 - 纳格拉维森公司
  • 2017-04-27 - 2023-01-24 - H01L23/00
  • 本发明公开了一种集成电路器件,该器件包括保护层及位于基底上的受保护电路,所述保护层配置成通过吸收透过基底射向受保护电路的激光辐射来保护受保护电路。所述器件可以配置成使得所述保护层的移除导致会使所述受保护电路失效的物理损坏。所述器件可包括突出到所述基底内且位于所述保护层与所述受保护电路之间的中间电路,其中,会使所述受保护电路失效的物理损坏是针对所述中间电路的损坏。所述器件可包括检测电路,其配置成检测所述器件的能够指示所述保护层的移除的电特性变化,以及作为对检测到该电特性变化的回应,致使所述受保护电路失效。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]导电体焊接方法-CN202080100673.8在审
  • 安成龙 - 安成龙
  • 2020-06-05 - 2022-12-30 - H01L23/00
  • 本发明涉及一种可以通过在电子装置的引线端子上直接设置导电颗粒图案和导电颗粒固定材料来简单且容易地进行导电体的焊接工作的导电体焊接方法,根据本发明的导电体焊接方法包括:第一步骤S100,将第一导电颗粒固定材料110放置在电子装置1的引线端子2;第二步骤S200,仅在第一导电颗粒固定材料110上表面的与电子装置的引线端子2形成区域一致的区域以相互密集的方式放置导电颗粒120,从而形成导电颗粒图案;第三步骤S300,将导电体3与在第一、第二步骤S100、S200中形成第一导电颗粒固定材料和导电颗粒图案的显示面板1的引线端子2对准的步骤;以及第四步骤S400,通过对对准的导电体3施加热量或压力施加到来将其焊接到引线端子2上。
  • 导电焊接方法
  • [发明专利]一种集成PFC电路的半导体电路-CN202211127865.5在审
  • 冯宇翔;左安超;蒋华杏 - 广东汇芯半导体有限公司
  • 2022-09-16 - 2022-12-30 - H01L23/00
  • 本发明涉及一种集成PFC电路的半导体电路,半导体电路包括电路基板、多个引脚和密封层,其中电路基板包括安装面和散热面,安装面设置有电路布线层,电路板布线层上包含多个元件安装位和多个焊盘,多个元件安装位设置有多个电子元件,其中电路布线层和多个电子元件组成逆变电路、驱动逆变电路的逆变驱动电路、PFC开关电路以及驱动PFC开关电路的PFC驱动电路,其中PFC开关电路和PFC驱动电路、逆变驱动电路和逆变电路设置于电路基板的两侧,且PFC驱动电路的PFC驱动芯片和电路布线层之间设置有隔热层。通过设置隔离层,以此隔离PFC开关电路的工作高温对PFC驱动芯片的影响,从而提升半导体电路的工作稳定性。
  • 一种集成pfc电路半导体

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