[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110714998.1 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN113594119A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 郜振豪;杨清华;唐兆云;赖志国 申请(专利权)人: 苏州汉天下电子有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/544;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人: 陈红;陈轶兰
地址: 215121 江苏省苏州市苏州工业园区金*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

基板,顶面具有多个基板焊盘;

芯片,底面具有多个芯片焊盘;

多个堆叠结构,每个堆叠结构包括凸块和焊球,分别将多个基板焊盘的一个与多个芯片焊盘的相对应一个电连接;

多个第一柱体,在芯片底面的边缘处,与基板顶面上的多个对准标记或者多个第二柱体在竖直方向上对准;

密封剂,包裹芯片、多个堆叠结构、多个第一柱体和/或多个第二柱体。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个第一柱体和/或多个第二柱体的材料为金属、金属的合金、金属的导电氮化物、金属的导电氧化物及其组合,所述金属选自Al、Cu、Mo、W、Pt、Ni、Cr、Nd、Ti、Ta、Hf、Zr、Mg、Zn的任一个。

3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个第一柱体与多个第二柱体的截面形状和/或尺寸相同。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个第一柱体的高度大于多个堆叠结构中凸块的高度,或者多个第一柱体的高度小于多个堆叠结构中凸块的高度并且多个第二柱体的高度大于多个堆叠结构中焊球的高度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个第一柱体和/或多个第二柱体的侧壁竖直并具有对准图形。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个第一柱体的底面与多个第二柱体的顶面分别具有凹凸结构、粗糙纹理或者磁性构件。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,多个第一柱体关于芯片的中心对称分布,和/或多个第二柱体关于基板的中心对称分布。

8.一种半导体封装的制造方法,包括步骤:

步骤1,在芯片的底面上边缘处形成多个第一柱体;

步骤2,在芯片的底面上的多个芯片焊盘的每一个上形成堆叠结构,堆叠结构包括凸块和焊球;

步骤3,将芯片倒装安放在基板上,使得多个第一柱体与基板顶面上的多个对准标记或者多个第二柱体在竖直方向上对准;

步骤4,执行回流焊接,利用焊球将芯片固定在基板上,并通过堆叠结构的凸块和焊球将多个基板焊盘的一个与多个芯片焊盘的相对应一个电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体封装的制造方法,其中,在步骤2之后、步骤3之前进一步包括步骤2B,在基板的顶面上形成多个第二柱体。

10.根据权利要求8所述的半导体封装的制造方法,其中,步骤2在步骤1之前或者同时执行。

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