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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]蚀刻方法-CN201780034555.X有效
  • 畑崎芳成;石田和香子;谷口谦介 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-05-16 - 2023-07-07 - H01L21/3065
  • 本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。
  • 蚀刻方法
  • [发明专利]蚀刻方法及基板处理装置-CN201980017880.4在审
  • 及川翔;石田和香子 - 东京毅力科创株式会社
  • 2019-06-24 - 2020-11-24 - H01L21/3065
  • 提供一种基板处理装置中的蚀刻方法，所述基板处理装置具有用于放置基板的第一电极、以及与所述第一电极相对的第二电极，所述蚀刻方法包括：第一工序，导入第一气体，以将形成在基板上的对象膜蚀刻成该对象膜上的预定膜的图案的方式将所述对象膜的蚀刻进行至中途；第二工序，在进行所述第一工序之后，导入包含Ar气体、H2气体以及沉积性气体的第二气体，并向所述第二电极施加直流电压，以形成保护膜；以及第三工序，在进行形成所述保护膜的工序之后，导入第三气体，对所述对象膜进行蚀刻。
  • 蚀刻方法处理装置
  •  1 
  • 共 4 条
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