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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]减小表面粗糙度的方法-CN202211375182.1在审
发明人： 罗兰·芒福德;克里斯托弗·乔纳森·W·博尔顿 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及一种减小表面粗糙度的方法。一种减小包括直立及/或凹陷特征的硅衬底的非平面表面上的表面粗糙度的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有非平面表面的硅衬底，所述非平面表面包括具有相关联表面粗糙度的直立及/或凹陷特征；在所述硅衬底上执行第一序列的等离子体处理步骤；及在所述硅衬底上执行第二序列的等离子体处理步骤。
减小表面粗糙方法

[发明专利]使表面光滑的方法-CN201711265604.9有效
发明人： 罗兰·芒福德 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及使表面光滑的方法。根据本发明，提供一种使硅衬底的表面光滑的方法，该方法包括以下步骤：提供具有后侧表面的硅衬底，其中硅衬底已被研磨以使后侧表面具有相关粗糙度；以及使用等离子体蚀刻处理使硅衬底的后侧表面光滑；其中等离子体蚀刻处理包括以下步骤：执行第一等离子体蚀刻步骤，该第一等离子体蚀刻步骤形成从后侧表面竖立的多个突起；以及执行第二等离子体蚀刻步骤，该第二等离子体蚀刻步骤至少部分地蚀刻突起，以提供呈现镜面反射的光滑后侧表面。
表面光滑方法

[发明专利]监测和控制晶片衬底形变的方法和系统-CN201710798257.X有效
发明人：海尤玛·阿什拉夫;凯文·里德尔;罗兰·芒福德;格兰特·鲍德温 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了在等离子蚀刻晶片衬底的过程中监测和控制所述晶片衬底的形变的方法和系统。所述方法包括以下步骤：将晶片衬底布置在工艺腔室内的台板组件上，以使晶片的整个上表面暴露；使工艺气体通入所述工艺腔室中；向所述台板组件施加射频偏置电压；在所述工艺腔室内生成等离子体；在蚀刻工艺期间，监测所述台板组件和所述工艺腔室之间的电压差；一旦达到阈值监测电压，就减少或消除所述等离子体以阻止进一步蚀刻。
监测控制晶片衬底形变方法系统

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