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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体芯片的安装结构体、液晶装置和电子装置-CN99104085.6有效
发明人：内山宪治 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1999-03-23 - 公布日： 1999-11-17 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的课题是在使用各向异性导电膜(ACF)等的粘接剂将半导体芯片安装在基板上的安装结构体中防止在粘接剂中产生残留应力以提高电极端子间的连接可靠性。该安装结构体包括具备多个凸点16的半导体芯片6和具备多条输出布线11和输入端子12的电路基板3。在电路基板3中被布线11和端子12的接合区部分包围的区域内分散地配置多个贯通孔10,使压接处理时成为多余的ACF4通过这些贯通孔而逸出,由此来防止在ACF4中产生大的内部应力。
半导体芯片安装结构液晶装置电子

[发明专利]解决集成电路静电放电问题的电路布局-CN98100148.3无效
发明人：高进南;张治 -专利权人：盛群半导体股份有限公司
申请日： 1998-01-20 - 公布日： 1999-07-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种解决集成电路静电放电问题的电路布局,其结构包含有内部电路、电源、地线、多个输出/输入端口接触垫、以及一个电元件。该电源分成两组,分别为VDDI和VDDE;该地线亦分成两组,分别为VSSI和VSSE;该电元件的地线单独连接至VSSE或VSSI而接地;所述输出/输入端口接触垫两边皆有保护电路,其由一个PMOS和一个NMOS所构成,其中紧邻该电元件的输出/输入端口接触垫皆以PMOS邻近该电元件;所述电元件之两旁更包含一基底保护环。
解决集成电路静电放电问题电路布局

[实用新型]在无接触芯片卡内支撑半导体芯片的元件-CN97229520.8无效
发明人： J·菲舍尔;M·弗里斯;J·蒙德伊格;F·佩维斯查内尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1997-11-05 - 公布日： 1999-07-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：在无接触芯片卡中用于半导体芯片的支撑元件,它是由大约矩形的基平面作为框架构成和由一个容纳有半导体芯片的第一部分,其上形成有第一个大约L形状的接触凸肩以及由同样是大约L形状的构成第二接触凸肩的第二部分构成,此两部分是由保护半导体芯片的铸件材料一起支持的,并且在释放第一接触凸肩的区域内通过接触凸肩的L形状该第二接触凸肩布置在大约矩形的基平面上。
接触芯片支撑半导体元件

[发明专利]具有简单保护结构的半导体器件及其制造过程-CN98120288.8无效
发明人：木村直人 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-10-14 - 公布日： 1999-04-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一个半导体集成电路器件在半导体芯片和球栅阵列之间有一个保护结构,并且该保护结构具有一个粘合在半导体芯片表面的薄的聚酰亚胺膜以及一个覆盖在连接表面焊盘与球栅阵列之间的导电带上的厚的应力缓冲层;当热应力施加在球栅阵列上时,厚的应力缓冲层可使所述球栅阵列移动以吸收该热应力。
具有简单保护结构半导体器件及其制造过程

[发明专利]用于把两个集成电路直流上相互隔离的方法和设备-CN97104593.3无效
发明人： D·A·亚克林;K·L·科恩荷 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 1997-03-31 - 公布日： 1997-11-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供了一种用于在可能引入不同地电势的两个集成电路装置(11)和(12)之间提供直流隔离的隔离电路(10)，隔离电路包括连在每个电路中的输出缓冲器(20，20’)，以把信号传递到连有输出缓冲器的电路(11，12)的输入/输出引脚(16，17)，可以是单个电容器多电容器组合的电容(30)连到每个电路的引脚(16，17)，在每个电路中还连接了输入缓冲器(22，22’)以接收传递到I/O引脚上的信号。输入缓冲器包括用于阻挡电容器中电荷泄漏的电路。
用于两个集成电路直流相互隔离方法设备

[发明专利]电子部件用端子及其制造方法-CN96111401.0无效
发明人：渡边久;武田省二;野竹秀树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-08-23 - 公布日： 1997-04-02 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：电子部件用端子17、18具有在连接在电子部件的壳体11上、断面为矩形的接续部17A、18A和粘贴在硬纸板20上、断面为矩形的胶带粘贴部17B、18B之间的下方圆棒部17C、18C及上方圆棒部17D、18D。当使用自动安装机把该电子部件用端子装配在印刷电路板上时，首先在下方圆棒部17C、18C处将端子17、18切断，使电子部件与硬纸板20分离，其次把端子17、18装配在印刷电路板上后在上方圆棒部分17D、18D处切断，以除去多余部分。
电子部件端子及其制造方法

[实用新型]整流器固定座的结合片-CN94214483.X无效
发明人：叶黄雪霞 -专利权人：日堡工业有限公司
申请日： 1994-06-09 - 公布日： 1996-02-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种结合性佳、散热性好、品质优良的整流器固定座的结合片，其是经由数道工序而形成的铝合金结合片，该结合片的对称边或每一边设有呈凹形的嵌合槽，且其朝上面或朝下面或上下两面设有增加与固定座的结合强度及增加整流器散热效果的放射状沟槽，而其与整流器的固定座结合时，即以该嵌合槽及沟槽与固定座紧密结合。
整流器固定结合

[实用新型]紫铜镀铁管座-CN90214286.0无效
发明人：宋仁芳;潘旭 -专利权人：宋仁芳;潘旭
申请日： 1990-08-30 - 公布日： 1991-03-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种紫铜镀铁半导体管座，它适合于各种用脉冲焊封接的半导体管件。该管座是在紫铜管座上直接镀铁后浸铜而成，不需钢环和耗用价格很贵的银铜焊料，且废品率显著降低，其制造成本是原紫铜管座的60～70％。
紫铜铁管

[发明专利]半导体探测器的保护装置-CN86107440.8无效
发明人：吴万侯 -专利权人：中国有色金属工业总公司矿产地质研究院
申请日： 1986-12-15 - 公布日： 1990-10-03 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明为一种硅锂、锗锂或高纯锗半导体探测器的保护装置，由充满了液氮容器中不断溢出的氮气的保护罩组成，可以作到不附加光子损失条件下，在相对温度达95％的环境中有效地保护半导体探测器的铍窗免受腐性气体的腐蚀，并同时解决了高压引入端和前置放大器的干燥问题，保证了探测器的灵敏度的同时，大大延长了探测器的寿命。
半导体探测器保护装置

[其他]硅元件全硬封结构-CN87203423无效
发明人：段祥照;涂继平;于海波 -专利权人：国家机械工业委员会沈阳仪器仪表工艺研究所
申请日： 1987-07-04 - 公布日： 1988-08-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种能实现扩散硅力敏元件及其它硅元件气密性封接，抗拉抗压封接的全硬封结构。在-40℃～+150℃循环五次温度冲击后，抗拉强度≥70kgf/cm2，漏率≤109It/S，电参数无变化。它由设计加工有杯口型封口结构的金属支架管，与玻璃座烧结，抛光后同抛光了的硅杯或者硅元件进行静电封接。
元件全硬封结构

[其他]带温度保护开关的功率固体器件-CN87208107无效
发明人：徐国祥 -专利权人：红山机电研究所
申请日： 1987-05-19 - 公布日： 1988-06-15 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有温度保护开关的固体功率器件。它在已有的器件的金属底板上开一个开关室，开关室内壁均涂覆绝缘材料，并在其中放置双金属片，开关室口部加有绝缘盖板，该盖板的内则中部设有用于压住双金属片的凸起物，两头对应双金属片头部的位置处设有静触点。该静触点由引线穿过盖板同器件的激励端电连接。当器件的温度升高时，双金属片感受芯片经由金属底板传来的热量而弯曲，最终同静触点相接触，将激励端短路，使器件得到保护。带有这种热保护开关的固体器件可以直接当做无触点热控制开关使用。
温度保护开关功率固体器件

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