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[发明专利]半导体器件-CN201710607147.0有效
发明人：张贤禹;朴正焕;R.卡帕甘图;金成镇;卢晙镛;韩正勋;金承洙;金成珍;李昭定 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底、第一绝缘层、数据存储元件、接触插塞和第一虚设坝。第一绝缘层在衬底上并包括焊盘区和与焊盘区相邻的外围区。数据存储元件在第一绝缘层的焊盘区上。接触插塞穿透外围区上的第一绝缘层。第一虚设坝穿透第一绝缘层并设置在数据存储元件与接触插塞之间。
半导体器件

[发明专利]用于无线收发器的高密度倒装芯片封装-CN202180033683.9在审
发明人： I·R·查玛斯;M·阿布齐德;B·S·阿苏里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供了一种RF倒装芯片，在RF倒装芯片中，与裸片角部相邻的局部凸块区域包括具有位于中央的凸块的平衡不平衡转换器。位于中央的凸块可以相对于平衡不平衡转换器内的信号而浮接。局部凸块区域在裸片角部处包括在其中排除凸块的止裂区域。局部凸块区域还包括用于平衡不平衡变换器的至少一个输出凸块。
用于无线收发高密度倒装芯片封装

[发明专利]集成电路结构与电路及其操作方法-CN202210021059.3在审
发明人：吕士濂;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路结构与电路及其操作方法。本揭露根据实施例描述薄膜晶体管类型光感测电路。薄膜晶体管类型光感测电路包括两薄膜晶体管以，其中一薄膜晶体管的通道区包括光感测区且另一薄膜晶体管的通道区具有设置于其上的顶盖材料。薄膜晶体管类型光感测电路还包括比较器元件，电性耦合至两薄膜晶体管且经配置以对应于其通道区具有光感测区的薄膜晶体管暴露至光而侦测两薄膜晶体管之间的电流差异。
集成电路结构电路及其操作方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法-CN202080096741.8在审
发明人：塚原良洋;木村实人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法，半导体装置具备：多层基板，它们形成有布线图案和接地用图案；多个半导体元件，它们安装于所述多层基板上；绝缘性密封件，其设置于所述多层基板上并覆盖所述多个半导体元件；金属膜，其设置于所述绝缘性密封件上；槽内金属，其与从所述绝缘性密封件的侧面上端到达所述多层基板的侧面下端的多个槽相接而设置；以及孔内金属，其与所述金属膜和所述接地用图案相接地设置于孔的内壁，该孔贯通所述绝缘性密封件而到达所述多层基板。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种便于组装的三极管-CN202220987166.7有效
发明人：朱礼贵;张勇峰;刘玲;许永良;刘洪硕 -专利权人：深圳市鲁光电子科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于组装的三极管，包括本体，所述本体外侧设置环形槽，所述环形槽内卡接有支撑帽，所述支撑帽外侧阵列设置至少三个直角杆。本实用新型通过至少三个直角杆，对本体进行架空，本体的针脚对应插在线路板的对应焊接孔上，避免本体歪斜影响焊接作业；进一步，按压圆形板，使得凸块接触本体上侧，此时可以通过向上提拉支撑帽，使得支撑帽的橡胶凸环脱离环形槽，从而方便取下。
一种便于组装三极管

[发明专利]具有跨过界面的桥接件的线路板-CN201910892683.9有效
发明人：林文强;王家忠 -专利权人：钰桥半导体股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有跨过界面的桥接件的线路板，包括与核心基板或金属引线合并的电隔离件或互连件以及桥接件，该桥接件跨过两相接表面之间的界面，以使电隔离件或互连件上的路由电路电性连接至核心基板上的另一路由电路或电性连接至金属引线。由于桥接件可提供未直接贴附界面的可靠连接通道，故任何界面上的裂损或剥离现象都不会对路由的完整性造成影响。
具有跨过界面桥接件线路板

[发明专利]电子芯片-CN201810829792.1有效
发明人： S·珀蒂迪迪埃 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：电子芯片包括：导电焊盘，位于衬底的前侧，衬底由半导体材料制成；腔体，从衬底的背侧延伸至衬底中，每个腔体到达导电焊盘；导电层，覆盖腔体的壁和底部并且包括导电层的多个部分，每个部分在背侧上延伸在两个腔体之间，导电层的每个部分局部地位于突起上；以及电路，能够检测在两个焊盘之间测量的电气特性的变化。
电子芯片

[实用新型]一种具有引脚保护结构的软基带SoC芯片-CN202222225233.4有效
发明人：王航;张珍瑜;吴茂林 -专利权人：南京齐芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有引脚保护结构的软基带SoC芯片，涉及芯片加工技术领域，该具有引脚保护结构的软基带SoC芯片，包括芯片本体和均匀分布在芯片本体外两侧表面的芯片引脚，所述芯片本体的顶端表面安装有活动连接机构，所述活动连接机构的外侧表面安装有防护机构，所述活动连接机构用于连接防护机构，所述芯片本体的底端表面安装有可撕胶层，所述可撕胶层的外侧表面连接有底层密封机构。本实用新型通过定位柱脚进行固定，从而通过分隔固定板将芯片引脚分离，使得火漆棒与焊接电路板相互接触，将焊枪对准焊接长槽，使得导热板受热，从而将火漆棒融化，从而将防护压板固定在焊接电路板上，在对其他零件进行焊接时，可有效保护芯片引脚。
一种具有引脚保护结构基带 soc 芯片

[发明专利]接合系统和表面改性方法-CN202210558803.3在审
发明人：三村勇之;前田浩史;寺田尚司;本田胜;坂本亮一;山崎穰 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种接合系统和表面改性方法，能够提高重合基板的接合质量。本公开的一个方式的接合系统具备表面改性装置和接合装置。表面改性装置通过处理气体的等离子体对基板的与其它基板进行接合的接合面进行改性。接合装置通过分子间力将被表面改性装置改性后的两个所述基板接合。另外，表面改性装置具备能够收容基板的处理容器、向处理容器的内部供给包含水分的处理气体的处理气体供给部、以及生成包含水分的处理气体的等离子体的等离子体生成部。
接合系统表面改性方法

[发明专利]包括被配置为电保护环和止裂件的外围结构的集成器件-CN202180027622.1在审
发明人： A·保罗;M·马特罗比安 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种集成器件，其包括：衬底；电路区域，位于该衬底之上；设计禁止区域，位于该衬底之上；以及外围结构，位于该衬底之上。该设计禁止区域横向围绕该电路区域。该外围结构包括第一多个互连部，该第一多个互连部横向围绕该设计禁止区域。该外围结构被配置为作为电密封环和机械止裂件来操作。
包括配置保护环止裂件外围结构集成器件

[发明专利]一种功率半导体晶圆及制备方法-CN202210777381.9在审
发明人：张玉明;刘文辉;宋庆文;袁昊;汤晓燕;李家贵;许允亮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体晶圆及制备方法，该功率半导体晶圆包括：若干功率半导体芯片区、若干划片道区和边缘区，若干所述划片道区和所述边缘区形成机械支撑区，若干所述功率半导体芯片区位于所述机械支撑区之间，所述边缘区位于若干所述功率半导体芯片区和若干所述划片道区的外周；所述边缘区的半导体材料厚度与所述划片道区的半导体材料厚度相等，所述功率半导体芯片区的半导体材料厚度小于所述机械支撑区的半导体材料厚度，使得所述机械支撑区形成网格状结构。该功率半导体晶圆可有效降低碎片率，从力学结构上比圆环结构更为坚固，与使用的具体半导体材料无关，通用性和适应性强，可以兼具低导通电阻、低热阻的功率半导体芯片。
一种功率半导体制备方法

[发明专利]半导体结构-CN202110511466.8在审
发明人：刘奇青;陈修斌;温松颖;洪佐桦;陈俞安;林铭哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构用以产生物理不可仿制功能码。半导体结构包括金属层、N个钛结构以及N个氮化钛结构，N为正整数。金属层形成N个金属结构。钛结构分别形成在金属结构的一端上。氮化钛结构分别形成在钛结构的上方。其中金属结构与分别对应的钛结构以及氮化钛结构分别形成多个柱状体。柱状体提供多个电阻值，上述电阻值用以产生物理不可仿制功能码。
半导体结构

[发明专利]半导体封装件的制造方法-CN202080099064.5在审
发明人：福住志津;铃木直也 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明所涉及的半导体封装件的制造方法包括：(A)在包含多个半导体封装件的板部件的第一表面且电路露出面形成临时固定材料层的工序；(B)对板部件的第二表面黏贴压敏胶黏剂膜的工序；(C)将压敏胶黏剂膜上的板部件及临时固定材料层单片化为多个带临时固定材料片的半导体封装件的工序；(D)以相邻的带临时固定材料片的半导体封装件的间隔成为0.1mm以上的方式，在支撑载体上配置多个带临时固定材料片的半导体封装件的工序；(E)从支撑载体及多个带临时固定材料片的半导体封装件剥离压敏胶黏剂膜的工序；及(F)在多个带临时固定材料片的半导体封装件的表面上形成功能层的工序。
半导体封装制造方法

[发明专利]具有缓冲层的半导体器件-CN202180021470.4在审
发明人： H.S.赵;S.K.穆尼拉提南 -专利权人： PEP创新私人有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了一种晶圆级缓冲层。所述晶圆级缓冲层被配置为防止在晶圆切割过程中后段(BEOL)电介质产生碎裂。晶圆级缓冲层是一种具有减振剂的复合晶圆级缓冲层。所述减振剂包括具有填料的聚合物基底层。所述阻尼剂在切割过程中吸收或抑制锯条的振动，用于防止后段(BEOL)电介质产生碎裂。
具有缓冲半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810051242.1有效
发明人：藤田努;友野章;大野天颂 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种既抑制了半导体芯片的不良又提高了与封装树脂的密接性及杂质吸除效果的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体衬底。半导体元件设置于半导体衬底的第1面上。能量吸收膜设置于第1面上，吸收光能而发热。第1绝缘膜设置于半导体元件及能量吸收膜上。第2绝缘膜设置于处在第1面相反侧的半导体衬底的第2面上。第1改质层设置于处在第1面外缘与第2面外缘之间的半导体衬底的侧面。第2改质层设置于能量吸收膜与第1改质层之间的侧面。劈开面设置于第1改质层与第2改质层之间的侧面。
半导体装置及其制造方法