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[发明专利]获得外延层工艺条件的方法、外延层的形成方法-CN202310835203.1在审
发明人：丁科允 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种获得外延层工艺条件的方法，包含以下步骤：S1、提供一外延设备，包括腔体、设置在腔体上方的上加热组件、设置在腔体下方的下加热组件；S2、提供一晶圆；S3、设定第一工艺温度；S4、设定上加热组件和下加热组件的功率参数；S5、将第一工艺温度调整到第二工艺温度，同时向腔体内通入工艺气体，生长外延层；S6、选取晶圆表面若干点位，测量点位的外延层的厚度，判断各点位的厚度是否满足预设条件，若否，则调整上加热组件和下加热组件的功率参数，重新执行步骤S4至S6；若是，则执行步骤S7；S7、记录最后的功率参数与其对应的第一、第二工艺温度形成外延层的工艺条件。本发明的方法获得的工艺条件可以避免晶圆发生弛豫现象。
获得外延工艺条件方法形成

[发明专利]一种用于半导体真空腔室的翻盖装置-CN202310952969.8在审
发明人：席晓东;赵南 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种用于半导体真空腔室的翻盖装置，包括：基座；臂，所述臂沿第一方向延申，其包括第一端部和与第一端部相对的第二端部，所述第一端部与基座连接，所述臂还和盖连接；减速装置，所述减速装置的动力输出轴沿第二方向延申，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述基座通过所述动力输出轴与所述臂连接，所述减速装置用于在所述盖打开或关闭时提供动力；伸缩装置，所述伸缩装置的两端分别与所述基座和所述臂连接，用于在盖打开或关闭时提供辅助的动力。本发明的翻盖装置同时设置了减速装置与伸缩装置，能够为技术人员打开半导体真空腔室的盖提供便利。
一种用于半导体空腔翻盖装置

[发明专利]晶圆处理设备-CN202310678149.4有效
发明人：崔强 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆处理设备，包括：腔体，用于通过通入工艺气体对晶圆表面进行工艺处理；基座，设置在腔体内，用于支撑晶圆；衬套，设置在腔体的侧壁的内表面且围绕基座设置，用于将工艺气体均匀地分布在晶圆表面，且工艺处理后的工艺气体被排出腔体；监控装置，与设置在腔体侧壁的抽气口连通，用于通过所述抽气口获取腔体内的工艺气体并对气体成分进行分析。本发明可以在工艺过程中对腔体内的气体进行原位监控，对工艺稳定性影响小；并且稳定了工艺气流使气体均匀的分布在晶圆表面，保证了工艺的稳定性。
处理设备

[实用新型]一种等离子体处理设备-CN202321032284.3有效
发明人：刘自强;丁科允 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子体处理设备，包括：处理腔，所述处理腔用于对晶圆表面的氧化物进行去除工艺处理；等离子体发生装置，所述等离子体发生装置的一端与处理腔连接，用于将通入处理腔的工艺气体转变为等离子体状态；气体混合腔，所述气体混合腔的输出端与所述等离子体发生装置的另一端连接，用于在工艺气体通入处理腔之前，对工艺气体进行混合；其中，气体混合腔的输入端连接一含氟气体输入管路和一含氮氢气体输入管路。本实用新型提供的等离子体处理设备设置了气体混合腔，能够将工艺气体混合得更加均匀，给晶圆表面氧化层的清洁工艺带来更好的工艺效果。
一种等离子体处理设备

[发明专利]一种便于半导体设备维护的维护方法-CN202310840576.8在审
发明人：赵南 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种便于半导体设备维护的维护方法，包括步骤：S1、提供一半导体设备，所述半导体设备包括传输腔和工艺腔，所述工艺腔和传输腔相连，所述工艺腔包括腔体和加热装置，所述加热装置设置于所述腔体的上方和/或下方；所述加热装置包括加热部件，所述加热部件为多个，多个所述加热部件排列呈环形，用于在工艺期间向晶圆提供热能量；S2、整体旋转所述加热部件至少一角度，使所述加热部件在其排列的平面上以所述环形的圆心为中心点整体旋转，以在维护期间，方便所述加热部件的拆卸和维护。
一种便于半导体设备维护方法

[发明专利]半导体设备的实时控压系统、半导体设备和控制方法-CN202310664086.7在审
发明人：陈佳伟 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G05B11/42 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体设备的实时控压系统，包括：压力传感器，用于接收实时气压值和目标气压值的上位机，输入端和输出端分别电连接于上位机的PID模块，自学习控制模块电连接于PID模块并根据目标气压值获得第一控制信号；调节阀与上位机的另一端连接；调节阀包括驱动部件，用于接收上位机发送的第一控制信号以驱动调节阀阀板。本申请的半导体设备的实时控压系统、半导体设备和控制方法，通过在实时控压系统中设置压力传感器、上位机、PID模块、自学习控制模块和调节阀，自学习控制模块根据不同目标压力调整调节阀的开度，提高调节阀的调节效率。
半导体设备实时系统控制方法

[发明专利]一种衬套及晶圆预处理装置-CN202210053490.6有效
发明人：刘自强;燕春;杨进 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于晶圆预处理装置的衬套，包括：环形侧壁，所述环形侧壁包括上环部和下环部；所述上环部设置有至少两组通气孔组，所述通气孔组由贯穿衬套内表面和外表面的若干个通气孔构成，每一组通气孔组沿着衬套的周向分布一圈。通过在衬套上设置多组通气孔组，加大了气流排出的流量，从而可以减小气流在腔体内淤积导致的分布不均匀，且多组通气孔组之间是上下排布的，避免了仅在某一平面抽气带来的气流湍急。
一种衬套预处理装置

[发明专利]一种半导体设备用配置文件的形成方法-CN202310507409.1在审
发明人：朱力 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F8/38 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备用配置文件的形成方法，其特征在于，包括步骤：S1、在程序文件中，寻找主界面的共同标记，寻找同一级子界面的共同标记，寻找不同功能的共同标记；S2、形成层级结构框架；S3、形成配置文件。本发明提供的半导体设备用配置文件的形成方法简单，不易出错。
一种半导体备用配置文件形成方法

[发明专利]一种等离子体发生装置、晶圆处理设备-CN202310652162.2在审
发明人：崔强 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体发生装置，包括：通道，所述通道包含上游区和下游区，通道的两端分别设置有进气口和排气口，所述进气口用于通入工艺气体，所述排气口用于将工艺气体排出，所述上游区靠近所述进气口，所述下游区靠近所述排气口；磁芯，用于将通入所述通道内的所述工艺气体形成等离子体，其中至少一磁芯环绕上游区设置，以及至少一磁芯环绕下游区设置；所述磁芯在上游区产生的磁通小于在下游区产生的磁通，在磁通影响下，使得上游区和下游区的等离子体分布均匀。本发明提出的等离子体发生装置产生的等离子体浓度均匀且稳定。
一种等离子体发生装置处理设备

[实用新型]一种用于半导体设备的风冷换热装置-CN202320118510.3有效
发明人：秦志坚 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： F25D31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于半导体设备的风冷换热装置，包括：上通道，所述上通道包括上进风通道、上抽风通道和风机，所述上进风通道与上抽风通道相连，风机设置于上通道内，所述上进风通道与下加热装置连接，用于向下加热装置和下穹顶提供换热流体；下通道，所述下通道包括下进风通道、下抽风通道和风机，所述下进风通道与下抽风通道相连，风机设置于下通道内，所述下进风通道与上加热装置连接，用于向上加热装置和上穹顶提供换热流体；调节装置，所述调节装置设置于上通道和/或下通道内，通过调整开度，调节上通道和/或下通道的换热流体的流量。本实用新型设置调节装置，可以通过调节装置和风机共同调节换热效果。
一种用于半导体设备风冷装置

[实用新型]一种预热环和半导体加热设备-CN202223446659.9有效
发明人：赵宏波;王伟 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本实用新型提供一种预热环和半导体加热设备，所述预热环包括：环体，所述环体包括内边缘及外边缘；所述环体还包括第一方向、第二方向，所述第一方向为沿着所述气体注入口和所述气体排出口延申的方向，第二方向为垂直于第一方向的方向；所述预热环还包括突出部，所述突出部设置于环体的外边缘的在第二方向上的至少一侧。本实用新型提供的预热环可以降低吹扫气体上涌对第二路工艺气体的影响，从而提高薄膜沉积的均匀性。
一种预热半导体加热设备

[发明专利]一种用于半导体设备的温度校准方法-CN202310470025.7在审
发明人：叶斌;包祺;李哲 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体设备的温度校准方法，包含以下步骤：S1、提供半导体设备；S2、确定外延层生长速率与工艺温度的数学对应关系；S3、宕机前，在第n工艺温度区间TRn内选取m个工艺温度进行外延生长，获得m个外延层生长速率，根据所述数学对应关系获得该第n工艺温度区间TRn对应的温度倒数的斜率kn；S4、重复步骤S3，获得N个工艺温度区间对应的温度倒数的斜率；S5、宕机恢复后，根据步骤S4中温度倒数的斜率获得设定工艺温度Ts对应的温度倒数的斜率ks，将该温度倒数的斜率ks和实际生长速率Gs代入所述数学对应关系获得实际温度ts，计算实际温度ts与设定工艺温度Ts的温度偏移值ΔT；S6、根据温度偏移值ΔT校准测温装置；其具有校准精准度高等优势。
一种用于半导体设备温度校准方法

[发明专利]一种密封结构及具有该密封结构的衬底处理设备-CN202210037773.1在审
发明人：刘自强;燕春;杨进 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F16J15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种密封结构，用于衬底处理设备的法兰、上顶和腔体之间的密封，包括：法兰‑上顶密封隔离组件，用于法兰与上顶之间的密封，以及上顶的垂直方向的防接触破裂保护；上顶‑腔体密封隔离组件，用于上顶与腔体之间的密封，以及上顶的垂直方向的防接触破裂保护；法兰‑腔体密封组件，用于法兰与腔体之间的密封；上顶水平方向隔离组件，用于上顶的水平方向的防接触破裂保护。本发明还涉及一种应用该密封结构的衬底处理设备。本发明可在实现高温状态下的衬底处理设备真空密封及上顶对中的基础上，在安装及工艺处理过程中完全隔绝石英与金属的直接接触，解决石英上顶存在碎裂风险的技术问题。
一种密封结构具有衬底处理设备

[发明专利]一种密封内衬、半导体设备平台及维护方法-CN202211018511.7有效
发明人：杨永雷;刘自强;秦志坚;尹宁 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C18/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种密封内衬、半导体设备平台及维护方法。所述半导体设备平台包括相互连接的第一腔体和第二腔体，所述第一腔体包括连通第一腔体内外的第一端口，所述第二腔体包括连通第二腔体内外的第二端口；所述密封内衬包括：内衬本体，所述内衬本体与第一端口和第二端口分别连接；密封装置，所述密封装置设置于内衬本体，用于内衬本体与第一端口的密封、及内衬本体与第二端口的密封；所述内衬本体可以在所述第一腔体的内部进行安装或拆卸。本发明解决了现有技术的更换腔体间密封圈操作不便、费时费力的技术问题，缩短了维修周期，降低了生产成本，同时具有理想的密封效果，且能避免密封圈污染工艺处理环境。
一种密封内衬半导体设备平台维护方法

[发明专利]一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法-CN202310219410.4在审
发明人：叶斌;李哲;丁科允 -专利权人： 江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法，所述方法包含以下步骤：S1、提供具有腔体的外延设备；S2、设定工艺参数，向所述腔体内通入工艺气体，在衬底上生长锗硅外延层；S3、获得该工艺参数对应的锗硅外延层的生长速率；S4、改变所述工艺参数，并重复S2至S3步骤，获得改变后的工艺参数下的锗硅外延层的生长速率；S5、根据每一个工艺参数和该工艺参数对应的生长速率，获得关于工艺参数的所述锗硅生长速率拟合模型；本发明提出的拟合模型能够准确推算锗硅外延层的生长速率，且适用工艺范围更广泛。
一种建立生长速率拟合模型方法

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