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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像处理装置的设定方法、记录介质以及图像处理系统-CN202110947641.8有效
发明人： 铃木淳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高在实施图像处理装置的初始设定的情况下的用户的便利性的图像处理装置的设定方法、记录介质以及图像处理系统。打印机(2)的设定方法为，基于被显示在终端装置(1)上的设定图像来实施打印机(2)的初始设定的设定方法，其中，在设定图像中，以聊天的形式而对与打印机(2)的初始设定相关的多个信息日志、与包括对于操作打印机(2)的用户的指示在内的指示信息相关的指示信息日志以及与用户对应于指示信息而输入的用户应答相关的应答日志进行显示。
图像处理装置设定方法记录介质以及系统

[发明专利]气体分析方法-CN202180079952.5在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01N21/15 文献下载
摘要：提供能够降低在气室内存在的水的影响从而以高精度分析试样气体中的杂质的气体分析方法。一种气体分析方法，是分析在试样气体中含有的杂质的方法，具备前处理工序和分析工序，在所述前处理工序中，将要被导入试样气体的气室(10)内的水的分压降低至10Pa以下，在所述分析工序中，向实施了前处理工序的气室(10)内导入试样气体，采用拉曼光谱法检测杂质。
气体分析方法

[发明专利]发光装置和发光装置的制造方法-CN202180081598.X在审
发明人：岩越康申;铃木淳 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：[问题]为了提供一种可高度制造并且具有适合于增加发光元件的密度的结构的发光装置以及一种用于制造发光装置的方法。[解决方案]根据本技术的发光装置包括基板、驱动元件、发光元件和层间绝缘层。基板具有基板正面和与基板正面相对的基板背面。驱动元件安装在基板的基板正面侧的第一安装面上。发光元件安装在基板的基板正面侧的第二安装面上，第二安装面距基板正面的距离不同于第一安装面的距离。层间绝缘层由绝缘材料制成并且形成在驱动元件和发光元件之间。
发光装置制造方法

[发明专利]已充气填充容器和E-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯的保存方法-CN202180069583.1在审
发明人：谷本阳祐;铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C07C21/18 文献下载
摘要：提供所填充的E‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯的纯度在长期不易降低的已充气填充容器。已充气填充容器是在填充容器中填充E‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯而得到的。在填充容器之中与所填充的E‑1,1,1,4,4,4‑六氟‑2‑丁烯接触的部分由铜的浓度小于0.5质量％的金属形成。
充气填充容器丁烯保存方法

[发明专利]氟-2-丁烯的保存方法-CN202180069509.X在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C07C21/18 文献下载
摘要：提供一种在保存中不易进行异构化反应的氟‑2‑丁烯的保存方法。由通式C4HxFy表示，并且通式中的x为0以上7以下，y为1以上8以下，x+y为8的氟‑2‑丁烯，含有或者不含有氯化氢作为杂质。将所述含有时的气相部的氯化氢浓度设为100体积ppm以下而将该氟‑2‑丁烯保存在容器内。
丁烯保存方法

[发明专利]氟-2-丁烯的保存方法-CN202180069513.6在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C07C21/18 文献下载
摘要：提供一种在保存中不易进行异构化反应的氟‑2‑丁烯的保存方法。由通式C4HxFy表示，并且通式中的x为0以上7以下，y为1以上8以下，x+y为8的氟‑2‑丁烯，含有或者不含有氟化氢作为杂质。将所述含有时的气相部的氟化氢浓度设为100体积ppm以下而将该氟‑2‑丁烯保存在容器内。
丁烯保存方法

[发明专利]氟丁烯的保存方法-CN202180069322.X在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07C21/18 文献下载
摘要：提供一种在保存中聚合不易进行的氟丁烯的保存方法。由通式C4HxFy表示，并且通式中的x为0以上7以下，y为1以上8以下，x+y为8的氟丁烯，含有或者不含有钠、钾、镁和钙中的至少一种作为金属杂质。将所述含有时的钠、钾、镁和钙的浓度之和设为1000质量ppb以下而将该氟丁烯保存在容器内。
丁烯保存方法

[发明专利]氟-2-丁烯的保存方法-CN202180069510.2在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07C21/18 文献下载
摘要：提供一种在保存中不易进行异构化反应的氟‑2‑丁烯的保存方法。由通式C4HxFy表示，并且通式中的x为0以上7以下，y为1以上8以下，x+y为8的氟‑2‑丁烯，含有或者不含有铬、钼、铁、锌和铝中的至少一种作为金属杂质。将所述含有时的铬、钼、铁、锌和铝的浓度之和设为1000质量ppb以下，而将该氟‑2‑丁烯保存在容器内。
丁烯保存方法

[发明专利]蚀刻气体及其制造方法、以及蚀刻方法、半导体元件的制造方法-CN202180069821.9在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体和蚀刻方法。蚀刻气体含有由通式C4HxFy表示并且通式中的x为1以上7以下、y为1以上7以下且x+y为8的氟丁烯。并且，蚀刻气体含有碳酰氟作为杂质，碳酰氟的浓度为100质量ppm以下。蚀刻方法具备蚀刻工序，蚀刻工序使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象。蚀刻对象物含有硅。
蚀刻气体及其制造方法以及半导体元件

[发明专利]氟丁烯的保存方法-CN202180069256.6在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07C21/18 文献下载
摘要：提供一种在保存中分解不易进行的氟丁烯的保存方法。由通式C4HxFy表示，并且通式中的x为0以上且7以下，y为1以上且8以下，且x+y为8的氟丁烯，含有或者不含有锰、钴、镍和硅中的至少一种作为金属杂质。将所述含有时的锰、钴、镍和硅的浓度之和设为1000质量ppb以下而将该氟丁烯保存在容器内。
丁烯保存方法

[发明专利]蚀刻气体、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法-CN202180070326.X在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。蚀刻气体含有用通式C4HxFy表示且通式中的x为1以上且7以下、y为1以上且7以下、x+y为8的氟丁烯。在该蚀刻气体中，作为金属杂质含有或不含有铜、锌、锰、钴和硅之中的至少一种，所述含有的情况下的铜、锌、锰、钴和硅的浓度之和为5000质量ppb以下。蚀刻方法具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻。蚀刻对象物含有硅。
蚀刻气体方法以及半导体元件制造

[发明专利]蚀刻气体、蚀刻方法和半导体元件的制造方法-CN202180069264.0在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地对含有硅的蚀刻对象物进行蚀刻的蚀刻气体及蚀刻方法。一种蚀刻气体，含有氟丁烯，所述氟丁烯由通式C4HxFy表示，并且所述通式中的x为1以上7以下、y为1以上7以下、x+y为8。该蚀刻气体含有或不含有碱金属和碱土金属中的至少一种作为金属杂质，在含有所述金属杂质的情况下碱金属和碱土金属的浓度之和为5000质量ppb以下。一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻。蚀刻对象物含有硅。
蚀刻气体方法半导体元件制造

[发明专利]蚀刻气体及其制造方法、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法-CN202180070335.9在审
发明人： 铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。蚀刻气体含有用通式C4HxFy表示且通式中的x为1以上且7以下、y为1以上且7以下、x+y为8的氟丁烯。而且，蚀刻气体含有氟化氢作为杂质，氟化氢的浓度为100质量ppm以下。蚀刻方法具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，所述蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，所述非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象。蚀刻对象物含有硅。
蚀刻气体及其制造方法以及半导体元件

[发明专利]轴承状态监视装置、涡轮增压器以及轴承状态监视方法-CN201980092453.2有效
发明人：矢野正义;石井裕太;铃木淳;二江贵也;药师寺后辅;段本洋辅 -专利权人：三菱重工发动机和增压器株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： F16C41/00 文献下载
摘要：轴承状态监视装置对在推力方向上保持旋转轴的推力轴承的状态进行监视。轴承状态监视装置具备：用于测量推力轴承的温度的第一温度传感器；以及运算装置，对与基于第一温度传感器的测量值的推力载荷相关的评价指标超过允许值的次数进行计数，在所计数的次数超过阈值的情况下，输出推力轴承的状态存在异常的情况。另外，运算装置也可以仅将推力载荷超过上限载荷的状态持续了规定时间以上的情况作为次数而计数。
轴承状态监视装置涡轮增压以及方法

[发明专利]天线装置-CN201980021486.8有效
发明人： 铃木淳 -专利权人： FDK株式会社
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01Q9/42 文献下载
摘要：本发明的天线装置(1)包括：配置在绝缘基板(2)的第一面(2a)上的第一折叠天线(3)、第一布线(5)和供电部(9)；配置在绝缘基板(2)的第二面(2b)上的第二折叠天线(4)和第二布线(6)；以及贯穿绝缘基板(2)的通孔(7)，第一折叠天线(3)通过供电部(9)与第一布线(5)相连接，第二折叠天线(4)与第二布线(6)相连接，第一布线(5)通过通孔(7)与第二布线(6)连接，第一折叠天线(3)具有至少两根彼此平行的第一平行线路部(3n)，第二折叠天线(4)具有至少两根彼此平行的第二平行线路部(4n)，在俯视时，第一平行线路部(3n)分别与全部第二平行线路部(4n)交叉。
天线装置

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