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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310415912.4在审
发明人：沈文维;黄松辉;侯上勇;詹森博;黄思博;黄冠育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底；多个管芯，附接至衬底的第一侧；模制材料，位于所述多个管芯周围的衬底的第一侧上；第一重分布结构，位于衬底的与第一侧相对的第二侧上，第一重分布结构包括介电层和位于介电层中的导电部件，导电部件包括导电线、通孔以及与导电线和通孔隔离的伪金属图案；以及导电连接器，附接至第一重分布结构的背向衬底的第一表面。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210067037.0在审
发明人：叶庭聿;陈庆和;丁国强;陈伟铭;许家豪;黄冠育;许书嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括以下步骤。将多个导电球放置在电路衬底上方，其中每个导电球放置在多个接触垫中的任一者的接触面积上，而接触面积被经图案化的掩模层以可触及的方式显露出来。回焊导电球以形成连接到电路衬底的接触垫的具有不同的高度的多个外部端子，其中形成在电路衬底的第一区中的外部端子的第一外部端子和形成在电路衬底的第二区中的外部端子的第二外部端子是非共面的。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]封装结构与其形成方法-CN201911336403.2有效
发明人： 黄冠育;黄松辉;赖瑞协;侯上勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：提供一种封装结构与其形成方法。其方法包括在基材上形成一个或多个焊料元件。一个或多个焊料元件围绕基材的区域。其方法也包括在基材的区域上设置半导体晶粒结构。其方法还包括在基材的区域上分配含有聚合物的液体。一个或多个焊料元件限制含有聚合物的液体大抵在区域中。此外，其方法包括固化含有聚合物的液体以形成底部填充材料。
封装结构与其形成方法

[发明专利]具有多种类型底部填充物的封装件及其形成方法-CN202210294799.4在审
发明人： 黄冠育;郭立中;黄松辉;侯上勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/18 文献下载
摘要：本公开总体涉及具有多种类型底部填充物的封装件及其形成方法。一种方法包括：将第一封装组件接合在第二封装组件之上，在第一封装组件和第二封装组件之间散布第一底部填充物，并且将第三封装组件接合在第二封装组件之上。第二底部填充物在第三封装组件与第二封装组件之间。第一底部填充物和第二底部填充物是不同类型的底部填充物。
具有多种类型底部填充物封装及其形成方法

[发明专利]半导体封装-CN202110759002.9在审
发明人： 黄冠育;黄松辉;侯上勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体封装，包含封装衬底、密封半导体器件以及多个导电凸块。封装衬底包含器件安装区、多个衬底衬垫以及阻焊层。密封半导体器件安置在器件安装区上方且包含多个器件衬垫。导电凸块通过阻焊层连接在多个衬底衬垫与多个器件衬垫之间且包含器件安装区的外围上的第一导电凸块。第一导电凸块的用于接触衬底衬垫中的相应一个的第一接触面积大体上大于第一导电凸块的用于接触器件衬垫中的相应一个的第二接触面积。
半导体封装

[发明专利]半导体装置封装体及其制造方法-CN202210554142.7在审
发明人：陈又维;郭立中;施应庆;卢思维;林俊成;李隆华;黄冠育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体装置封装体及其制造方法。半导体装置封装体包括一封装体，封装体包括一封装基底、一集成电路芯片、一封胶层、一环形体以及一盖板。集成电路芯片形成于封装基底上方，而封胶层围绕该集成电路芯片，且露出集成电路芯片的一背表面。环形体形成于封装基底上，且围绕该集成电路芯片。盖板经由一热界面材料接合至集成电路芯片的露出的背表面。热界面材料被封胶层所围绕，且热界面材料于封装基底的一投影面积大于集成电路芯片于封装基底的一投影面积。
半导体装置封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910754396.1有效
发明人： 黄冠育;郭立中;黄松辉;侯上勇;陈琮瑜;黄建元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括在衬底的上表面的第一区域中施加粘合材料，其中，施加粘合材料包括：在第一区域的第一位置处施加第一粘合材料；在第一区域的第二位置处施加第二粘合材料，第二粘合材料具有与第一粘合材料不同的材料组分。该方法还包括使用施加在衬底的上表面上的粘合材料将环附接到衬底的上表面，其中，粘合材料在环附接之后位于环和衬底之间。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]芯片封装结构及其形成方法-CN201911337054.6有效
发明人：黄松辉;黄冠育;侯上勇;林于顺;黄贺昌;许书嘉;李百渊;叶宫辰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。
芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711230904.3有效
发明人： 黄冠育;蓝子凯;殷寿志;许书嘉;李百渊;黄松辉;李祥帆;韩英信 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方，其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级，且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201711095986.5有效
发明人： 黄冠育;黄松辉;李百渊;许书嘉;李祥帆;黄思博 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。
半导体装置

[发明专利]封装件及制造方法-CN202110936175.3在审
发明人： 黄冠育;黄松辉;侯上勇;许书嘉;黄裕允;张文耀;郑育真 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：在实施例中，中介层具有：第一侧；第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至中介层的第一侧，第一组导电连接件中的每个均具有第一高度；第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至中介层的第一侧，第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件，第一导电连接件具有第二高度，第二导电连接件具有第三高度，第三高度不同于第二高度；第一伪导电连接件，位于中介层的第一侧和第一管芯封装件之间；底部填充物，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件下方；以及密封剂，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件周围。本申请的实施例涉及封装件及制造方法。
封装制造方法

[发明专利]集成电路封装件及其形成方法-CN201811476004.1有效
发明人：侯上勇;黄松辉;黄冠育;胡宪斌;林于顺;黄贺昌;夏兴国;洪志杰;施应庆;高金福;魏文信;郭立中;吴集锡;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种集成电路封装件及其形成方法。该方法包括将集成电路管芯附接至第一衬底。形成伪管芯。伪管芯附接至第一衬底且与集成电路管芯相邻。在第一衬底上方并且在伪管芯和集成电路管芯周围形成密封剂。平坦化密封剂、伪管芯和集成电路管芯，密封剂的最上表面与伪管芯的最上表面和集成电路管芯的最上表面大致齐平。去除伪管芯的内部部分。伪管芯的剩余部分形成环形结构。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910567643.7有效
发明人：余振华;夏兴国;黄松辉;黄冠育;丁国强;侯上勇;吴集锡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括光子集成电路管芯、电子集成电路管芯、半导体坝和绝缘密封剂。光子集成电路管芯包括光学输入/输出部分和位于光学输入/输出部分附近的凹部，其中凹部适于横向插入至少一个光纤。电子集成电路管芯设置在光子集成电路管芯上方并且电连接至光子集成电路管芯。半导体坝设置在光子集成电路管芯上方。绝缘密封剂设置在光子集成电路管芯上方并且横向封装电子集成电路管芯和半导体坝。本发明的实施例还提供了其他的半导体结构以及形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有加强结构的封装-CN202011014450.8在审
发明人：黄松辉;侯上勇;黄冠育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种封装包括第一管芯、第二管芯、半导体框架以及加强结构。第一管芯具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一管芯包括在第一表面上的凹槽。第二管芯及半导体框架并排配置在第一管芯的第一表面上。半导体框架具有暴露出第一管芯的凹槽的至少一个凹口。加强结构配置在第一管芯的第二表面上。加强结构包括与凹槽对准的第一部分。
具有加强结构封装

[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202011040456.2在审
发明人： 黄冠育;吴志伟;黄松辉;侯上勇;施应庆;李澄杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括彼此堆叠且彼此电连接的第一封装组件与第二封装组件。第一封装组件包括第一导电凸块及第二导电凸块，第二封装组件包括第三导电凸块及第四导电凸块，第一导电凸块及第二导电凸块的尺寸小于第三导电凸块及第四导电凸块的尺寸。半导体封装包括部分地包裹第一导电凸块及第三导电凸块的第一接合结构，以及部分地包裹第二导电凸块及第四导电凸块的第二接合结构。第一接合结构的曲率不同于第二接合结构的曲率。
半导体封装及其制造方法

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